公开(公告)号：CN111129129A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201811274977.7

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 宁旭斌 ,  朱春林 ,  戴小平 ,  罗海辉 ,  刘国友 ,  伊恩·迪瓦尼

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提出了一种解决了沟槽栅IGBT在低感应用环境下栅阻对开通di/dt控制有限的问题的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，包括若干个相互并联的元胞，每个所述元胞包括依次排列的第一沟槽真栅、第二沟槽真栅及一个或多个沟槽陪栅，各沟槽真栅与栅极区相连，其特征在于，所述沟槽陪栅浮空设置，本发明的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片解决了沟槽栅IGBT在低感应用环境下栅阻对开通di/dt控制有限的问题，实现了栅极电阻对IGBT开通速度(di/dt)的有效的调控,并优化了开通速度di/dt和开通损耗两者间的权衡关系。在不增加di/dt的情况下开通损耗也能得到有效的控制。

公开(公告)号：CN106783609A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611208008.2

申请日：2016-12-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 宁旭斌 ,  肖强 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  黄建伟

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件及其制备方法，其中，制备方法包括：步骤1，在IGBT器件主体完成正面工艺后，对所述IGBT器件主体的背面进行减薄操作；步骤2，对所述IGBT器件主体的背面体区生长外延化合物层；步骤3，在所述外延化合物层上生长硅层；步骤4，在所述硅层上进行背面金属层淀积并进行退火；步骤5，在所述背面金属层上依次淀积镍金属电极层、钛金属电极层和银金属电极层。所述IGBT器件及其制备方法，通过IGBT器件主体的背面体区生长外延化合物层，形成异质结，提高IGBT芯片的耐压，降低芯片厚度，并在关断过程中可以快速复合过剩载流子，从而提高器件的导通与关断性能。