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公开(公告)号：CN104919548A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380064836.1
申请日：2013-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 冈田佳子
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F1/01 , H01F1/36 , H01F3/14 , H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F41/04 , H01F41/046 , H01F2027/2809
Abstract: 本发明提供能够使用低廉的铜作为内部导体且直流叠加特性优异的层叠线圈部件。该层叠线圈部件具有由铁氧体材料构成的磁体部、由非磁性铁氧体材料构成的非磁体部和埋设在它们内部的线圈状的以铜为主成分的导体部，使非磁体部至少含有Fe、Mn和Zn，任意含有Cu，将Fe的含量换算成Fe2O3为40.0mol％～48.5mol％，将Mn的含量换算成Mn2O3为0.5mol％～9mol％，将Cu的含量换算成CuO为8mol％以下。
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公开(公告)号：CN101911849B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200880124632.1
申请日：2008-12-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K3/321 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K1/183 , H05K3/0014 , H05K3/1291 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K3/4697 , H05K2203/1126 , H05K2203/1453 , H05K2203/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种陶瓷电子元器件的制造方法及陶瓷电子元器件。所述陶瓷电子元器件的制造方法不需要进行使用焊料、导电性粘接剂等接合材料的安装工序就能安装片型电子元器件，能够高效地制造装载有片型电子元器件的陶瓷电子元器件。在包含有具有表面导体(21)的基材层(20)和具有过孔导体(10a)的约束层(31)的未烧成层叠体(32)上，以片型电子元器件(11)的端子电极(13)与过孔导体(10)接触的方式装载片型电子元器件(11)，在该状态下对未烧成层叠体进行烧成，从而使基材层的表面导体和过孔导体、及片型电子元器件的端子电极和过孔导体分别通过烧结来固接，表面导体和端子电极成为通过过孔导体进行电连接的状态。
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公开(公告)号：CN104919548B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201380064836.1
申请日：2013-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 冈田佳子
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F1/01 , H01F1/36 , H01F3/14 , H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F41/04 , H01F41/046 , H01F2027/2809
Abstract: 本发明提供能够使用低廉的铜作为内部导体且直流叠加特性优异的层叠线圈部件。该层叠线圈部件具有由铁氧体材料构成的磁体部、由非磁性铁氧体材料构成的非磁体部和埋设在它们内部的线圈状的以铜为主成分的导体部，使非磁体部至少含有Fe、Mn和Zn，任意含有Cu，将Fe的含量换算成Fe2O3为40.0mol％～48.5mol％，将Mn的含量换算成Mn2O3为0.5mol％～9mol％，将Cu的含量换算成CuO为8mol％以下。
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公开(公告)号：CN107077948A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060001.8
申请日：2015-11-04
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F1/14733 , H01F1/344 , H01F17/0013 , H01F27/245 , H01F27/255 , H01F27/2804 , H01F2017/0093 , H01F2027/2809
Abstract: 本发明提供一种层叠线圈部件，所述层叠线圈部件具有含有Fe、Zn、V和Ni并且可进一步含有Mn和/或Cu的磁性体部和含有铜的线圈状的导体部，其特征在于，在磁性体部，相对于换算成Fe2O3的Fe含量、换算成ZnO的Zn含量、换算成V2O5的V含量和换算成NiO的Ni含量以及存在Cu、Mn时换算成CuO的Cu含量和换算成Mn2O3的Mn含量的合计，Fe的含量换算成Fe2O3为34.0～48.5mol％，Zn的含量换算成ZnO为6.0～45.0mol％，Mn的含量换算成Mn2O3为0～7.5mol％，Cu的含量换算成CuO为0～5.0mol％，V的含量换算成V2O5为0.5～5.0mol％。本发明的层叠线圈部件可以使用铜作为内部导体，即使以工业规模大量生产时电阻率的波动也少。
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公开(公告)号：CN103764592B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201280042466.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/0013 , B32B18/00 , C04B35/265 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3265 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/96 , C04B2237/06 , C04B2237/68 , H01B3/12 , H01F1/344 , H01F17/0033 , H01F27/2804 , H01F27/292 , H01F41/041 , H01F41/046 , H05K3/0058 , Y10T29/49155
Abstract: 线圈导体（4）和与该线圈导体（4）分开配置的贯通电极（9）埋设在磁性体层（1）中。磁性体层（1）被一对非磁性体层（2）、（3）夹持。线圈导体（4）和贯通电极（9）由以Cu为主成分的导电性材料形成，磁性体层（1）由Ni-Mn-Zn系铁氧体形成，该Ni-Mn-Zn系铁氧体中，CuO的摩尔含量为5mol%以下，将Fe2O3的摩尔含量x、Mn2O3的摩尔含量y用（x，y）表示时，（x，y）在A（25，1）、B（47，1）、C（47，7.5）、D（45，7.5）、E（45，10）、F（35，10）、G（35，7.5）以及H（25，7.5）的范围内。由此即便与以Cu为主成分的导电性材料同时煅烧，也能够实现确保绝缘性且得到良好的电特性、具有高可靠性并能小型化的陶瓷多层基板等陶瓷电子部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103764592A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042466.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/0013 , B32B18/00 , C04B35/265 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3265 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/96 , C04B2237/06 , C04B2237/68 , H01B3/12 , H01F1/344 , H01F17/0033 , H01F27/2804 , H01F27/292 , H01F41/041 , H01F41/046 , H05K3/0058 , Y10T29/49155
Abstract: 线圈导体（4）和与该线圈导体（4）分开配置的贯通电极（9）埋设在磁性体层（1）中。磁性体层（1）被一对非磁性体层（2）、（3）夹持。线圈导体（4）和贯通电极（9）由以Cu为主成分的导电性材料形成，磁性体层（1）由Ni-Mn-Zn系铁氧体形成，该Ni-Mn-Zn系铁氧体中，CuO的摩尔含量为5mol%以下，将Fe2O3的摩尔含量x、Mn2O3的摩尔含量y用（x，y）表示时，（x，y）在A（25，1）、B（47，1）、C（47，7.5）、D（45，7.5）、E（45，10）、F（35，10）、G（35，7.5）以及H（25，7.5）的范围内。由此即便与以Cu为主成分的导电性材料同时煅烧，也能够实现确保绝缘性且得到良好的电特性、具有高可靠性并能小型化的陶瓷多层基板等陶瓷电子部件。
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公开(公告)号：CN101911849A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124632.1
申请日：2008-12-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K3/321 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K1/183 , H05K3/0014 , H05K3/1291 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K3/4697 , H05K2203/1126 , H05K2203/1453 , H05K2203/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种陶瓷电子元器件的制造方法及陶瓷电子元器件。所述陶瓷电子元器件的制造方法不需要进行使用焊料、导电性粘接剂等接合材料的安装工序就能安装片型电子元器件，能够高效地制造装载有片型电子元器件的陶瓷电子元器件。在包含有具有表面导体(21)的基材层(20)和具有过孔导体(10a)的约束层(31)的未烧成层叠体(32)上，以片型电子元器件(11)的端子电极(13)与过孔导体(10)接触的方式装载片型电子元器件(11)，在该状态下对未烧成层叠体进行烧成，从而使基材层的表面导体和过孔导体、及片型电子元器件的端子电极和过孔导体分别通过烧结来固接，表面导体和端子电极成为通过过孔导体进行电连接的状态。
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公开(公告)号：CN107077949A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060013.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 冈田佳子
CPC classification number: H01F1/34 , B32B18/00 , C04B35/26 , C04B35/265 , C04B35/2658 , C04B35/2666 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3239 , C04B2235/3265 , C04B2235/3268 , C04B2235/3274 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3284 , C04B2235/6025 , C04B2235/612 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , C04B2235/6588 , C04B2235/96 , C04B2237/34 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01F1/344 , H01F3/14 , H01F17/0013 , H01F27/245 , H01F27/2804 , H01F27/292 , H01F2027/2809
Abstract: 本发明提供一种层叠线圈部件，其特征在于，是具有由铁氧体材料构成的磁性体部、由非磁性铁氧体材料构成的非磁性体部以及埋设于它们的内部的线圈状的导体部的层叠线圈部件，其中，上述非磁性体部相对于换算成Fe2O3的Fe含量、换算成ZnO的Zn含量和换算成V2O5的V含量以及存在的情况下的换算成CuO的Cu含量和换算成Mn2O3的Mn含量的合计，Fe的含量换算成Fe2O3为36.0～48.5mol％，Zn的含量换算成ZnO为46.0～57.5mol％，V的含量换算成V2O5为0.5～5.0mol％，Mn的含量换算成Mn2O3为0～7.5mol％，Cu的含量换算成CuO为0～5.0mol％。本发明的层叠线圈部件即使在低氧分压下烧制的情况下电阻率也高。
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公开(公告)号：CN101909837B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200880124615.8
申请日：2008-12-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K3/4611 , B32B18/00 , C04B35/63 , C04B2235/6583 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2237/32 , C04B2237/56 , H05K1/0306 , H05K3/1291 , H05K3/4629 , H05K2203/1126 , H05K2203/1476 , H05K2203/308
Abstract: 在烧成工序结束后的约束层的除去工序中不会对陶瓷成形体造成损伤，能可靠且高效地制造尺寸精度高的陶瓷成形体。将以在低氧气氛中烧成时不烧去、而在氧分压高于该低氧气氛的气氛中烧成时烧去的烧去材料为主要成分的第一约束层(31)设置成与基材层(A’)相接，在第一约束层上设置以在基材层的烧结温度下不烧结的陶瓷粉末为主要成分的第二约束层(32)，从而形成未烧成层叠体(33)，在第一烧成工序中，在烧去材料不会烧去的低氧气氛下进行约束烧成，在不会使基材层在平面方向上收缩的情况下使基材层烧结，然后在第二烧成工序中，在氧分压高于第一烧成工序的条件下进行烧成，使第一约束层烧去。
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公开(公告)号：CN101909837A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124615.8
申请日：2008-12-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K3/4611 , B32B18/00 , C04B35/63 , C04B2235/6583 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2237/32 , C04B2237/56 , H05K1/0306 , H05K3/1291 , H05K3/4629 , H05K2203/1126 , H05K2203/1476 , H05K2203/308
Abstract: 在烧成工序结束后的约束层的除去工序中不会对陶瓷成形体造成损伤，能可靠且高效地制造尺寸精度高的陶瓷成形体。将以在低氧气氛中烧成时不烧去、而在氧分压高于该低氧气氛的气氛中烧成时烧去的烧去材料为主要成分的第一约束层(31)设置成与基材层(A’)相接，在第一约束层上设置以在基材层的烧结温度下不烧结的陶瓷粉末为主要成分的第二约束层(32)，从而形成未烧成层叠体(33)，在第一烧成工序中，在烧去材料不会烧去的低氧气氛下进行约束烧成，在不会使基材层在平面方向上收缩的情况下使基材层烧结，然后在第二烧成工序中，在氧分压高于第一烧成工序的条件下进行烧成，使第一约束层烧去。
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