半导体器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103915399A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410040133.1

    申请日:2014-01-07

    Abstract: 一种半导体器件(1),包括半导体衬底(5)、层间绝缘膜(10)、多个布线层(12a、12b和12c)、第一硬质膜(20a)和电气焊盘(30)。半导体衬底(5)具有半导体元件(50)。层间绝缘膜(10)布置在半导体衬底(5)上方。多个布线层(12a、12b、12c)布置在层间绝缘膜(10)中。第一硬质膜(20a)布置在层间绝缘膜(10)上方,且第一硬质膜(20a)比层间绝缘膜(10)更坚硬。电气焊盘(30)布置在第一硬质膜(20a)上方,且电气焊盘(30)用于外部连接。电气焊盘(30)包括下层焊盘(30a)、上层焊盘(30b)和第二硬质膜(32)。

    半导体器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103915399B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201410040133.1

    申请日:2014-01-07

    Abstract: 一种半导体器件(1),包括半导体衬底(5)、层间绝缘膜(10)、多个布线层(12a、12b和12c)、第一硬质膜(20a)和电气焊盘(30)。半导体衬底(5)具有半导体元件(50)。层间绝缘膜(10)布置在半导体衬底(5)上方。多个布线层(12a、12b、12c)布置在层间绝缘膜(10)中。第一硬质膜(20a)布置在层间绝缘膜(10)上方,且第一硬质膜(20a)比层间绝缘膜(10)更坚硬。电气焊盘(30)布置在第一硬质膜(20a)上方,且电气焊盘(30)用于外部连接。电气焊盘(30)包括下层焊盘(30a)、上层焊盘(30b)和第二硬质膜(32)。

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