-
公开(公告)号：CN102460712A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080026144.4
申请日：2010-04-16
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: (1)公开了薄膜晶体管，其包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，薄膜晶体管的特征是沟道层由掺杂有钨和锌和/或锡的氧化铟膜形成。(2)公开了双极性薄膜晶体管，其包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，双极性薄膜晶体管的特征是沟道层是有机材料膜和金属氧化物膜的层叠体，金属氧化物膜包含掺杂有钨、锡和钛中的至少一种的铟且具有预先控制的电阻率。(3)公开了用于制造薄膜晶体管的方法，晶体管包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，制造薄膜晶体管的方法的特征是至少沟道层或沟道层的一部分是使用含铟靶材在不加热基板的情况下通过溅射处理形成金属氧化物膜而形成的，在基板上形成上述元件之后执行热处理。
-
公开(公告)号：CN103201217B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201180048892.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/027
CPC classification number: C01B33/021 , C01B33/025 , C01P2004/61
Abstract: 一种硅微粒的生产方法，其包括：在惰性气氛下焙烧包括硅源和碳源的混合物的焙烧步骤；将通过焙烧混合物而生成的气体急冷并用于获得包括硅微粒和硅氧化物的复合粉末的急冷步骤；在氧化气氛下加热复合粉末的加热步骤；和从加热的复合粉末中除去一氧化硅和二氧化硅的除去步骤。
-
公开(公告)号：CN103201217A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180048892.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/027
CPC classification number: C01B33/021 , C01B33/025 , C01P2004/61
Abstract: 一种硅微粒的生产方法，其包括：在惰性气氛下焙烧包括硅源和碳源的混合物的焙烧步骤；将通过焙烧混合物而生成的气体急冷并用于获得包括硅微粒和硅氧化物的复合粉末的急冷步骤；在氧化气氛下加热复合粉末的加热步骤；和从加热的复合粉末中除去一氧化硅和二氧化硅的除去步骤。
-
公开(公告)号：CN103975444A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280059996.2
申请日：2012-12-05
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/07 , H01L31/022425 , H01L31/0324 , H01L31/042 , H01L31/1828 , H01L31/186 , H01L51/0037 , H01L51/4233 , H01L51/426 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 该太阳能电池(1)由第一电极层(1C)、半导体层(1A)和第二电极层(1D)层叠而构成。第一电极层(1C)设置在半导体层(1A)的光入射面侧。第一电极层(1C)和半导体层(1A)经肖特基接合界面接合。第二电极层(1D)设置在半导体层(1A)的光入射面的对侧上。第二电极层(1D)和半导体层(1A)经欧姆接触接合。第一电极层(1C)包含可见光吸收材料。
-
公开(公告)号：CN101622714A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006112.0
申请日：2008-01-30
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969
Abstract: 薄膜晶体管，其设置有以下各元件：源电极、漏电极和栅电极三个电极；沟道层；和栅绝缘膜，其中至少所述沟道层由包括铟的金属氧化物膜制成。由此，可以获得薄膜晶体管，其可制造在高聚合物基材上的元件而不施加高温工艺，并且其能够以低成本实现高性能和高可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101622714B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880006112.0
申请日：2008-01-30
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969
Abstract: 薄膜晶体管，其设置有以下各元件：源电极、漏电极和栅电极三个电极；沟道层；和栅绝缘膜，其中至少所述沟道层由包括铟的金属氧化物膜制成。由此，可以获得薄膜晶体管，其可制造在高聚合物基材上的元件而不施加高温工艺，并且其能够以低成本实现高性能和高可靠性。
-
公开(公告)号：CN101142521B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200680008222.1
申请日：2006-03-14
Applicant: 株式会社普利司通
CPC classification number: G02F1/167 , G02F2001/1674 , Y10T428/25
Abstract: 本发明提供一种显示介质用粒子及使用该粒子的信息显示用面板，该信息显示用粒子用于在相对的两张基板之间封入至少一种以上的显示介质，对构成显示介质的显示介质施加电场而使显示介质移动来显示图像等信息的信息显示用面板，上述相对的基板中至少一张基板是透明的，在粒子表面配置具有半导体电特性的材料。根据本发明，由于使用由具有半导体电特性的粒子表面构成的粒子，因此可以稳定保持显示介质用粒子的表面电荷。结果，能够得到图像等信息显示状态稳定的信息显示用面板。
-
公开(公告)号：CN101142521A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200680008222.1
申请日：2006-03-14
Applicant: 株式会社普利司通
CPC classification number: G02F1/167 , G02F2001/1674 , Y10T428/25
Abstract: 本发明提供一种显示介质用粒子及使用该粒子的信息显示用面板，该信息显示用粒子用于在相对的两张基板之间封入至少一种以上的显示介质，对构成显示介质的显示介质施加电场而使显示介质移动来显示图像等信息的信息显示用面板，上述相对的基板中至少一张基板是透明的，在粒子表面配置具有半导体电特性的材料。根据本发明，由于使用由具有半导体电特性的粒子表面构成的粒子，因此可以稳定保持显示介质用粒子的表面电荷。结果，能够得到图像等信息显示状态稳定的信息显示用面板。
-
公开(公告)号：CN103097292B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201180043160.9
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/025
CPC classification number: B44C1/227 , C01B33/025 , C01B33/037
Abstract: 本发明的目的和课题在于，提供一种能够有效地制造粒径均一的硅微粒的硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法。并且，本发明的特征在于，通过在蚀刻溶液中浸渍硅颗粒、用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒，从而控制粒径、并且制造比所述硅颗粒的粒径更小的硅微粒。
-
公开(公告)号：CN102460822B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201080029668.9
申请日：2010-04-23
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2036 , H01G9/2045 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 半导体电极(10)具备配设于具有透光性的基板(11)的表面的透明电极(12)，在透明电极(12)中，在配设于基板(11)的表面的相反面配设金属氧化物层(13)，金属氧化物层(13)具有吸收透过基板(11)的光的波长中特定波长的硅微粒(15)和金属氧化物微粒(14)，硅微粒(15)配设在金属氧化物微粒(14)之间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.024 seconds)
