太阳能电池发射极前驱体及其制备方法和太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN118825090A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202311126226.1

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域,公开了一种太阳能电池发射极前驱体及其制备方法和太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池发射极前驱体由下至上为硅片、轻掺杂P+层和硼硅玻璃层;其中,所述硼硅玻璃层的厚度为5‑10nm。本发明通过硼扩散沉积得到硼硅玻璃层,再进行第一次推结和第二次推结形成轻掺杂P+层,优化了表面掺杂浓度和结深,能够在实现高方阻降的同时,保证低反射率基本不变;为后续激光推进提供足够的硼源,实现选择性硼重掺杂,从而形成发射极SE结构,有利于提高太阳能电池的转换效率。

    太阳能电池结构及其制作方法、太阳能电池片

    公开(公告)号:CN118825087A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202311075766.1

    申请日:2023-08-24

    Abstract: 一种太阳能电池结构及其制作方法、太阳能电池片,太阳能电池结构包括:硅片基体、第一遂穿氧化层、第一多晶硅层、第一氧化铝层;硅片基体包括相背的第一面和第二面;第一遂穿氧化层层叠设置于第一面;第一多晶硅层层叠设置于第一遂穿氧化层背向硅片基体的一面,第一多晶硅层里掺杂有氢元素;第一氧化铝层层叠设置于第一多晶硅层背向第一遂穿氧化层的一面,第一氧化铝层里掺杂有氢元素。解决背面印刷烧蚀过深和悬挂键的问题。

    一种硅片的抛光方法、太阳能电池片的制备方法及太阳能电池片

    公开(公告)号:CN114664972B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202011540193.1

    申请日:2020-12-23

    Inventor: 田野 孙翔 姚云江

    Abstract: 本发明涉及一种硅片的抛光方法。该硅片的抛光方法包括:S1、将P型硅片依次进行制绒、磷扩散处理,得到预制硅片;S2、将预制硅片放入装有抛光液的槽体内,光源照射所述预制硅片,使所述预制硅片进行抛光,得到背面抛光的硅片。该方法将硅片浸没与抛光液中抛光,不会破坏硅片正面的绒面,同时还能实现硅片背面的抛光,且提高了硅片的抛光效果,进而能提高由其制备得到的太阳能电池片的电池转换效率。

    一种反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN117479553A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202210833592.X

    申请日:2022-07-14

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域,公开了一种反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该反式钙钛矿太阳能电池包括基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和电极,其中,所述电子传输层为一层或两层以上,且至少一个电子传输层的材料为氮化钛。按照本发明所述的反式钙钛矿太阳能电池,通过以氮化钛单独作为电子传输层或者与传统的电子传输层复合使用,能够高效地提取电子,提高电子的传输效率,提高电池的短路电流,提高电池光电转换效率。

    一种硅片的抛光方法、太阳能电池片的制备方法及太阳能电池片

    公开(公告)号:CN114664972A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202011540193.1

    申请日:2020-12-23

    Inventor: 田野 孙翔 姚云江

    Abstract: 本发明涉及一种硅片的抛光方法。该硅片的抛光方法包括:S1、将P型硅片依次进行制绒、磷扩散处理,得到预制硅片;S2、将预制硅片放入装有抛光液的槽体内,光源照射所述预制硅片,使所述预制硅片进行抛光,得到背面抛光的硅片。该方法将硅片浸没与抛光液中抛光,不会破坏硅片正面的绒面,同时还能实现硅片背面的抛光,且提高了硅片的抛光效果,进而能提高由其制备得到的太阳能电池片的电池转换效率。

    电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法

    公开(公告)号:CN107564974B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201610514923.8

    申请日:2016-06-30

    Abstract: 本发明公开了一种电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法,电池片包括:硅片、正面栅线层、侧电极、第一电极、背面栅线层和第二电极,硅片包括硅基片、正面第一类扩散层、背面第一类扩散层、以及背面第二类扩散层,硅基片的背光面包括互相接触的第一区域和第二区域,背面第一类扩散层仅设在且布满在第一区域上,背面第二类扩散层仅设在且布满在第二区域上,正面栅线层设在正面第一类扩散层上,侧电极设在硅片的侧表面上且与正面栅线层电连接,第一电极设在背面第一类扩散层上且与侧电极电连接,背面栅线层和第二电极电连接且均设在背面第二类扩散层上且均与第一电极不接触。根据本发明的电池片,防漏电性好、功率高。

    电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法

    公开(公告)号:CN107564973B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201610512518.2

    申请日:2016-06-30

    Abstract: 本发明公开了一种电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法,电池片包括:硅片、正面栅线层、侧电极、第一电极、背面栅线层和第二电极,硅片包括硅基片、正面第一类扩散层、背面第一类扩散层以及背面第二类扩散层,硅基片的背光面包括互不接触的第一区域和第二区域,背面第一类扩散层仅设在且布满在第一区域上,背面第二类扩散层仅设在且布满在第二区域上,正面栅线层设在正面第一类扩散层上,侧电极设在硅片的侧表面上且与正面栅线层电连接,第一电极设在背面第一类扩散层上且与侧电极电连接,背面栅线层和第二电极电连接且均设在背面第二类扩散层上。根据本发明的电池片,防漏电性好、功率高。

    金刚线切割多晶硅片的制绒挖孔添加剂、制绒沉银挖孔液、硅片以及太阳能电池

    公开(公告)号:CN110872729A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201811001506.9

    申请日:2018-08-30

    Abstract: 本发明涉及晶体硅太阳电池制备领域,公开了一种金刚线切割多晶硅片的制绒挖孔添加剂、金刚线切割多晶硅片的制绒沉银挖孔液、硅片以及太阳能电池。本发明的制绒挖孔添加剂含有0.01~0.20重量%的聚乙二醇、0.01~0.10重量%的缓蚀剂以及99.70~99.97重量%的去离子水,其中,所述聚乙二醇的分子量为1000以下,所述缓蚀剂选自巯基苯并噻唑、牛脂胺、十六烷胺和十八烷胺中的一种或多种。本发明的硅片,其晶界模糊,颜色比较均一,色差也较小,将该硅片制备成电池片后,外观良好,无明显发花现象,相比目前常规砂浆切硅片酸制绒得到的电池,其光电转换效率得到一定的提升。

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