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公开(公告)号:CN101679810A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200980000271.4
申请日:2009-02-26
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09G1/02 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , H01L21/7684
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光用含水浆液组合物,该组合物可展示出对目标层的良好抛光速率,还具有较高的抛光选择性,并可保持目标层在抛光后的优良表面状态,本发明还涉及一种化学机械抛光方法。所述化学机械抛光(CMP)用含水浆液组合物包括磨料;一种氧化剂;一种络合剂;及一种聚合添加剂,该聚合添加剂包括选自下列的至少一种:聚环氧丙烷、环氧丙烷-环氧乙烷共聚物及由化学式1表示的化合物。
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公开(公告)号:CN101573425A
公开(公告)日:2009-11-04
申请号:CN200780048768.4
申请日:2007-12-28
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种CMP浆料,其包括一种含有至少两个吡啶基基团的吡啶基化合物,并使导线上凹陷和腐蚀的发生率降到最低。
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公开(公告)号:CN102648265B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201080056417.X
申请日:2010-10-13
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及CMP浆料组合物,其包含:研磨颗粒;分散剂;离子聚合物添加剂;和非离子聚合物添加剂,该非离子聚合物添加剂包括含有两个或更多个聚乙二醇重复单元的聚烯烃-聚乙二醇共聚物,其中至少一个聚乙二醇重复单元是支化的,并涉及一种使用该浆料组合物的抛光方法。CMP浆料组合物对单晶硅膜或多晶硅膜具有低的抛光率并对硅氧化物膜具有高的抛光率,从而表现出优异的抛光选择性。
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公开(公告)号:CN101679810B
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN200980000271.4
申请日:2009-02-26
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09G1/02 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , H01L21/7684
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光用含水浆液组合物,该组合物可展示出对目标层的良好抛光速率,还具有较高的抛光选择性,并可保持目标层在抛光后的优良表面状态,本发明还涉及一种化学机械抛光方法。所述化学机械抛光(CMP)用含水浆液组合物包括磨料;一种氧化剂;一种络合剂;及一种聚合添加剂,该聚合添加剂包括选自下列的至少一种:聚环氧丙烷、环氧丙烷-环氧乙烷共聚物及由化学式1表示的化合物。
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公开(公告)号:CN101573425B
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN200780048768.4
申请日:2007-12-28
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种CMP浆料,其包括一种含有至少两个吡啶基基团的吡啶基化合物,并使导线上凹陷和腐蚀的发生率降到最低。
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公开(公告)号:CN102648265A
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201080056417.X
申请日:2010-10-13
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及CMP浆料组合物,其包含:研磨颗粒;分散剂;离子聚合物添加剂;和非离子聚合物添加剂,该非离子聚合物添加剂包括含有两个或更多个聚乙二醇重复单元的聚烯烃-聚乙二醇共聚物,其中至少一个聚乙二醇重复单元是支化的,并涉及一种使用该浆料组合物的抛光方法。CMP浆料组合物对单晶硅膜或多晶硅膜具有低的抛光率并对硅氧化物膜具有高的抛光率,从而表现出优异的抛光选择性。
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