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公开(公告)号：CN100487921C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710141176.9
申请日：2002-07-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 一种电路内安装薄膜晶体管方式的图像显示装置，在基板上有显示像素块以及包括显示装置的四个角的外围电路块，在上述显示像素块及电路块的全部表面上或一部分上设有由晶体沿各向异性生长的多晶硅膜的晶粒的长度方向和电流方向一致的薄膜晶体管构成的电路，其方向在块内部沿水平方向或垂直方向对齐，该沿水平方向和垂直方向对齐的块从同一直线上看允许混合配置。
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公开(公告)号：CN100335956C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN02140598.0
申请日：2002-07-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/20
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 一种电路内安装薄膜晶体管方式的图像显示装置，在基板上有显示像素块以及包括显示装置的四个角的外围电路块，在上述显示像素块及电路块的全部表面上或一部分上设有由晶体沿各向异性生长的多晶硅膜的晶粒的长度方向和电流方向一致的薄膜晶体管构成的电路，其方向在块内部沿水平方向或垂直方向对齐，该沿水平方向和垂直方向对齐的块从同一直线上看允许混合配置。
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公开(公告)号：CN100456497C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN03119909.7
申请日：2003-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L29/045 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种薄膜半导体器件及其制造方法，薄膜半导体器件是利用熔化的半导体的表面张力的凝结现象，在绝缘性基板的整个面上，或在特定的区域形成孤立的单晶薄膜的岛区域，在该岛区域中形成薄膜晶体管的有源区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1458698A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN03136734.8
申请日：2003-05-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02609 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明将通过提供使低温多晶硅实现大粒径化且使表面平坦化以充分地确保栅耐压的技术来实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置作为课题。本发明的薄膜半导体器件中，通过对固体激光等的连续的振荡光在时间和空间方面进行调制以实现对于硅薄膜的结晶结构和生长速度来说接近于最佳的结晶生长，通过形成大粒径、在粒界部中呈现没有凸起的平坦性且其面取向被控制的结晶粒并使用这些结晶粒形成沟道，实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置。
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公开(公告)号：CN100377365C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03136734.8
申请日：2003-05-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02609 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明将通过提供使低温多晶硅实现大粒径化且使表面平坦化以充分地确保栅耐压的技术来实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置作为课题。本发明的薄膜半导体器件中，通过对固体激光等的连续的振荡光在时间和空间方面进行调制以实现对于硅薄膜的结晶结构和生长速度来说接近于最佳的结晶生长，通过形成大粒径、在粒界部中呈现没有凸起的平坦性且其面取向被控制的结晶粒并使用这些结晶粒形成沟道，实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置。
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公开(公告)号：CN101114098A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710141176.9
申请日：2002-07-10
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 一种电路内安装薄膜晶体管方式的图像显示装置，在基板上有显示像素块以及包括显示装置的四个角的外围电路块，在上述显示像素块及电路块的全部表面上或一部分上设有由晶体沿各向异性生长的多晶硅膜的晶粒的长度方向和电流方向一致的薄膜晶体管构成的电路，其方向在块内部沿水平方向或垂直方向对齐，该沿水平方向和垂直方向对齐的块从同一直线上看允许混合配置。
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公开(公告)号：CN1467859A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03119909.7
申请日：2003-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L29/045 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L29/78696
Abstract: 薄膜半导体器件是利用熔化的半导体的表面张力的凝结现象，在绝缘性基板的整个面上，或在特定的区域形成孤立的单晶薄膜的岛区域，在该岛区域中形成薄膜晶体管的有源区域。
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公开(公告)号：CN1426043A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02140598.0
申请日：2002-07-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 一种电路内安装薄膜晶体管方式的图像显示装置，在基板上有显示像素块以及包括显示装置的四个角的外围电路块，在上述显示像素块及电路块的全部表面上或一部分上设有由晶体沿各向异性生长的多晶硅膜的晶粒的长度方向和电流方向一致的薄膜晶体管构成的电路，其方向在块内部沿水平方向或垂直方向对齐，该沿水平方向和垂直方向对齐的块从同一直线上看允许混合配置。
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