公开(公告)号：CN101197372A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710194577.0

申请日：2003-04-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  大谷美晴 ,  尾形洁 ,  铃木康道 ,  堀田胜彦

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层(100)的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和/或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和/或添加碳的氧化硅。使下层布线层的第二绝缘层的介电常数比上层布线层的第二绝缘层的介电常数小。

公开(公告)号：CN1452244A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03130796.5

申请日：2003-04-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  大谷美晴 ,  尾形洁 ,  铃木康道 ,  堀田胜彦

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层(100)的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和/或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和/或添加碳的氧化硅。使下层布线层的第二绝缘层的介电常数比上层布线层的第二绝缘层的介电常数小。

公开(公告)号：CN101197372B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710194577.0

申请日：2003-04-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  大谷美晴 ,  尾形洁 ,  铃木康道 ,  堀田胜彦

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层(100)的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和/或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和/或添加碳的氧化硅。使下层布线层的第二绝缘层的介电常数比上层布线层的第二绝缘层的介电常数小。