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公开(公告)号:CN101784693A
公开(公告)日:2010-07-21
申请号:CN200880103599.4
申请日:2008-08-18
CPC classification number: C23C14/352 , C03C17/2453 , C03C2217/231 , C03C2217/948 , C03C2218/155 , C03C2218/156
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由处理基板的充电所引起的异常放电的发生,能够对大面积的处理基板形成良好薄膜的溅射方法。向在溅射室(12)内与处理基板(S)相对并且以规定间隔并列设置的多片靶(41a)至(41h)中各成对的靶施加电力,并按照规定的频率交替改变极性,将各个靶交替转换为阳极电极、阴极电极,在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电,形成等离子体气氛,对各个靶进行溅射。在溅射中间歇地停止向各个靶施加电力。
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公开(公告)号:CN101225505A
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN200810001390.9
申请日:2008-01-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 川口昌男
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种即使使用热膨胀大的玻璃基板也能够抑制成膜范围减少的基板保持台和使用该基板保持台的成膜方法。当在玻璃基板(2)表面形成薄膜时将玻璃基板(2)保持为立起状态的基板保持台(7)中,包括具有规定的间隙以进行玻璃基板(2)的宽度方向的定位的左侧支撑部(22)和右侧支撑部(23),在这些左侧支撑部(22)和右侧支撑部(23)上,分别以与玻璃基板(2)的左右端部重叠的方式设置有使玻璃基板(2)不倒下的爪部(22a、23a),并且,在左侧支撑部(22)和右侧支撑部(23)中,玻璃基板(2)被偏置到的左侧支撑部(22)具有的爪部(22a)的长度设定为比右侧支撑部(23)具有的爪部(23a)的长度短。
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公开(公告)号:CN101225505B
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200810001390.9
申请日:2008-01-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 川口昌男
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种即使使用热膨胀大的玻璃基板也能够抑制成膜范围减少的基板保持台和使用该基板保持台的成膜方法。当在玻璃基板(2)表面形成薄膜时将玻璃基板(2)保持为立起状态的基板保持台(7)中,包括具有规定的间隙以进行玻璃基板(2)的宽度方向的定位的左侧支撑部(22)和右侧支撑部(23),在这些左侧支撑部(22)和右侧支撑部(23)上,分别以与玻璃基板(2)的左右端部重叠的方式设置有使玻璃基板(2)不倒下的爪部(22a、23a),并且,在左侧支撑部(22)和右侧支撑部(23)中,玻璃基板(2)被偏置到的左侧支撑部(22)具有的爪部(22a)的长度设定为比右侧支撑部(23)具有的爪部(23a)的长度短。
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