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公开(公告)号：CN1150355C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN00806873.9
申请日：2000-04-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C30B15/30 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B29/60 , Y10S117/911 , Y10T117/1044 , Y10T117/1072
Abstract: 一种用于提拉晶体的方法，其能在开始晶体生长时将晶种准确地下降至熔融液体的指定位置并在生长开始时连续地提拉该晶体，和一种用于该方法的装置。用于连续提拉晶体的该装置的特征在于：包括：一用于垂直方向提拉晶种和在该晶种末端生长的带状晶体的直线提拉装置(30)，一用于夹持并连续提拉所述带状晶体的提拉机构(40)，一用于在通过提拉装置(30)提拉的晶种通过提拉机构(40)之后转换成由所述提拉机构(40)连续提拉的转换机构和一用于切断晶种(12)和带状晶体(16)的切割机构(39)。
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公开(公告)号：CN1273651C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN02107413.5
申请日：2002-03-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/002 , C30B15/34 , Y10T117/10 , Y10T117/1004
Abstract: 一种使用一对环带从坩埚中连续地抽拉半导体晶体条的设备，该设备具有用于自动调整半导体晶体条的横向位置的位置控制装置。该位置控制装置被放置在用于从坩埚中抽拉半导体晶体条的路径中。该位置控制装置包括一对挡块，这对挡块分别横向位于所述半导体晶体条的所述路径的两侧上，并且可相对所述半导体晶体条横向移动，还包括一对分别安装在所述挡块上的位置传感器，这对传感器用于检测所述半导体晶体条的每个边缘。所述挡块具有各自的侧表面，用于通过接触半导体晶体条的两个边缘调节半导体晶体条的抽拉方向。
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公开(公告)号：CN1382840A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02107413.5
申请日：2002-03-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/002 , C30B15/34 , Y10T117/10 , Y10T117/1004
Abstract: 一种使用一对环带从坩埚中连续地抽拉半导体晶体条的设备,该设备具有用于自动调整半导体晶体条的横向位置的位置控制装置。该位置控制装置被放置在用于从坩埚中抽拉半导体晶体条的路径中。该位置控制装置包括一对挡块,这对挡块分别横向位于所述半导体晶体条的所述路径的两侧上,并且可相对所述半导体晶体条横向移动,还包括一对分别安装在所述挡块上的位置传感器,这对传感器用于检测所述半导体晶体条的每个边缘。所述挡块具有各自的侧表面,用于通过接触半导体晶体条的两个边缘调节半导体晶体条的抽拉方向。
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公开(公告)号：CN1349569A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN00806873.9
申请日：2000-04-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C30B15/30
CPC classification number: C30B15/30 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B29/60 , Y10S117/911 , Y10T117/1044 , Y10T117/1072
Abstract: 一种用于提拉晶体的方法,其能在开始晶体生长时将晶种准确地下降至熔融液体的指定位置并在生长开始时连续地提拉该晶体,和一种用于该方法的装置。用于连续提拉晶体的该装置的特征在于:包括:一用于垂直方向提拉晶种和在该晶种末端生长的带状晶体的直线提拉装置(30),一用于夹持并连续提拉所述带状晶体的提拉机构(40),一用于在通过提拉装置(30)提拉的晶种通过提拉机构(40)之后转换成由所述提拉机构(40)连续提拉的转换机构和一用于切断晶种(12)和带状晶体(16)的切割机构(39)。
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