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公开(公告)号:CN101784693A
公开(公告)日:2010-07-21
申请号:CN200880103599.4
申请日:2008-08-18
CPC classification number: C23C14/352 , C03C17/2453 , C03C2217/231 , C03C2217/948 , C03C2218/155 , C03C2218/156
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由处理基板的充电所引起的异常放电的发生,能够对大面积的处理基板形成良好薄膜的溅射方法。向在溅射室(12)内与处理基板(S)相对并且以规定间隔并列设置的多片靶(41a)至(41h)中各成对的靶施加电力,并按照规定的频率交替改变极性,将各个靶交替转换为阳极电极、阴极电极,在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电,形成等离子体气氛,对各个靶进行溅射。在溅射中间歇地停止向各个靶施加电力。
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公开(公告)号:CN104025278A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201280064260.4
申请日:2012-12-20
IPC: H01L21/677 , C23C14/00 , C23C14/56 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/54 , H01L21/67017 , H01L21/67201
Abstract: 装载闭锁装置(1)具备:装载闭锁室(4),其构成为内部能被真空排气,收纳处理对象物(S);支撑台(13),其收纳于装载闭锁室(4)的内部,支撑处理对象物(S);以及慢速通气单元(15),其设置于装载闭锁室(4),向处于真空状态的装载闭锁室(4)的内部供应通气气体,使装载闭锁室(4)的内部切换为大气压状态。慢速通气单元(15)相对于支撑台(13)左右对称地配置。
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公开(公告)号:CN103882402B
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201410146888.X
申请日:2008-11-26
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/568 , H01L21/67276 , H01L21/67745
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置(1),其串联连接多个对于被处理基板(S)进行规定处理的处理室,其中,在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路(15)、和相对于第一基板输送路(15)并排设置且输送基板并同时进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路(16),并且,在多个处理室中至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路间使基板移动的输送路变更构件(17)。
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公开(公告)号:CN103459653A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201180069851.6
申请日:2011-11-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3435
Abstract: 该阴极单元(220)用于成膜装置(200),包括:多个靶(C1、C2、C3),设置在成膜空间(50)内,并具有背板(204)、第一母材(205)、第二母材(206)和旋转轴(207),所述背板具有第一主面(204a)、第二主面(204b)、第一侧面(211)及第二侧面(212),多个旋转轴(207)以相互平行地排列的方式配置在同一平面内;多个控制部(E1、E2、E3),使所述旋转轴(207)旋转,并对所述靶(C1、C2、C3)施加用于溅射的电压;多个磁场生成部(H1、H2、H3),设置在靠近所述背板(204)的远离所述成膜空间(50)的表面的位置,使得在所述背板(204)的靠近所述成膜空间(50)的表面生成特定的分布磁场。
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公开(公告)号:CN103329257A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201180065526.2
申请日:2011-10-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , B65G49/06 , C23C14/50
CPC classification number: B65G49/063 , B65G49/061 , B65G2249/02 , C23C14/50 , C23C14/56 , H01L21/67706 , H01L21/67709 , H01L21/67712 , H01L21/6776
Abstract: 一种被处理体的运送机构具备:运送部件,在下部具备圆柱状的滑动轴并运送被处理体;支撑部件,由具备与所述滑动轴相接并引导所述运送部件的U字状的槽部的多个辊构成,在所述被处理体的运送机构中,所述滑动轴及所述辊中一方的至少接触部由包括硅、铝、氧及氮的块体构成,所述滑动轴及所述辊中另一方的至少接触部由不锈钢构成。
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公开(公告)号:CN103283011A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201180062688.0
申请日:2011-10-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , B65G49/06
CPC classification number: H01L21/67706 , B65G49/061 , B65G49/063 , B65G2249/02 , H01L21/67709 , H01L21/67718
Abstract: 一种成膜装置,具备:L/UL室;H室,与L/UL室连通;SP室,与H室连通,并且被分割为独立的第一空间和第二空间;成膜单元,分别配置在第一空间及第二空间中;真空排气装置,独立设置在L/UL室、H室、第一空间及第二空间中,并用于分别真空排气这些的内部;四条线路,由贯通L/UL室及H室,并配置在第一空间及第二空间中的各去路和回路构成;运送装置,将被处理体沿着去路或回路运送;以及移动机构,在第一空间及第二空间的内部,将运送装置从去路向回路移动。
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公开(公告)号:CN1572900A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410045720.6
申请日:2004-05-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/086 , C23C14/352 , H01J37/3455
Abstract: 在本发明中,当靶(15)被溅射时,由于各个靶(15)相对基板(10)移动,溅射时基板(10)的全部区域变为都与靶(15)相对,可在基板(10)的表面上形成膜质均匀的膜。另外,在溅射时,由于不仅靶(15)相对基板(10)移动,磁场形成装置(25)也相对靶(15)移动,因此靶(15)的很宽区域被溅射。进而,如果使磁场形成装置(25)也相对基板(10)移动,则靶(15)就变为大部分被溅射的区域相对基板(10)移动,以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均匀。
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公开(公告)号:CN1414134A
公开(公告)日:2003-04-30
申请号:CN02147047.2
申请日:2002-10-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
Abstract: 提供连续进行溅射处理的技术。在使处理室内的保持板12处于竖立姿势,溅射靶26地在保持于保持板12上的基板5a的表面上形成薄膜,在此过程中,使未处理的基板5b承载于在输送室内的基板输送机械手的手43上,使输送室内压力与处理室内压力变成一样并把基板5b送入处理室中,并将基板承载于处于水平姿势的保持板11上。由于在溅射中在处理室中送入未处理的基板,所以送入时间没有白白浪费掉。
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公开(公告)号:CN104025278B
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201280064260.4
申请日:2012-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/677 , C23C14/00 , C23C14/56 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/54 , H01L21/67017 , H01L21/67201
Abstract: 装载闭锁装置(1)具备:装载闭锁室(4),其构成为内部能被真空排气,收纳处理对象物(S);支撑台(13),其收纳于装载闭锁室(4)的内部,支撑处理对象物(S);以及慢速通气单元(15),其设置于装载闭锁室(4),向处于真空状态的装载闭锁室(4)的内部供应通气气体,使装载闭锁室(4)的内部切换为大气压状态。慢速通气单元(15)相对于支撑台(13)左右对称地配置。
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公开(公告)号:CN105671500B
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201610219410.4
申请日:2011-11-21
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明公开了一种阴极单元,该阴极单元(220)用于成膜装置(200),包括:多个靶(C1、C2、C3),设置在成膜空间(50)内,并具有背板(204)、第一母材(205)、第二母材(206)和旋转轴(207),所述背板具有第一主面(204a)、第二主面(204b)、第一侧面(211)及第二侧面(212),多个旋转轴(207)以相互平行地排列的方式配置在同一平面内;多个控制部(E1、E2、E3),使所述旋转轴(207)旋转,并对所述靶(C1、C2、C3)施加用于溅射的电压;多个磁场生成部(H1、H2、H3),设置在靠近所述背板(204)的远离所述成膜空间(50)的表面的位置,使得在所述背板(204)的靠近所述成膜空间(50)的表面生成特定的分布磁场。
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