半导体器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103915399A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410040133.1

    申请日:2014-01-07

    Abstract: 一种半导体器件(1),包括半导体衬底(5)、层间绝缘膜(10)、多个布线层(12a、12b和12c)、第一硬质膜(20a)和电气焊盘(30)。半导体衬底(5)具有半导体元件(50)。层间绝缘膜(10)布置在半导体衬底(5)上方。多个布线层(12a、12b、12c)布置在层间绝缘膜(10)中。第一硬质膜(20a)布置在层间绝缘膜(10)上方,且第一硬质膜(20a)比层间绝缘膜(10)更坚硬。电气焊盘(30)布置在第一硬质膜(20a)上方,且电气焊盘(30)用于外部连接。电气焊盘(30)包括下层焊盘(30a)、上层焊盘(30b)和第二硬质膜(32)。

    半导体器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103915399B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201410040133.1

    申请日:2014-01-07

    Abstract: 一种半导体器件(1),包括半导体衬底(5)、层间绝缘膜(10)、多个布线层(12a、12b和12c)、第一硬质膜(20a)和电气焊盘(30)。半导体衬底(5)具有半导体元件(50)。层间绝缘膜(10)布置在半导体衬底(5)上方。多个布线层(12a、12b、12c)布置在层间绝缘膜(10)中。第一硬质膜(20a)布置在层间绝缘膜(10)上方,且第一硬质膜(20a)比层间绝缘膜(10)更坚硬。电气焊盘(30)布置在第一硬质膜(20a)上方,且电气焊盘(30)用于外部连接。电气焊盘(30)包括下层焊盘(30a)、上层焊盘(30b)和第二硬质膜(32)。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN113767478B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202080030293.1

    申请日:2020-04-22

    Abstract: 屏蔽电极(7)延伸设置至比栅极电极层(8)的顶端部靠外侧,除了该屏蔽电极与栅极电极层的底面之间以外、还在与栅极电极层的顶端部之间形成中间绝缘膜(9)。此外,在一个方向上,从栅极电极层的顶端部到屏蔽电极之间发挥绝缘功能的部分的距离即有效绝缘距离(Li)大于中间绝缘膜中的位于栅极电极层的底部的部分的厚度(Tb)。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN113767478A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202080030293.1

    申请日:2020-04-22

    Abstract: 屏蔽电极(7)延伸设置至比栅极电极层(8)的顶端部靠外侧,除了该屏蔽电极与栅极电极层的底面之间以外、还在与栅极电极层的顶端部之间形成中间绝缘膜(9)。此外,在一个方向上,从栅极电极层的顶端部到屏蔽电极之间发挥绝缘功能的部分的距离即有效绝缘距离(Li)大于中间绝缘膜中的位于栅极电极层的底部的部分的厚度(Tb)。

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