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公开(公告)号：CN105874545A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201580003747.5
申请日：2015-02-27
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 上田拓明
CPC classification number: C23C14/3492 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C14/568 , C23C14/5806
Abstract: 本发明涉及具备ITO透明电极层的透明导电膜的制造方法。卷取式溅射制膜装置(200)具备与制膜辊(256)相邻接的至少3个制膜室(201、202、203、204)。一边在制膜辊(256)上搬运透明膜基材(10)，一边在1个以上的制膜室中进行溅射制膜，形成膜厚为0.5nm～4nm的基底导电层(21)，在2个以上的制膜室中依次进行溅射制膜，在基底导电层上形成总膜厚为8nm～25nm的主导电层(25)。进行基底导电层(21)的形成的制膜室中的施加电功率为进行基底导电层(21)和主导电层(25)的形成的各制膜室中的施加电功率的合计的5％～20％。在主导电层的形成中，与最初对ITO薄膜进行制膜的制膜室中的施加电功率相比，随后对ITO薄膜进行制膜的制膜室中的施加电功率优选较大。
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公开(公告)号：CN105830173A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201580003181.6
申请日：2015-01-19
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L33/42 , C23C14/024 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0392
Abstract: 本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质，上述基底层(200)为介电体且为结晶质。
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公开(公告)号：CN103443748B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201180069501.X
申请日：2011-11-11
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: G02B1/10 , C23C14/08 , G02B1/116 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K3/4688
Abstract: 本发明的带有透明电极的基板（100）在透明膜基板（1）的至少一面依次具有：以SiOx为主要成分的第一电介质层（21）、以金属的氧化物为主要成分的第二电介质层（22）、以SiOy为主要成分的第三电介质层（23）、及透明电极层（4）。透明电极层（4）被图案化为电极层形成部（4a）与电极层非形成部（4b）。透明电极层（4）是以铟-锡复合氧化物为主要成分且膜厚为20nm～35nm的层。上述第一电介质层的折射率n1、上述第二电介质层的折射率n2、及上述第三电介质层的折射率n3满足n3＜n1＜n2的关系。第一电介质层（21）、第二电介质层（22）及第三电介质层（23）具有规定的膜厚。
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公开(公告)号：CN103443748A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201180069501.X
申请日：2011-11-11
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: G02B1/10 , C23C14/08 , G02B1/116 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K3/4688
Abstract: 本发明的带有透明电极的基板（100）在透明膜基板（1）的至少一面依次具有：以SiOx为主要成分的第一电介质层（21）、以金属的氧化物为主要成分的第二电介质层（22）、以SiOy为主要成分的第三电介质层（23）、及透明电极层（4）。透明电极层（4）被图案化为电极层形成部（4a）与电极层非形成部（4b）。透明电极层（4）是以铟-锡复合氧化物为主要成分且膜厚为20nm～35nm的层。上述第一电介质层的折射率n1、上述第二电介质层的折射率n2、及上述第三电介质层的折射率n3满足n3＜n1＜n2的关系。第一电介质层（21）、第二电介质层（22）及第三电介质层（23）具有规定的膜厚。
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公开(公告)号：CN105830173B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201580003181.6
申请日：2015-01-19
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L33/42 , C23C14/024 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0392
Abstract: 本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质，上述基底层(200)为介电体且为结晶质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104067353B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380006560.1
申请日：2013-01-18
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H05K1/0274 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022475 , H01L31/1884 , H01L51/442 , H01L51/5215 , H01L51/5234 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H05K1/092 , H05K2201/0329 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种带有透明电极的基板，该基板在透明膜基材的至少一面具有透明电极层。透明膜基材在透明电极层侧的表面具有以氧化物为主成分的透明电介质层。在一个实施方式中，透明电极层为结晶度为80％以上的结晶质透明电极层。在该实施方式中，结晶质透明电极层的电阻率为3.5×10‑4Ω·cm以下，膜厚为15nm～40nm，氧化铟的含量为87.5％～95.5％，载流子密度为4×1020/cm3～9×1020/cm3，且优选带有透明电极的基板的利用热机械分析测定的热收缩起始温度为75℃～120℃。
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公开(公告)号：CN104303240A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025510.8
申请日：2013-01-29
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: G06F1/16 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/562 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112
Abstract: 本发明的目的在于提供一种透明电极层被图案化时，图案也不易被视觉辨识的带有透明电极的基板及其制造方法。本发明的带有透明电极的基板在透明膜的至少一面依次具有第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层以及被图案化的透明电极层。第一电介质层是以SiOx为主要成分的硅氧化物层，第二电介质层是以金属的氧化物为主要成分的金属氧化物层，第三电介质层是以SiOy为主要成分的硅氧化物层。透明电极层是以铟·锡复合氧化物为主要成分的导电性金属氧化物层。第一电介质层的折射率n1、上述第二电介质层的折射率n2以及上述第三电介质层的折射率n3满足n3＜n1＜n2的关系。各电介质层及透明电极层优选具有规定范围内的膜厚及折射率。
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公开(公告)号：CN105874545B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201580003747.5
申请日：2015-02-27
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 上田拓明
CPC classification number: C23C14/3492 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C14/568 , C23C14/5806
Abstract: 本发明涉及具备ITO透明电极层的透明导电膜的制造方法。卷取式溅射制膜装置(200)具备与制膜辊(256)相邻接的至少3个制膜室(201、202、203、204)。一边在制膜辊(256)上搬运透明膜基材(10)，一边在1个以上的制膜室中进行溅射制膜，形成膜厚为0.5nm～4nm的基底导电层(21)，在2个以上的制膜室中依次进行溅射制膜，在基底导电层上形成总膜厚为8nm～25nm的主导电层(25)。进行基底导电层(21)的形成的制膜室中的施加电功率为进行基底导电层(21)和主导电层(25)的形成的各制膜室中的施加电功率的合计的5％～20％。在主导电层的形成中，与最初对ITO薄膜进行制膜的制膜室中的施加电功率相比，随后对ITO薄膜进行制膜的制膜室中的施加电功率优选较大。
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公开(公告)号：CN104603320B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380045444.0
申请日：2013-08-23
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/5806 , G06F3/041 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K3/22 , H05K3/388 , H05K2201/0104 , H05K2201/0108 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0326 , H05K2203/1194
Abstract: 本发明的目的在于提供带透明电极的基板的制造方法、以及带透明电极的基板，该带透明电极的基板在树脂基板上具备低电阻的透明电极。本发明的制造方法具有：在透明薄膜基板上通过溅射法形成由氧化铟锡构成的透明电极层的制膜工序；以及将透明电极层结晶化的结晶化工序。在制膜工序中，使用含有氧化铟与氧化锡的溅射靶材，一般将含有氩气以及氧气的溅射气体导入腔室内，一边进行溅射制膜。优选根据导向腔室的溅射气体的导入量(Q)以及腔室内的压力(P)由式子：S(L/秒)＝1.688×Q(sccm)/P(Pa)求出的有效排气速度(S)为1200～5000(L/秒)。本发明的带透明电极的基板优选透明电极层的电阻率不足3×10‑4Ωcm。
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公开(公告)号：CN104303240B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380025510.8
申请日：2013-01-29
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: G06F1/16 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/562 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112
Abstract: 本发明的目的在于提供一种透明电极层被图案化时，图案也不易被视觉辨识的带有透明电极的基板及其制造方法。本发明的带有透明电极的基板在透明膜的至少一面依次具有第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层以及被图案化的透明电极层。第一电介质层是以SiOx为主要成分的硅氧化物层，第二电介质层是以金属的氧化物为主要成分的金属氧化物层，第三电介质层是以SiOy为主要成分的硅氧化物层。透明电极层是以铟·锡复合氧化物为主要成分的导电性金属氧化物层。第一电介质层的折射率n1、上述第二电介质层的折射率n2以及上述第三电介质层的折射率n3满足n3＜n1＜n2的关系。各电介质层及透明电极层优选具有规定范围内的膜厚及折射率。
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