热动式流量传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1752721A

    公开(公告)日:2006-03-29

    申请号:CN200510099424.9

    申请日:2005-08-31

    CPC classification number: G01F1/6845

    Abstract: 在一种热动式流量传感器中,模制材料(50)被成型以一体地覆盖预定范围,以使流量检测芯片的一部分暴露于测量流体,其中该预定范围包括电路芯片(20)、流量检测芯片(10)和电路芯片(20)与连接线(60)的连接部分、和以及电路芯片和导线部分(30)与连接线(61)的连接部分。流量检测芯片位于支承元件的槽部(41)中,以与槽部形成一个间隙(42)并在检测芯片(10)的薄壁部分(12)中形成腔部。该腔部通过包括间隙(42)的连通部分而与外部相通,且间隙(42)至少在位于预定范围内的部分处被填料(44)堵塞。因此,填料(44)可防止模制材料在模制成型时进入间隙。

    半导体力学量传感器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1201137C

    公开(公告)日:2005-05-11

    申请号:CN03147425.X

    申请日:2003-07-10

    CPC classification number: G01L9/0052 G01L9/0055

    Abstract: 一种半导体力学量传感器(1)包括:支承部(2)、粘合剂(4)、和传感器芯片(5)。所述粘合剂(4)位于支承部(2)的一个表面上。传感器芯片(5)位于粘合剂(4)上。通过加热所述粘合剂(4)将传感器芯片(5)和支承部(2)粘合在一起。为了减小由于粘合剂(4)的硬化收缩而产生的应力,在粘合剂(4)被加热以将传感器芯片(5)和支承部(2)粘合在一起的温度下,粘合剂(4)的变形率为0.5%或更小。

    压电元件、压电装置及压电元件的制造方法

    公开(公告)号:CN116784020A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202280012733.X

    申请日:2022-02-01

    Abstract: 压电元件包括:支承体(10);以及振动部(20),其配置在支承体(10)上,设为包括压电膜(50)和与压电膜(50)连接来取出因压电膜(50)发生变形而产生的电荷的电极膜(60)的结构,振动部(20)具有由支承体(10)支承的支承区域(21a)和与支承区域(21a)相连且从支承体(10)悬浮的振动区域(22),基于电荷来输出压力检测信号。并且,在振动区域(22)从支承区域(21a)侧朝向振动区域(22)的中心部(C)形成有多个狭缝,并且振动区域(22)成为相对于支承区域(21a)而被两端支承的状态。

    热动式流量传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1752721B

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200510099424.9

    申请日:2005-08-31

    CPC classification number: G01F1/6845

    Abstract: 在一种热动式流量传感器中,模制材料(50)被成型以一体地覆盖预定范围,以使流量检测芯片的一部分暴露于测量流体,其中该预定范围包括电路芯片(20)、流量检测芯片(10)和电路芯片(20)与连接线(60)的连接部分、和以及电路芯片和导线部分(30)与连接线(61)的连接部分。流量检测芯片位于支承元件的槽部(41)中,以与槽部形成一个间隙(42)并在检测芯片(10)的薄壁部分(12)中形成腔部。该腔部通过包括间隙(42)的连通部分而与外部相通,且间隙(42)至少在位于预定范围内的部分处被填料(44)堵塞。因此,填料(44)可防止模制材料在模制成型时进入间隙。

    半导体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN109562545B

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN201780047395.2

    申请日:2017-06-15

    Inventor: 田中昌明

    Abstract: 在半导体传感器的制造方法中,上模(220)在壁面(225)中的与半导体芯片(120)的侧面(122)对置的部分中最靠第2空间部(240)侧的位置具有以夹着半导体芯片(120)的方式突出的一对凸部(224)。利用一对凸部(224)使半导体芯片(120)的侧面(122)与上模(220)的间隙(231)的间隔变窄,从而能够使从第1空间部(230)向第2空间部(240)的树脂材料(143)的流动阻滞。由此,与第2空间部(240)相比先向第1空间部(230)填充树脂材料(143),在使膜(300)中的与第1空间部(230)对应的部分的整体密接于上模(220)之后,向第2空间部(240)填充树脂材料(143)。

    半导体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN109562545A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201780047395.2

    申请日:2017-06-15

    Inventor: 田中昌明

    Abstract: 在半导体传感器的制造方法中,上模(220)在壁面(225)中的与半导体芯片(120)的侧面(122)对置的部分中最靠第2空间部(240)侧的位置具有以夹着半导体芯片(120)的方式突出的一对凸部(224)。利用一对凸部(224)使半导体芯片(120)的侧面(122)与上模(220)的间隙(231)的间隔变窄,从而能够使从第1空间部(230)向第2空间部(240)的树脂材料(143)的流动阻滞。由此,与第2空间部(240)相比先向第1空间部(230)填充树脂材料(143),在使膜(300)中的与第1空间部(230)对应的部分的整体密接于上模(220)之后,向第2空间部(240)填充树脂材料(143)。

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