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公开(公告)号：CN115109240B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110309064.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 汕尾比亚迪实业有限公司
IPC: C08G63/199
Abstract: 本申请提供了一种共聚酯，具有式(Ⅰ)表示的结构通式：R为‑(CH2)m‑或 m为2‑6之间的整数；y为28‑240之间的整数，z为52‑360之间的整数。该共聚酯不仅具有较低的介电常数及介电损耗因子，还能兼顾优异的力学性能，更适合应用到电子通信领域，以实现对信号进行高速、低损失传输，并具有较高的质量可靠性。本申请还提供了上述共聚酯的制备方法及其在通信领域的应用。
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公开(公告)号：CN111848171A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910336899.7
申请日：2019-04-25
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 汕尾比亚迪实业有限公司
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及一种铝碳化硅材料，包括铝和碳化硅预制件，其特征在于，所述碳化硅预制件由以下原料制备得到：100重量份的碳化硅颗粒、1-10重量份的金属硝酸盐、1-10重量份的粘结剂。铝基碳化硅材料的原料中含有金属硝酸盐，金属硝酸盐能热分解产生相应的金属氧化物，加强碳化硅颗粒间的连接，提高碳化硅预制件的强度，有利于进行规模化量产；而且热解产生的金属氧化物附着在碳化硅颗粒表面，可以有效地抑制部分碳化硅颗粒的氧化，减少二氧化硅的生成，提高铝碳化硅材料的热导率。
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公开(公告)号：CN115109240A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110309064.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 汕尾比亚迪实业有限公司
IPC: C08G63/199
Abstract: 本申请提供了一种共聚酯，具有式(Ⅰ)表示的结构通式：R为‑(CH2)m‑或m为2‑6之间的整数；y为28‑240之间的整数，z为52‑360之间的整数。该共聚酯不仅具有较低的介电常数及介电损耗因子，还能兼顾优异的力学性能，更适合应用到电子通信领域，以实现对信号进行高速、低损失传输，并具有较高的质量可靠性。本申请还提供了上述共聚酯的制备方法及其在通信领域的应用。
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公开(公告)号：CN212585241U
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202021117096.7
申请日：2020-06-16
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 汕尾比亚迪实业有限公司
IPC: F25B21/02
Abstract: 本实用新型公开了半导体制冷片。半导体制冷片包括：半导体制冷组件，半导体制冷组件包括相对设置的第一绝缘导热层和第二绝缘导热层，以及位于第一绝缘导热层和第二绝缘导热层之间的半导体层，半导体层包括多个电偶对，多个电偶对串联连接，半导体制冷组件设置有第一绝缘导热层的一侧为冷端，半导体制冷组件设置有第二绝缘导热层的一侧为热端；封装结构，封装结构覆盖半导体制冷组件的侧壁，并与第一绝缘导热层构成第一凹槽。由此，该封装结构可实现对半导体制冷组件的密封保护，并且有效提高了半导体制冷片的抗过载能力，使得半导体制冷片可承受1000PSI以上的压力。
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公开(公告)号：CN218973223U
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202223483294.7
申请日：2022-12-21
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 汕尾比亚迪实业有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种碳化硅腐蚀炉炉体和碳化硅腐蚀炉，碳化硅腐蚀炉炉体包括：外壳，外壳内限定有收容空间，外壳开设有与收容空间连通的炉膛口；坩埚，坩埚安装于收容空间，坩埚包括顶部和底部，顶部位于底部靠近炉膛口的一侧，顶部开设有与收容空间连通的坩埚口；隔热件，隔热件安装于收容空间且包裹坩埚，隔热件包括第一隔热层和第二隔热层；加热件，加热件设于隔热件，且围绕坩埚设置；其中，第一隔热层的至少一部分与顶部对应，第二隔热层的至少一部分与底部对应，第一隔热层的强度大于第二隔热层的强度。本实用新型的碳化硅腐蚀炉炉体在不损失保温性能的同时，延长了碳化硅腐蚀炉炉体的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN218994038U
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202223501433.4
申请日：2022-12-27
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 汕尾比亚迪实业有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅腐蚀炉，包括：炉体；炉盖，炉盖盖合在炉体上，炉盖内设有腔室，腔室内可活动地设有第一腔门，以将腔室分隔为第一腔体和第二腔体，且第二腔体沿水平方向延伸至炉盖的侧边，以用于由第二腔体取放待测样品，炉盖的侧边设有第二腔门，以关闭第二腔体；盛料件，盛料件设在炉体内；盛料件内用于盛放碱料，待测样品通过第二腔体伸入第一腔体，且与盛料件的位置相对应；加热组件，加热组件设在炉体内，且位于盛料件的底部，以对盛料件进行加热。本实用新型的碳化硅腐蚀炉，无需打开炉盖进行取放样品，有效防止腐蚀液直接外溢，确保腐蚀液与外界大气环境的相对隔离。
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公开(公告)号：CN119754376A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410923947.3
申请日：2024-07-10
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制冷技术，公开了一种半导体冷凝取水装置、冷凝取水控制方法及存储介质，其中，半导体冷凝取水装置包括壳体，壳体上开设有进风口和出风口，壳体内设有集水箱；半导体制冷板，半导体制冷板设于壳体内并处于集水箱的上方，半导体制冷板将壳体的内部分割为在上的加热腔和在下的冷凝腔，进风口与加热腔连通，出风口与冷凝腔连通，半导体制冷板的制冷面朝向集水箱。该半导体冷凝取水装置在低温环境下取水的能耗低。
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公开(公告)号：CN118630073A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411103908.5
申请日：2024-08-13
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种电池，该电池包括钝化层；所述钝化层包括式1所示的化合物，其中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自取代或未取代的C1‑C20的烷基、卤素、取代或未取代的氨基、取代或未取代的C1‑C20的烷氧基中的一种，且R1、R2、R3、R4中的至少一个包括所述取代或未取代的C1‑C20的烷基或所述取代或未取代的氨基；所述烷基的取代基、所述氨基的取代基和所述烷氧基的取代基各自独立地选自卤素、氨基、‑Si(CxH2x+1)3中的一种，x为1‑20中的整数。本发明的电池中的钝化层能够降低电池的寄生吸收，提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118496906A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310130297.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 比亚迪汽车工业有限公司
IPC: C10M169/04 , H01L21/304 , B28D5/00 , C10N30/04
Abstract: 本申请提供了一种碳化硅晶体切割液，按重量百分含量计，包括60％‑80％的分散剂、5％‑10％的低共熔溶剂、10％‑20％的磨料、0.5％‑2％的防沉剂、0.05％‑2％的pH调节剂和0.05％‑1％的极压剂。该碳化硅晶体切割液具有优异的悬浮稳定性，各组分的稳定性和分散性好，有利于碳化硅晶体切割液的使用，本申请还提供了碳化硅晶体切割液的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN116259534B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310533579.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 比亚迪汽车工业有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及碳化硅外延技术领域，特别涉及一种碳化硅外延方法。碳化硅外延方法包括以下步骤：对碳化硅衬底进行原位刻蚀；在碳化硅衬底的一侧表面沉积第一外延层，第一外延层的沉积速率为60μm/h~80μm/h；在第一外延层的一侧沉积第一缓冲层；在第一缓冲层背离碳化硅衬底的一侧表面沉积第二外延层。在第一外延层的快速沉积过程中，C原子和Si原子在凹坑缺陷处聚集沉积，从而能够将部分凹坑缺陷填平，减少了碳化硅表面凹坑缺陷的数量，进而使第二外延层表面具有较少的凹坑缺陷，容易满足半导体器件的制备要求，这也有利于提高碳化硅半导体器件的整体性能。
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