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公开(公告)号：CN1670924A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200410095441.0
申请日：2004-12-20
IPC: H01L21/304 , B24B37/04 , B24B49/00 , B24B1/00
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/03 , B24B49/12
Abstract: 提供一种衬底抛光装置来防止抛光过度和抛光不充分，并能够定量设置附加抛光时间。该衬底抛光装置包括用来将待抛光衬底抛光的机械装置；用来测量沉积在该衬底上的薄膜厚度的膜厚度测量装置；用来输入被抛光薄膜目标厚度的界面；用来保存先前抛光结果的存储区；以及用于计算抛光时间和抛光速度的处理单元。该衬底抛光装置建立一个附加抛光数据库，用于将从附加抛光结果中获得的数据存储在该存储区中。
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公开(公告)号：CN100481340C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410095441.0
申请日：2004-12-20
IPC: H01L21/304 , B24B37/04 , B24B49/00 , B24B1/00
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/03 , B24B49/12
Abstract: 提供一种衬底抛光装置来防止抛光过度和抛光不充分，并能够定量设置附加抛光时间。该衬底抛光装置包括用来将待抛光衬底抛光的机械装置；用来测量沉积在该衬底上的薄膜厚度的膜厚度测量装置；用来输入被抛光薄膜目标厚度的界面；用来保存先前抛光结果的存储区；以及用于计算抛光时间和抛光速度的处理单元。该衬底抛光装置建立一个附加抛光数据库，用于将从附加抛光结果中获得的数据存储在该存储区中。
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公开(公告)号：CN100519078C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200480018290.7
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 一种抛光装置具有抛光部分(302)，其被构造成抛光基板，和测量部分(307)，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度。所述抛光装置还具有接口(310)，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度，和存储装置(308a)，其被构造成将关于过去的至少一个基板的抛光速度的数据存储在其中。所述抛光装置包括运算单元(308b)，其可操作，以通过使用加权平均法、基于所述抛光速度数据和所述期望厚度来计算抛光速度和最佳抛光时间，其中所述加权平均法对关于最新抛光的基板的抛光速度数据进行加权处理。
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公开(公告)号：CN1537324A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN03800729.0
申请日：2003-02-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: B24B53/017 , B24B7/228 , B24B37/04 , B24B37/044 , B24B49/12 , B24B53/02 , C09G1/00 , H01L21/31053
Abstract: 在本发明的将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨的抛光方法，其特征在于具备：第一工序，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物；以及第二工序，边供应含有阳离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物。
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公开(公告)号：CN1533595A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800709.6
申请日：2003-02-20
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: B24B53/017 , B24B7/228 , B24B37/04 , B24B37/044 , B24B49/12 , B24B53/02 , C09G1/00 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及利用固定磨粒研磨半导体晶片等研磨对象物的抛光方法及研磨液。本发明的抛光方法，将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨，其特征在于，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100347827C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN03800709.6
申请日：2003-02-20
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: B24B53/017 , B24B7/228 , B24B37/04 , B24B37/044 , B24B49/12 , B24B53/02 , C09G1/00 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及利用固定磨粒研磨半导体晶片等研磨对象物的抛光方法及研磨液。本发明的抛光方法，将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨，其特征在于，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物，上述研磨液的pH为4至6.5，上述研磨液中的阴离子系界面活性剂的浓度为0.001重量%至0.15重量%。
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公开(公告)号：CN1813340A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480018290.7
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
Abstract: 一种抛光装置具有抛光部分(302)，其被构造成抛光基板，和测量部分(307)，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度。所述抛光装置还具有接口(310)，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度，和存储装置(308a)，其被构造成将关于过去的至少一个基板的抛光速度的数据存储在其中。所述抛光装置包括运算单元(308b)，其可操作，以通过使用加权平均法、基于所述抛光速度数据和所述期望厚度来计算抛光速度和最佳抛光时间，其中所述加权平均法对关于最新抛光的基板的抛光速度数据进行加权处理。
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公开(公告)号：CN101612719A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910139638.2
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , B24B49/02 , B24B49/12 , B24B55/00 , G01B11/06 , G01B11/30 , G01B7/06 , G01B7/34 , G01B15/02 , G01B15/08
Abstract: 公开了一种抛光装置，其包括：抛光部分，其被构造成用于抛光基板，其中所述基板具有包含上层和下层的多个层叠式膜；测量部分，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度；接口，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度；和运算单元，其可操作，以基于所述期望厚度和用于所述上层与用于所述下层的抛光速度之比或者基于所述测量部分的信号来计算用于所述多个层叠式膜中的至少一个的抛光速度和最佳抛光时间。还公开了一种抛光方法。
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公开(公告)号：CN100548577C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200680002848.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供了一种用于优化抛光轮廓的抛光装置，其除了抛光量外还考虑到甚至如将被抛光的物体表面的温度以及抛光垫厚度这些参数。在控制单元CU的控制下抛光将被抛光的物体的抛光装置具有至少两个压紧部分，并且包括能够从每个所述压紧部分对将被抛光的物体施加任意压力的顶环，用于测量将被抛光的物体的抛光量的测量装置IM，以及监控将被抛光的物体的抛光条件的监控装置SM。控制单元CU根据一个模拟程序迫使抛光装置抛光将被抛光的物体，所述模拟程序基于所述测量装置的输出和所述监控装置的输出对所述顶环设定优化将被抛光的物体的抛光轮廓所需的加工压力。
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公开(公告)号：CN101107097A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680002848.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供了一种用于优化抛光轮廓的抛光装置，其除了抛光量外还考虑到甚至如将被抛光的物体表面的温度以及抛光垫厚度这些参数。在控制单元CU的控制下抛光将被抛光的物体的抛光装置具有至少两个压紧部分，并且包括能够从每个所述压紧部分对将被抛光的物体施加任意压力的顶环，用于测量将被抛光的物体的抛光量的测量装置IM，以及监控将被抛光的物体的抛光条件的监控装置SM。控制单元CU根据一个模拟程序迫使抛光装置抛光将被抛光的物体，所述模拟程序基于所述测量装置的输出和所述监控装置的输出对所述顶环设定优化将被抛光的物体的抛光轮廓所需的加工压力。
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