金刚线切割多晶硅片的制绒挖孔添加剂、制绒沉银挖孔液、硅片以及太阳能电池

    公开(公告)号:CN110872729A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201811001506.9

    申请日:2018-08-30

    Abstract: 本发明涉及晶体硅太阳电池制备领域,公开了一种金刚线切割多晶硅片的制绒挖孔添加剂、金刚线切割多晶硅片的制绒沉银挖孔液、硅片以及太阳能电池。本发明的制绒挖孔添加剂含有0.01~0.20重量%的聚乙二醇、0.01~0.10重量%的缓蚀剂以及99.70~99.97重量%的去离子水,其中,所述聚乙二醇的分子量为1000以下,所述缓蚀剂选自巯基苯并噻唑、牛脂胺、十六烷胺和十八烷胺中的一种或多种。本发明的硅片,其晶界模糊,颜色比较均一,色差也较小,将该硅片制备成电池片后,外观良好,无明显发花现象,相比目前常规砂浆切硅片酸制绒得到的电池,其光电转换效率得到一定的提升。

    一种太阳能电池片的制备方法及一种太阳能电池片、一种太阳能电池

    公开(公告)号:CN111554771A

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201910067836.6

    申请日:2019-01-24

    Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池片的制备方法及一种太阳能电池片、一种太阳能电池。该方法包括以下步骤:S1、对晶体硅进行制绒处理;S2、对制绒处理后的晶体硅进行扩散处理;S3、对扩散处理后的晶体硅进行刻边处理和去除晶体硅表面的磷硅玻璃;S4、对步骤S3得到的晶体硅进行氧化处理,氧化温度为300-550℃,氮气流量为3-9L/min,氧气流量为0.5-2L/min,氧化时间为5-60min;S5、对经过氧化处理的晶体硅进行PECVD处理;S6、对步骤S5得到的晶体硅进行印刷及烧结。该制备方法在常压低温下进行氧化,对设备要求低、降低能耗、降低生产成本,且能提升太阳能电池片转换效率。

    太阳能电池片阵列、太阳能电池组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN106206762A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201510217687.9

    申请日:2015-04-30

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池片阵列、太阳能电池组件及其制备方法,太阳能电池片阵列包括多个电池片和导电线,相邻电池片之间通过所述导电线相连,所述电池片的正面上设有副栅线和短栅线,所述副栅线包括与所述导电线相交的中间副栅线和不与所述导电线相交的边缘副栅线,所述短栅线与所述边缘副栅线相连,且所述短栅与所述导电线或至少一个中间副栅线相连。根据本发明实施例的太阳能电池片阵列,导电线采用绕线排列的方式可以避免出现导电线切断所带来的问题;另一方面,通过在电池片受光面的边沿部分的副栅线上设置短栅线,从而能够进一步提高太阳能电池组件的光电转化效率。

    金刚线切割多晶硅片的制绒挖孔添加剂、制绒沉银挖孔液、硅片以及太阳能电池

    公开(公告)号:CN110872729B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN201811001506.9

    申请日:2018-08-30

    Abstract: 本发明涉及晶体硅太阳电池制备领域,公开了一种金刚线切割多晶硅片的制绒挖孔添加剂、金刚线切割多晶硅片的制绒沉银挖孔液、硅片以及太阳能电池。本发明的制绒挖孔添加剂含有0.01~0.20重量%的聚乙二醇、0.01~0.10重量%的缓蚀剂以及99.70~99.97重量%的去离子水,其中,所述聚乙二醇的分子量为1000以下,所述缓蚀剂选自巯基苯并噻唑、牛脂胺、十六烷胺和十八烷胺中的一种或多种。本发明的硅片,其晶界模糊,颜色比较均一,色差也较小,将该硅片制备成电池片后,外观良好,无明显发花现象,相比目前常规砂浆切硅片酸制绒得到的电池,其光电转换效率得到一定的提升。

    电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法

    公开(公告)号:CN107611183B

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201610516487.8

    申请日:2016-06-30

    Abstract: 本发明公开了一种电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法,电池片包括:硅片、栅线层、侧电极、第一电极、背电层和第二电极,硅片包括硅基片、正面扩散层、侧面隔层、以及背面隔层,侧面隔层和背面隔层中的至少一个的至少部分为与正面扩散层类型相同的扩散层,栅线层设在正面扩散层上,侧电极设在侧面隔层上且与栅线层电连接,第一电极设在背面隔层上且与侧电极电连接,背电层和第二电极均设在硅片的背光面上,其中,背电层与第二电极电连接且与第一电极不接触。根据本发明的电池片,防漏电性好、功率高。

    一种太阳能硅片的回收方法

    公开(公告)号:CN102343352A

    公开(公告)日:2012-02-08

    申请号:CN201010240413.9

    申请日:2010-07-26

    CPC classification number: Y02W30/20 Y02W30/827

    Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域,具体提供了一种太阳能硅片的回收方法。该方法包括先将印刷不良的太阳能硅片依次在有机溶剂、氧化性酸、盐酸中浸泡,最后将太阳能硅片的背面在氢氟酸中浸泡。有机溶剂去除硅片背面的全部浆料以及正面的大部分的导电浆料,氧化性酸将硅片正面残留的浆料以及吸附残留的固体颗粒转化为金属离子,盐酸络合去除金属离子,最后氢氟酸去除背面的二氧化硅膜层。本发明的回收方法,太阳能硅片外观良好,无污点,并且不易破片,回收过程无风险。回收过程中不会破坏硅片上的减反射膜,也不会破坏硅片的PN结。回收的硅片直接重新印刷导电浆料即可。最重要的是太阳能硅片的品质几乎没有降低,大大提升了太阳能硅片生产良率,降低了企业成本。

Patent Agency Ranking