公开(公告)号：CN1349569A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN00806873.9

申请日：2000-04-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 藤田健太郎 ,  寺尾健二 ,  矶崎秀之 ,  佐藤岩

IPC: C30B15/30

CPC classification number: C30B15/30 ,  C30B15/00 ,  C30B15/002 ,  C30B29/60 ,  Y10S117/911 ,  Y10T117/1044 ,  Y10T117/1072

Abstract: 一种用于提拉晶体的方法,其能在开始晶体生长时将晶种准确地下降至熔融液体的指定位置并在生长开始时连续地提拉该晶体,和一种用于该方法的装置。用于连续提拉晶体的该装置的特征在于:包括:一用于垂直方向提拉晶种和在该晶种末端生长的带状晶体的直线提拉装置(30),一用于夹持并连续提拉所述带状晶体的提拉机构(40),一用于在通过提拉装置(30)提拉的晶种通过提拉机构(40)之后转换成由所述提拉机构(40)连续提拉的转换机构和一用于切断晶种(12)和带状晶体(16)的切割机构(39)。

公开(公告)号：CN1150355C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN00806873.9

申请日：2000-04-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 藤田健太郎 ,  寺尾健二 ,  矶崎秀之 ,  佐藤岩

IPC: C30B15/30 ,  C30B29/64 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/30 ,  C30B15/00 ,  C30B15/002 ,  C30B29/60 ,  Y10S117/911 ,  Y10T117/1044 ,  Y10T117/1072

Abstract: 一种用于提拉晶体的方法，其能在开始晶体生长时将晶种准确地下降至熔融液体的指定位置并在生长开始时连续地提拉该晶体，和一种用于该方法的装置。用于连续提拉晶体的该装置的特征在于：包括：一用于垂直方向提拉晶种和在该晶种末端生长的带状晶体的直线提拉装置(30)，一用于夹持并连续提拉所述带状晶体的提拉机构(40)，一用于在通过提拉装置(30)提拉的晶种通过提拉机构(40)之后转换成由所述提拉机构(40)连续提拉的转换机构和一用于切断晶种(12)和带状晶体(16)的切割机构(39)。

公开(公告)号：CN1369919A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN02103590.3

申请日：2002-02-07

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 江本真树子 ,  藤田健太郎 ,  柴田明夫 ,  横田洋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/3063 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 使半导体晶体衬底的一个正面与含有氟化物的电解液接触,将一个电极放置于该电解液中,在该电极和半导体晶体衬底之间通过电流,向该半导体晶体衬底施加光以生成数对空穴和电子。通过使空穴与离子在与该电解液接触的半导体晶体衬底的正面内结合来蚀刻半导体晶体衬底,从而在其上形成至少一个表面不规则性结构。