公开(公告)号：CN1716570A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510074318.5

申请日：2000-03-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 杉井信之 ,  中川清和 ,  山口伸也 ,  宫尾正信

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7848

Abstract: 为了采用Si和与起同族的元素Ge、C等的组合，提供一种半导体器件制造方法及其半导体器件，包括步骤：在半导体衬底上形成Si1－xGex形变施加层，其中0＜x＜1；在所述Si1－xGex形变施加层上生长形变Si层，从而在所述形变Si层和所述Si1－xGex形变施加层之间提供面内拉伸应变；对所述形变Si层的表面进行热氧化；将所述形变Si层的所述表面与一个支承衬底相互键合；在分离位置分离所述Si1－xGex形变施加层的至少一部分和大部分所述Si1－xGex形变施加层和一部分所述形变Si层；以及在所述位置分离内形成p－MOS晶体管和n－MOS晶体管的源、漏区。

公开(公告)号：CN100456497C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN03119909.7

申请日：2003-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 朴成基 ,  山口伸也 ,  波多野睦子 ,  芝健夫

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体器件及其制造方法，薄膜半导体器件是利用熔化的半导体的表面张力的凝结现象，在绝缘性基板的整个面上，或在特定的区域形成孤立的单晶薄膜的岛区域，在该岛区域中形成薄膜晶体管的有源区域。

公开(公告)号：CN100399172C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200410095694.8

申请日：2002-10-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 本乡干雄 ,  宇都幸雄 ,  野本峰生 ,  中田俊彦 ,  波多野睦子 ,  山口伸也 ,  大仓理

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/334 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786

Abstract: 利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上，从连续波形激光束开始处理激光束，(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化；(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分布的滤波器和矩形狭缝使得具有任意的空间能量分布；和(3)利用高速旋转的漫射器来除去相干性。这样，有可能实现一种液晶显示设备，其中，在TFT面板装置中包含驱动电路，该驱动电路包括具有与单晶体属性基本相同的多晶硅膜。

公开(公告)号：CN1458698A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03136734.8

申请日：2003-05-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山口伸也 ,  波多野睦子 ,  田井光春 ,  朴成基 ,  芝健夫

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明将通过提供使低温多晶硅实现大粒径化且使表面平坦化以充分地确保栅耐压的技术来实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置作为课题。本发明的薄膜半导体器件中，通过对固体激光等的连续的振荡光在时间和空间方面进行调制以实现对于硅薄膜的结晶结构和生长速度来说接近于最佳的结晶生长，通过形成大粒径、在粒界部中呈现没有凸起的平坦性且其面取向被控制的结晶粒并使用这些结晶粒形成沟道，实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置。

公开(公告)号：CN100414669C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN02140592.1

申请日：2002-07-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 波多野睦子 ,  山口伸也 ,  芝健夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

Abstract: 本发明的课题是在绝缘性基片上控制粒界、粒径和结晶方位。解决方法是使用下述的半导体薄膜器件，其中，在变形点为600度以下的绝缘性的基片上形成的膜厚为200nm以下的半导体薄膜中，具有交替地将缺陷密度比1×1017cm-3小的第1半导体薄膜区和缺陷密度为1×1017cm-3以上的第2半导体薄膜区配置成条状的区域，上述第1半导体薄膜区的宽度比上述第2半导体薄膜区的宽度大。本发明的效果是可得到具有高品质的半导体薄膜的半导体薄膜器件。

公开(公告)号：CN100394287C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410095693.3

申请日：2002-10-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 本乡干雄 ,  宇都幸雄 ,  野本峰生 ,  中田俊彦 ,  波多野睦子 ,  山口伸也 ,  大仓理

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

Abstract: 利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上，从连续波形激光束开始处理激光束，(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化；(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分布的滤波器和矩形狭缝使得具有任意的空间能量分布；和(3)利用高速旋转的漫射器来除去相干性。这样，有可能实现一种液晶显示设备，其中，在TFT面板装置中包含驱动电路，该驱动电路包括具有与单晶体属性基本相同的多晶硅膜。

公开(公告)号：CN1645222A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410095694.8

申请日：2002-10-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 本乡干雄 ,  宇都幸雄 ,  野本峰生 ,  中田俊彦 ,  波多野睦子 ,  山口伸也 ,  大仓理

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

Abstract: 一种显示装置的制造方法，利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上，从连续波形激光束开始处理激光束，(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化；(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分布的滤波器和矩形狭缝使得具有任意的空间能量分布；和(3)利用高速旋转的漫射器来除去相干性。这样，有可能实现一种液晶显示设备，其中，在TFT面板装置中包含驱动电路，该驱动电路包括具有与单晶体属性基本相同的多晶硅膜。

公开(公告)号：CN1619401A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410095693.3

申请日：2002-10-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 本乡干雄 ,  宇都幸雄 ,  野本峰生 ,  中田俊彦 ,  波多野睦子 ,  山口伸也 ,  大仓理

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

Abstract: 利用物镜集中激光束并且将其辐射到具有1微米或者更小的晶粒大小的非晶硅薄膜或者多晶硅薄膜上，从连续波形激光束开始处理激光束，(1)以便于利用EO调制器使其脉动并且在脉动时具有任意的随着时间的能量变化；(2)利用光束均匀器、具有任意透射率分布的滤波器和矩形狭缝使得具有任意的空间能量分布；和(3)利用高速旋转的漫射器来除去相干性。这样，有可能实现一种液晶显示设备，其中，在TFT面板装置中包含驱动电路，该驱动电路包括具有与单晶体属性基本相同的多晶硅膜。

公开(公告)号：CN1573436A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410003629.8

申请日：2004-02-04

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立显示器

Inventor： 田井光春 ,  波多野睦子 ,  山口伸也 ,  芝健夫 ,  佐藤秀夫

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/1296 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明的课题是实现构成驱动以矩阵状配置的像素部用的驱动电路的薄膜晶体管的高速化。在玻璃基板SUB上的显示区域DSP中以矩阵状配置多个像素PXL，在该显示区域DSP的周边配置由漏移位寄存器DSR、数模变换器DAC、漏电平移动器DLS、缓冲器BF、取样开关SSW构成的漏侧像素驱动电路、由栅移位寄存器GSR、栅电平移动器GLS等构成的栅侧像素驱动电路和各种电路。在每个电路中使构成这些像素驱动电路的高速工作所必要的电路区域SX的薄膜晶体管的电流迁移率最佳化，使多个布局和配置结构最佳化，在各电路中满足特有的规格。

公开(公告)号：CN100487921C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200710141176.9

申请日：2002-07-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 芝健夫 ,  波多野睦子 ,  山口伸也 ,  朴成基

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/36 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: G02F1/13454 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种电路内安装薄膜晶体管方式的图像显示装置，在基板上有显示像素块以及包括显示装置的四个角的外围电路块，在上述显示像素块及电路块的全部表面上或一部分上设有由晶体沿各向异性生长的多晶硅膜的晶粒的长度方向和电流方向一致的薄膜晶体管构成的电路，其方向在块内部沿水平方向或垂直方向对齐，该沿水平方向和垂直方向对齐的块从同一直线上看允许混合配置。