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公开(公告)号：CN115626686B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210848270.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 比亚迪汽车工业有限公司
IPC: C02F1/44 , C02F1/469 , B01D65/02 , C02F103/04
Abstract: 本申请提供了超纯水设备的清洗系统、清洗方法。该清洗系统分别在反渗透模块和EDI模块设置了药液储液筒和与之匹配的管路，使得反渗透模块可拥有酸洗工序、EDI模块可拥有酸碱综合清洗工序，可充分清洁超纯水设备的核心模组，从而可保证核心模组内部的洁净度较高、提高产水的品质稳定性、延长核心模组的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119789599A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411019832.8
申请日：2024-07-26
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H10F77/30 , H10F10/166 , H10F71/00 , H10F71/10
Abstract: 本发明公开了一种本征钝化结构的制备方法、本征钝化结构及电池，本征钝化结构包括：基层，所述基层表面设置有第一界面层；第一本征层，所述第一本征层设置在所述第一界面层上，所述第一本征层的表面设置有第二界面层；第二本征层，所述第二本征层设置在所述第二界面层上，所述第二本征层的表面设置有第三界面层；掺杂微晶硅层，所述掺杂微晶硅层设置在所述第三界面层表面。本发明通过对基层、第一本征层、第二本征层的表面进行处理，有效改善本征非晶硅与晶硅基底的接触，抑制纳米孪晶的产生，强化钝化效果，提升少子寿命。
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公开(公告)号：CN118497701A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410384611.4
申请日：2024-03-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/44 , H01L31/18 , H01L31/042
Abstract: 本申请提供了微晶硅膜材及太阳能电池片的制备、太阳能电池片及应用。微晶硅膜材的制备方法可在较低的成本下制得具有预期结构的微晶硅膜材，而利用上述微晶硅膜材的制备可得到一种低成本、高效率的太阳电池片的制备方法；此外，本申请实施例提供的太阳能电池片可用于提供一种具有较高光电转换效率的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN118630073A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411103908.5
申请日：2024-08-13
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种电池，该电池包括钝化层；所述钝化层包括式1所示的化合物，其中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自取代或未取代的C1‑C20的烷基、卤素、取代或未取代的氨基、取代或未取代的C1‑C20的烷氧基中的一种，且R1、R2、R3、R4中的至少一个包括所述取代或未取代的C1‑C20的烷基或所述取代或未取代的氨基；所述烷基的取代基、所述氨基的取代基和所述烷氧基的取代基各自独立地选自卤素、氨基、‑Si(CxH2x+1)3中的一种，x为1‑20中的整数。本发明的电池中的钝化层能够降低电池的寄生吸收，提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116259534B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310533579.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 比亚迪汽车工业有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及碳化硅外延技术领域，特别涉及一种碳化硅外延方法。碳化硅外延方法包括以下步骤：对碳化硅衬底进行原位刻蚀；在碳化硅衬底的一侧表面沉积第一外延层，第一外延层的沉积速率为60μm/h~80μm/h；在第一外延层的一侧沉积第一缓冲层；在第一缓冲层背离碳化硅衬底的一侧表面沉积第二外延层。在第一外延层的快速沉积过程中，C原子和Si原子在凹坑缺陷处聚集沉积，从而能够将部分凹坑缺陷填平，减少了碳化硅表面凹坑缺陷的数量，进而使第二外延层表面具有较少的凹坑缺陷，容易满足半导体器件的制备要求，这也有利于提高碳化硅半导体器件的整体性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115527884A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111647968.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司 , 比亚迪汽车工业有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 为克服现有晶圆片的湿法化学清洗工艺存在清洗效率低、废液处理难度高和表面金属离子、颗粒残留的问题，本发明提供了一种晶圆片的清洗装置和清洗方法，所述晶圆片的清洗装置包括粗清洗模块、转运结构和精清洗模块，所述粗清洗模块包括第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽，所述第一清洗槽中设置有第一清洗液，所述第二清洗槽中设置有第二清洗液，所述第三清洗槽中设置有第三清洗液，所述精清洗模块包括毛刷清洗装置和冲洗装置。本发明提供的晶圆片的清洗装置能够有效去除晶圆片上的颗粒和减少金属离子残留，降低清洗产生的废液量，显著提高了清洗效果。
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公开(公告)号：CN119789539A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202410389110.5
申请日：2024-03-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池片及其制备方法和应用。太阳能电池片包括层叠设置的第一膜层、硅衬底和第二膜层；沿硅衬底至第一膜层的方向上，第一膜层包括依次层叠设置的第一发射层和第一电极层，第一发射层与硅衬底表面连接，第一发射层靠近第一电极层一侧的晶化率大于第一发射层靠近硅衬底一侧的晶化率；和/或沿硅衬底至第二膜层的方向上，第二膜层包括依次层叠设置第二发射层和第二电极层；第二发射层与硅衬底表面连接，第二发射层靠近第二电极层一侧的晶化率大于第二发射层靠近硅衬底一侧的晶化率；第一发射层具有第一掺杂元素，第二发射层具有第二掺杂元素，硅衬底具有第一掺杂元素或第二掺杂元素，第一掺杂元素与第二掺杂元素不同。
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公开(公告)号：CN119767868A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411255071.6
申请日：2024-09-06
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。该电池包括硅衬底及依次层叠设置在其相背两侧的半导体结构层和透明导电氧化物层，透明导电氧化物层上间隔分布有铜种子层，铜种子层背离透明导电氧化物层的表面设有铜栅线电极；铜种子层和与之相对的透明导电氧化物层之间还设有混合层，透明导电氧化物层未被混合层覆盖的区域上设有表面具有凹坑结构的陷光结构层；混合层包含金属材料和透明导电氧化物，陷光结构层含有与混合层相同的透明导电氧化物。借助该混合层可提高透明导电氧化物层与铜种子层之间的结合力、降低接触电阻，上述陷光结构层的存在可降低电池对入射光的反射率，利于提升其光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119753832A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410142836.9
申请日：2024-01-31
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅材料技术领域，公开了一种3C‑SiC外延片及其制备方法。该方法包括以下步骤：(1)对硅衬底进行第一刻蚀；(2)在刻蚀后的硅衬底表面上形成第一碳化缓冲层；(3)在第一工艺气体的存在下，在所述第一碳化缓冲层上进行异质外延生长；其中，所述第一工艺气体包括碳源和硅源，所述碳源包括氯基碳源。按照本发明所述的方法可以制得致命缺陷密度明显较低的3C‑SiC外延片。
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公开(公告)号：CN118630073B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411103908.5
申请日：2024-08-13
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种电池，该电池包括钝化层；所述钝化层包括式1所示的化合物，其中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自取代或未取代的C1‑C20的烷基、卤素、取代或未取代的氨基、取代或未取代的C1‑C20的烷氧基中的一种，且R1、R2、R3、R4中的至少一个包括所述取代或未取代的C1‑C20的烷基或所述取代或未取代的氨基；所述烷基的取代基、所述氨基的取代基和所述烷氧基的取代基各自独立地选自卤素、氨基、‑Si(CxH2x+1)3中的一种，x为1‑20中的整数。本发明的电池中的钝化层能够降低电池的寄生吸收，提高电池的光电转换效率。
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