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公开(公告)号：CN104147892B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410407628.3
申请日：2011-01-28
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: B01D53/04 , B01D2256/18 , B01D2258/0216 , B01D2259/402 , Y10T137/7837
Abstract: 本发明公开了用于从化学过程反应器的流出物回收需要的气体诸如二氟化氙、氙、氩、氦或氖的设备和方法，该化学过程反应器单独地或以气体混合物的形式或以变成分解的分子的形式利用这些气体，其中，该化学过程反应器使用不同气体组成的序列，并非所有气体组成包含需要的气体，且需要的气体只在需要的气体在流出物中的时间内被基本上捕获和回收。
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公开(公告)号：CN104284997B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380024532.2
申请日：2013-03-08
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/505 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/402 , C23C16/505 , H01L21/02208 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/443 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L29/7869
Abstract: 本文描述了低温加工的高质量含硅膜。还公开了在低温下形成含硅膜的方法。在一个方面，提供了具有约2nm至约200nm的厚度和约2.2g/cm3或更大的密度的含硅膜，其中所述含硅薄膜通过选自化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)的沉积工艺沉积，并且所述气相沉积使用选自二乙基硅烷、三乙基硅烷以及它们的组合的烷基硅烷前体在约25℃至约400℃范围的一个或多个温度下进行。
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公开(公告)号：CN102530895B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201110348515.7
申请日：2011-09-30
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C01B23/00 , B01D53/053
CPC classification number: B01D53/0476 , B01D2253/102 , B01D2253/104 , B01D2253/106 , B01D2253/108 , B01D2256/10 , B01D2256/18 , B01D2257/102 , B01D2257/11 , B01D2257/2047 , B01D2257/2066 , B01D2257/55 , B01D2257/80 , C01B23/0057 , C01B23/0068 , C01B2210/0037 , C01B2210/0045 , C01B2210/0051 , C01B2210/0056 , C01B2210/0062 , Y02P20/154
Abstract: 本发明公开了用于氙回收的真空变压吸附(VSA)方法的改进。通过只是在从吸附剂容器和空隙空间中初始排空N2之后收集回收的气体混合物，回收的氙不会被吸附剂容器和空隙空间中包含的N2稀释。回收的氙的浓度可以提高(高纯度)，同时几乎没有氙损失。在N2初始排空过程中，容器已经被排空到低于1大气压的压力，例如：从100到1托。
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公开(公告)号：CN104772008A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510017698.2
申请日：2015-01-13
Applicant: 气体产品与化学公司
Inventor： C·M·奥尔布赖特 , G·K·阿尔斯拉尼安 , A·D·约翰森 , D·C·文彻斯特
CPC classification number: B01D53/22 , B01D2053/221 , B01D2256/18 , C01B23/0042 , C01B2210/0031
Abstract: 工艺气体，例如但不限于氦气，可用于制造各种物品。本文中描述了收集、再利用和再循环在生产过程中使用的工艺气体，而不是将这些物料作为废弃物处理。
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公开(公告)号：CN104284997A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380024532.2
申请日：2013-03-08
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/505 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/402 , C23C16/505 , H01L21/02208 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/443 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L29/7869 , C23C16/401 , H01L29/78651
Abstract: 本文描述了低温加工的高质量含硅膜。还公开了在低温下形成含硅膜的方法。在一个方面，提供了具有约2nm至约200nm的厚度和约2.2g/cm3或更大的密度的含硅膜，其中所述含硅薄膜通过选自化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)的沉积工艺沉积，并且所述气相沉积使用选自二乙基硅烷、三乙基硅烷以及它们的组合的烷基硅烷前体在约25℃至约400℃范围的一个或多个温度下进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102530895A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110348515.7
申请日：2011-09-30
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C01B23/00 , B01D53/053
CPC classification number: B01D53/0476 , B01D2253/102 , B01D2253/104 , B01D2253/106 , B01D2253/108 , B01D2256/10 , B01D2256/18 , B01D2257/102 , B01D2257/11 , B01D2257/2047 , B01D2257/2066 , B01D2257/55 , B01D2257/80 , C01B23/0057 , C01B23/0068 , C01B2210/0037 , C01B2210/0045 , C01B2210/0051 , C01B2210/0056 , C01B2210/0062 , Y02P20/154
Abstract: 本发明公开了用于氙回收的真空变压吸附(VSA)方法的改进。通过只是在从吸附剂容器和空隙空间中初始排空N2之后收集回收的气体混合物，回收的氙不会被吸附剂容器和空隙空间中包含的N2稀释。回收的氙的浓度可以提高(高纯度)，同时几乎没有氙损失。在N2初始排空过程中，容器已经被排空到低于1大气压的压力，例如：从100到1托。
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公开(公告)号：CN102139181A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110034896.1
申请日：2011-01-28
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: B01D53/04 , B01D2256/18 , B01D2258/0216 , B01D2259/402 , Y10T137/7837
Abstract: 本发明公开了用于从化学过程反应器的流出物回收需要的气体诸如二氟化氙、氙、氩、氦或氖的设备和方法，该化学过程反应器单独地或以气体混合物的形式或以变成分解的分子的形式利用这些气体，其中，该化学过程反应器使用不同气体组成的序列，并非所有气体组成包含需要的气体，且需要的气体只在需要的气体在流出物中的时间内被基本上捕获和回收。
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公开(公告)号：CN104271797A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380024294.5
申请日：2013-03-08
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: H01L29/78693 , C23C16/345 , C23C16/402 , H01L21/0217 , H01L21/02565 , H01L29/247 , H01L29/6675
Abstract: 本文中描述的是包含一个或多个含硅层和金属氧化物层的装置。本文中还描述了形成一个或多个含硅层以用作，例如，显示器装置中的钝化层的方法。在一个具体的方面，所述装置包含透明金属氧化物层、氧化硅层和氮化硅层。在这个或其他方面，所述装置在350℃或更低的温度下沉积。本文中描述的含硅层包括一种或多种以下性质：密度约1.9g/cm3或更高；氢含量约4x1022cm-3或更低，通过紫外-可见光分光光度计测量的在400-700nm下的透光度为约90％或更高。
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公开(公告)号：CN104147892A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410407628.3
申请日：2011-01-28
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: B01D53/04 , B01D2256/18 , B01D2258/0216 , B01D2259/402 , Y10T137/7837
Abstract: 本发明公开了用于从化学过程反应器的流出物回收需要的气体诸如二氟化氙、氙、氩、氦或氖的设备和方法，该化学过程反应器单独地或以气体混合物的形式或以变成分解的分子的形式利用这些气体，其中，该化学过程反应器使用不同气体组成的序列，并非所有气体组成包含需要的气体，且需要的气体只在需要的气体在流出物中的时间内被基本上捕获和回收。
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公开(公告)号：CN102644061A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210039182.4
申请日：2012-02-17
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明涉及一种用于清洁反应室的方法，该方法包括如下步骤：(a)提供将材料沉积到靶基底上的反应室；(b)在所述反应室内部将所述材料沉积到靶基底上；(c)周期性地中断沉积，并使所述反应室内部与氟和氮的混合物接触以清洁所述反应室内部；以及(d)当氟和氮的混合物不可得时，进行切换使得所述反应室内部与三氟化氮接触。本发明还公开了一种设备。
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