公开(公告)号：CN1533595A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN03800709.6

申请日：2003-02-20

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  花王株式会社

Inventor： 和田雄高 ,  赤朝彦 ,  佐佐木达也 ,  萩原敏也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B7/228 ,  B24B37/04 ,  B24B37/044 ,  B24B49/12 ,  B24B53/02 ,  C09G1/00 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及利用固定磨粒研磨半导体晶片等研磨对象物的抛光方法及研磨液。本发明的抛光方法，将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨，其特征在于，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物。

公开(公告)号：CN100347827C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN03800709.6

申请日：2003-02-20

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  花王株式会社

Inventor： 和田雄高 ,  赤朝彦 ,  佐佐木达也 ,  萩原敏也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B7/228 ,  B24B37/04 ,  B24B37/044 ,  B24B49/12 ,  B24B53/02 ,  C09G1/00 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及利用固定磨粒研磨半导体晶片等研磨对象物的抛光方法及研磨液。本发明的抛光方法，将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨，其特征在于，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物，上述研磨液的pH为4至6.5，上述研磨液中的阴离子系界面活性剂的浓度为0.001重量%至0.15重量%。