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发明公开
陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片无效转让

公开(公告)号：CN111129129A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201811274977.7

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 宁旭斌 , 朱春林 , 戴小平 , 罗海辉 , 刘国友 , 伊恩·迪瓦尼

IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06

Abstract: 本发明提出了一种解决了沟槽栅IGBT在低感应用环境下栅阻对开通di/dt控制有限的问题的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，包括若干个相互并联的元胞，每个所述元胞包括依次排列的第一沟槽真栅、第二沟槽真栅及一个或多个沟槽陪栅，各沟槽真栅与栅极区相连，其特征在于，所述沟槽陪栅浮空设置，本发明的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片解决了沟槽栅IGBT在低感应用环境下栅阻对开通di/dt控制有限的问题，实现了栅极电阻对IGBT开通速度(di/dt)的有效的调控,并优化了开通速度di/dt和开通损耗两者间的权衡关系。在不增加di/dt的情况下开通损耗也能得到有效的控制。

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