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公开(公告)号：CN106185782A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610817051.2
申请日：2016-09-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0059
Abstract: 本发明公开一种面向可延展电子的柔性基底，包括薄膜基底、岛屿和沟槽；每个岛屿均呈多边形棱柱状；所有岛屿在薄膜基底的至少一侧表面上呈蜂窝状阵列排布；岛屿与岛屿之间由沟槽分隔开；功能器件粘附在岛屿的上方，连接导线藏于岛屿间的沟槽内，连接导线与功能器件电学连接。本发明不但可以实现轴向拉伸、弯曲、扭曲等可延展性能，而且打破了传统可延展电子功能元器件表面占有率低和应力过集中的弊端，拥有更高的功能器件有效表面占有率，提高可延展电子产品工作效率，并能够更好地对功能器件进行保护。
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公开(公告)号：CN106206462A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610818369.2
申请日：2016-09-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种面向可延展电子的双面柔性结构性基底，包括薄膜基底、岛屿和沟槽；每个岛屿均为柱状；所有岛屿规则排布在薄膜基底的上表面和下表面；位于薄膜基底上表面的岛屿和位于薄膜基底上表面的岛屿关于薄膜基底呈镜像对称；岛屿与岛屿之间由沟槽分隔开；功能器件粘附在岛屿的顶面，连接导线藏于岛屿间的沟槽内，连接导线与功能器件电学连接。本发明可以同时在基底上方岛屿和下方岛屿上黏附功能器件，以实现高的基底表面占有率，从而很大程度上提高了可延展柔性电子器件的空间利用率，符合现代电子产品对部件微型化、密集化的要求。本发明可应用于实现基底双面粘附功能性器件、需要高功能器件有效表面占有率的产品中。
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公开(公告)号：CN206076218U
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201621049848.4
申请日：2016-09-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种面向可延展电子的双面柔性结构性基底，包括薄膜基底、岛屿和沟槽；每个岛屿均为柱状；所有岛屿规则排布在薄膜基底的上表面和下表面；位于薄膜基底上表面的岛屿和位于薄膜基底上表面的岛屿关于薄膜基底呈镜像对称；岛屿与岛屿之间由沟槽分隔开；功能器件粘附在岛屿的顶面，连接导线藏于岛屿间的沟槽内，连接导线与功能器件电学连接。本实用新型可以同时在基底上方岛屿和下方岛屿上黏附功能器件，以实现高的基底表面占有率，从而很大程度上提高了可延展柔性电子器件的空间利用率，符合现代电子产品对部件微型化、密集化的要求。本实用新型可应用于实现基底双面粘附功能性器件、需要高功能器件有效表面占有率的产品中。
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公开(公告)号：CN206069358U
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201621051184.5
申请日：2016-09-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本实用新型公开一种面向可延展电子的柔性基底，包括薄膜基底、岛屿和沟槽；每个岛屿均呈多边形棱柱状；所有岛屿在薄膜基底的至少一侧表面上呈蜂窝状阵列排布；岛屿与岛屿之间由沟槽分隔开；功能器件粘附在岛屿的上方，连接导线藏于岛屿间的沟槽内，连接导线与功能器件电学连接。本实用新型不但可以实现轴向拉伸、弯曲、扭曲等可延展性能，而且打破了传统可延展电子功能元器件表面占有率低和应力过集中的弊端，拥有更高的功能器件有效表面占有率，提高可延展电子产品工作效率，并能够更好地对功能器件进行保护。
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