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公开(公告)号：CN103183500B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201110443640.6
申请日：2011-12-27
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明提供了一种氧化铝陶瓷基板的制备方法及由该方法制备的陶瓷基板，在陶瓷基板粉料中添加第一烧结助剂和第二烧结助剂，所述第一烧结助剂为XCaO·YMgO·ZSiO2的玻璃态粉末，0.1≦X≦0.4，0.1≦Y≦0.4，0.5≦Z≦0.7，X+Y+Z=1，其中X：Y：Z为质量比；第二烧结助剂为BaO；并采用陶瓷基板生坯与表面涂敷有纳米氧化铝粉末的隔烧板隔层叠放后一起放入烧结炉中烧结的方式，所制得的氧化铝陶瓷基片体积密度大，表面平滑度好，抗击穿强度高。
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公开(公告)号：CN102775195B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110123029.5
申请日：2011-05-13
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B41/88
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷表面选择性金属化方法，包括以下步骤：A．将陶瓷组合物成型、烧制得到陶瓷基材；所述陶瓷组合物包括陶瓷粉体和分散于陶瓷粉体中的功能粉体；所述功能粉体选自M的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳化物或M单质中的一种或多种；陶瓷粉体选自E的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳化物中的一种或多种；B．采用能量束辐射陶瓷基材表面的选定区域，在选定区域形成化学镀活性中心；C．对经过步骤B的陶瓷基材表面进行化学镀，选定区域形成金属层。本发明还提供了一种陶瓷。本发明的陶瓷表面通过化学镀形成金属镀层，镀层与陶瓷基材的附着力较高，成本较低。
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公开(公告)号：CN103508759B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210212467.3
申请日：2012-06-26
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大功率LED底座的制备方法，包括以下步骤：S1、对氮化铝陶瓷基板的表面进行改性，然后在改性层表面镀氧化亚铜层和铜层，得到表面覆铜陶瓷；S2、将表面覆铜陶瓷在惰性气氛中进行1064-1080℃下热处理，曝光显影蚀刻后得到表面具有金属化线路的陶瓷电路板；S3、将铜基座表面进行氧化；S4、使陶瓷电路板与铜基座贴合，然后在惰性气氛中进行1064-1080℃下热处理，冷却后在金属化线路表面继续金属化，得到大功率LED底座。本发明还提供了采用该制备方法制备得到的大功率LED底座。本发明提供的制备方法制备得到的大功率LED底座，散热性能好，陶瓷电路板的金属层与氮化铝陶瓷基板具有良好的结合力，同时陶瓷电路板整体与铜基座也具有良好的结合力。
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公开(公告)号：CN103253989A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210035016.7
申请日：2012-02-16
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B41/88
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷表面选择性金属化方法，包括以下步骤：A．将陶瓷组合物成型、烧制得到陶瓷基材；所述陶瓷组合物包括陶瓷粉体和分散于陶瓷粉体中的功能粉体；所述功能粉体选自M的钛酸盐化合物中的一种或多种；陶瓷粉体选自E的钛酸盐化合物中的一种或多种；B．采用能量束辐射陶瓷基材表面的选定区域，在选定区域形成化学镀活性中心；C．对经过步骤B的陶瓷基材表面进行化学镀，选定区域形成金属层。本发明还提供了一种陶瓷。本发明的陶瓷表面选择性金属方法，通过化学镀形成的金属层与陶瓷基材的附着力较高，成本较低。
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公开(公告)号：CN102776492A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110123060.9
申请日：2011-05-13
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷表面选择性金属化方法，包括以下步骤：A．将陶瓷组合物成型、烧制得到陶瓷基材；所述陶瓷组合物包括陶瓷粉体和分散于陶瓷粉体中的功能粉体；所述功能粉体选自M的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳化物或M单质中的一种或多种；陶瓷粉体选自E的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳化物中的一种或多种；B．采用能量束辐射陶瓷基材表面的选定区域，在选定区域形成化学镀活性中心；C．对经过步骤B的陶瓷基材表面进行化学镀，选定区域形成金属层。本发明还提供了一种陶瓷。本发明的陶瓷表面通过化学镀形成金属镀层，镀层与陶瓷基材的附着力较高，成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102206098A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010139347.6
申请日：2010-03-30
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷覆铜基板的制备方法，包括下述步骤：对铜箔进行前处理，所述铜箔的一侧面为用于与陶瓷基片相敷接的结合面，另一侧面为非结合面；在铜箔的非结合面上形成有机保护层；对铜箔进行电化学沉积处理，在Cu2+电解质溶液中于其结合面上形成氧化亚铜层；除去铜箔的非结合面上的有机保护层；将铜箔具有氧化亚铜层的结合面与经过预处理的陶瓷基片相叠合并进行敷接。另外，本发明还提供了一种陶瓷覆铜基板。本发明通过电化学沉积的方法，在铜箔的结合面形成均匀致密的氧化亚铜层，不含引起产生微小气泡的氧化铜，从而在敷接过程中，铜箔与陶瓷的结合面能够形成良好的敷接，极大的增强了铜箔与陶瓷基片的结合强度。
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公开(公告)号：CN103515509B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210212333.1
申请日：2012-06-26
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大功率LED底座的制备方法，包括以下步骤：S1、在氧化铝陶瓷基板的表面镀氧化亚铜层和铜层，得到表面覆铜陶瓷；S2、将表面覆铜陶瓷在惰性气氛中进行1064-1080℃下热处理，曝光显影蚀刻得到表面具有金属化线路的陶瓷电路板；S3、将铜基座表面进行氧化；S4、使陶瓷电路板与铜基座贴合，然后在惰性气氛中进行1064-1080℃下热处理，冷却后在金属化线路表面继续金属化，得到大功率LED底座。本发明还提供了采用该制备方法制备得到的大功率LED底座。本发明提供的制备方法制备得到的大功率LED底座，散热性能好，陶瓷电路板的金属层与氧化铝陶瓷基板具有良好的结合力，同时陶瓷电路板整体与铜基座也具有良好的结合力。
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公开(公告)号：CN102762037B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201110110725.2
申请日：2011-04-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷电路板的制造方法，该方法包括以下步骤：S1在陶瓷板表面沉积铜层；S2将铜层完全氧化，形成氧化铜层；S3用激光根据预先设计的电路图在该氧化铜层上蚀刻形成正相图形；所述激光蚀刻的深度与氧化铜层的厚度相同；S4将形成有正相图形的陶瓷板放入化学镀铜溶液中进行化学镀铜；S5将镀有一定厚度铜的陶瓷板表面的将氧化铜全部去除而保留表面的铜，即在陶瓷板表面形成了电路。本发明还提供了该陶瓷电路板。该方法简单，并且制备的陶瓷电路板精度高。
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公开(公告)号：CN103304276B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210065962.6
申请日：2012-03-14
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: C04B41/51 , C04B41/88 , F21V21/00 , F21V29/50 , F21Y101/02
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷基板表面选择性金属化的方法及由该方法制成的大功率LED底座，在陶瓷基板中添加功能助剂，所述功能助剂为选自A的氧化物中的两种或多种组成的玻璃态粉末，A为铝、镁、硅、钡、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、铌、钼、锝、钌、铑、钯、银、镉、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金、铟、锡、锑、铅或铋。玻璃态功能助剂的添加使陶瓷基板的致密度和导热性能得到很大提升，同时还增强了陶瓷基板对能量束的吸收，直接通过功率较低能量束对陶瓷基板表面活化后即可进行化学镀形成金属层，并且金属层与陶瓷基板结合力强。
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公开(公告)号：CN103887396A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210559347.0
申请日：2012-12-21
Applicant: 比亚迪股份有限公司
CPC classification number: H01L33/642 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2933/0075 , H01L33/486 , H01L33/641 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片直接焊接到铜热沉表面的发光组件，所述发光组件包括铜热沉、设置在铜热沉上方的中间有LED芯片安装孔的陶瓷基板，设置在陶瓷基板的边缘的正负电极，设置在芯片安装孔内的LED芯片，涂覆在LED芯片上的荧光粉层；所述铜热沉和陶瓷基板之间设置有铜氧共晶焊接层；所述LED芯片和正负电极之间电连接，所述正负电极与电源连接。本发明的发光组件明显提高了可靠性及延长了使用寿命，提高了光效。
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