共模扼流线圈及其制造方法

    公开(公告)号:CN102982965A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210313755.8

    申请日:2012-08-29

    IPC分类号: H01F17/00 H01F41/00 C04B35/26

    摘要: 本发明提供一种共模扼流线圈,能够有效防止导体线圈间的迁移,且有效防止导体线圈的布线电阻上升和磁性层电阻率降低。是在第1磁性层上层叠有非磁性层和第2磁性层,非磁性层中包含2个对置的导体线圈的共模扼流线圈(10),其中,非磁性层(3)由烧结玻璃陶瓷构成,导体线圈(2、4)由含铜导体构成,第1磁性层(1)和第2磁性层(5)的至少一方由包含Fe2O3、Mn2O3、NiO、ZnO、CuO的烧结铁素体材料构成。该烧结铁素体材料中,CuO换算含量为5mol%以下,并且,Fe2O3换算含量为25~47mol%且Mn2O3换算含量为1~7.5mol%,或Fe2O3换算含量为35~45mol%且Mn2O3换算含量为7.5~10mol%。

    共模扼流线圈及其制造方法

    公开(公告)号:CN102982965B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201210313755.8

    申请日:2012-08-29

    IPC分类号: H01F17/00 H01F41/00 C04B35/26

    摘要: 本发明提供一种共模扼流线圈,能够有效防止导体线圈间的迁移,且有效防止导体线圈的布线电阻上升和磁性层电阻率降低。是在第1磁性层上层叠有非磁性层和第2磁性层,非磁性层中包含2个对置的导体线圈的共模扼流线圈(10),其中,非磁性层(3)由烧结玻璃陶瓷构成,导体线圈(2、4)由含铜导体构成,第1磁性层(1)和第2磁性层(5)的至少一方由包含Fe2O3、Mn2O3、NiO、ZnO、CuO的烧结铁素体材料构成。该烧结铁素体材料中,CuO换算含量为5mol%以下,并且,Fe2O3换算含量为25~47mol%且Mn2O3换算含量为1~7.5mol%,或Fe2O3换算含量为35~45mol%且Mn2O3换算含量为7.5~10mol%。