公开(公告)号：CN101197372B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710194577.0

申请日：2003-04-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  大谷美晴 ,  尾形洁 ,  铃木康道 ,  堀田胜彦

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层(100)的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和/或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和/或添加碳的氧化硅。使下层布线层的第二绝缘层的介电常数比上层布线层的第二绝缘层的介电常数小。

公开(公告)号：CN116745601A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202180090453.6

申请日：2021-11-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小林泰子 ,  田中顺 ,  神林琢也 ,  加贺祐介 ,  河野骏介 ,  北村光太郎 ,  宇田川万规子 ,  宫川浩树

IPC: G01N21/3554

Abstract: 含水率测量方法对于使用红外线测量装置测量脱水污泥而取得的红外线的反射率或反射光的吸光度进行一阶微分处理或者偏移校正后进行多变量回归分析，由此求出用于计算脱水污泥的含水率的校准曲线，并使用校准曲线计算脱水污泥的含水率，红外线测量装置将具有多个红外线LED且多个红外线LED分别能够发出不同波长的红外线的光源或者红外区域的钨灯或卤素灯作为光源，并具备能够接收从测量的对象物反射的至少红外线的受光部。

公开(公告)号：CN101197372A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710194577.0

申请日：2003-04-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  大谷美晴 ,  尾形洁 ,  铃木康道 ,  堀田胜彦

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层(100)的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和/或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和/或添加碳的氧化硅。使下层布线层的第二绝缘层的介电常数比上层布线层的第二绝缘层的介电常数小。

公开(公告)号：CN1452244A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03130796.5

申请日：2003-04-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  大谷美晴 ,  尾形洁 ,  铃木康道 ,  堀田胜彦

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层(100)的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和/或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和/或添加碳的氧化硅。使下层布线层的第二绝缘层的介电常数比上层布线层的第二绝缘层的介电常数小。

公开(公告)号：CN114502266A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080069855.3

申请日：2020-10-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  三泽智也 ,  加贺祐介 ,  与名本欣树

IPC: B01F29/62 ,  G01N21/27 ,  G01N15/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种缩短了直至混合完成为止的时间、提高了最终产品的生产率的粉体混合系统及粉体混合方法。为此，本发明提供一种粉体混合系统，其具有具备旋转轴并混合多种粉体的混合容器、经由所述旋转轴使所述混合容器旋转的旋转机、取得混合过程的粉体图像的图像拍摄装置以及计算机，其中，所述混合容器具有用于拍摄所述粉体图像的窗，所述计算机具有检测所述混合容器处于规定位置的功能，在所述规定位置时，所述图像拍摄装置经由所述混合容器的所述窗取得所述粉体图像，所述计算机基于所取得的所述粉体图像推定所述粉体的混合状态。

公开(公告)号：CN1441501A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN02130120.4

申请日：2002-08-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  大谷美晴 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  堀越和彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78621

Abstract: 构成该薄膜晶体管之绝缘膜是一种通过加热涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。通过设计该绝缘膜以主要具有直径约4纳米或更小的细孔，从而可降低该绝缘膜的介电常数，因此便可改善该薄膜晶体管的工作速度。从而改善主要由非晶硅构成之薄膜晶体管的工作速度，并实现一种包含这种薄膜晶体管的显示器。

公开(公告)号：CN114502266B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202080069855.3

申请日：2020-10-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  三泽智也 ,  加贺祐介 ,  与名本欣树

IPC: B01F29/62 ,  G01N21/27 ,  G01N15/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种缩短了直至混合完成为止的时间、提高了最终产品的生产率的粉体混合系统及粉体混合方法。为此，本发明提供一种粉体混合系统，其具有具备旋转轴并混合多种粉体的混合容器、经由所述旋转轴使所述混合容器旋转的旋转机、取得混合过程的粉体图像的图像拍摄装置以及计算机，其中，所述混合容器具有用于拍摄所述粉体图像的窗，所述计算机具有检测所述混合容器处于规定位置的功能，在所述规定位置时，所述图像拍摄装置经由所述混合容器的所述窗取得所述粉体图像，所述计算机基于所取得的所述粉体图像推定所述粉体的混

公开(公告)号：CN116685384A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202280008069.1

申请日：2022-02-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  小林泰子 ,  神林琢也 ,  八木大介 ,  宇田川万规子 ,  北村光太郎 ,  宫川浩树

IPC: B01D21/34

Abstract: 污泥处理设备运转辅助导航系统取得污泥处理设备运行时的凝集絮凝块状态即运行时絮凝块状态，取得污泥处理设备运行时的脱水污泥的含水率即运行时污泥含水率，根据运行时絮凝块状态、运行时污泥含水率、期望凝集絮凝块状态以及期望污泥含水率，选择或生成凝集槽和污泥脱水机的设备操作内容，将设备操作内容显示于显示装置。

公开(公告)号：CN1241269C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02130120.4

申请日：2002-08-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  大谷美晴 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  堀越和彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78621

Abstract: 构成该薄膜晶体管之绝缘膜是一种通过加热涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。通过设计该绝缘膜以主要具有直径约4纳米或更小的细孔，从而可降低该绝缘膜的介电常数，因此便可改善该薄膜晶体管的工作速度。从而改善主要由非晶硅构成之薄膜晶体管的工作速度，并实现一种包含这种薄膜晶体管的显示器。