-
公开(公告)号：CN103097292B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201180043160.9
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/025
CPC classification number: B44C1/227 , C01B33/025 , C01B33/037
Abstract: 本发明的目的和课题在于，提供一种能够有效地制造粒径均一的硅微粒的硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法。并且，本发明的特征在于，通过在蚀刻溶液中浸渍硅颗粒、用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒，从而控制粒径、并且制造比所述硅颗粒的粒径更小的硅微粒。
-
公开(公告)号：CN103097292A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043160.9
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/025
CPC classification number: B44C1/227 , C01B33/025 , C01B33/037
Abstract: 本发明的目的和课题在于，提供一种能够有效地制造粒径均一的硅微粒的硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法。并且，本发明的特征在于，通过在蚀刻溶液中浸渍硅颗粒、用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒，从而控制粒径、并且制造比所述硅颗粒的粒径更小的硅微粒。
-
公开(公告)号：CN103201217B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201180048892.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/027
CPC classification number: C01B33/021 , C01B33/025 , C01P2004/61
Abstract: 一种硅微粒的生产方法，其包括：在惰性气氛下焙烧包括硅源和碳源的混合物的焙烧步骤；将通过焙烧混合物而生成的气体急冷并用于获得包括硅微粒和硅氧化物的复合粉末的急冷步骤；在氧化气氛下加热复合粉末的加热步骤；和从加热的复合粉末中除去一氧化硅和二氧化硅的除去步骤。
-
公开(公告)号：CN103201217A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180048892.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 株式会社普利司通
IPC: C01B33/027
CPC classification number: C01B33/021 , C01B33/025 , C01P2004/61
Abstract: 一种硅微粒的生产方法，其包括：在惰性气氛下焙烧包括硅源和碳源的混合物的焙烧步骤；将通过焙烧混合物而生成的气体急冷并用于获得包括硅微粒和硅氧化物的复合粉末的急冷步骤；在氧化气氛下加热复合粉末的加热步骤；和从加热的复合粉末中除去一氧化硅和二氧化硅的除去步骤。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.025 seconds)
