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公开(公告)号：CN105045004B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510184382.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/02063 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L27/1259 , H01L29/66757
Abstract: 本发明提供显示装置用基板以及显示装置的制造方法，一个方式中的显示装置用基板具备绝缘基板以及形成于上述绝缘基板的至少一个主面的导电性膜。在该显示用基板中，使用氟化氢的含有浓度为10％以上的氢氟酸水溶液进行的蚀刻中的上述导电性膜的第一蚀刻速率、与上述蚀刻中的上述绝缘基板的第二蚀刻速率实质上相同，或者上述第一蚀刻速率大于上述第二蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN118335721A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311711134.X
申请日：2023-12-13
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供测量方法及测量装置。实施方式的测量方法具备：形成具有配置在基材上的下部和从该下部的侧面突出的上部的隔壁；取得通过对隔壁照射电子束而生成的构成该隔壁的每个元素的第一图像；解析取得的每个元素的第一图像；以及基于解析结果，测量上部的突出部从下部的侧面突出的突出量。
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公开(公告)号：CN112779499A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011180807.X
申请日：2020-10-29
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供一种基板与蒸镀掩模的间隙的调节时间缩短的蒸镀装置和显示装置的制造方法。此外，本发明提供一种蒸镀工序中的不良情况减少的蒸镀装置和显示装置的制造方法。显示装置的制造方法使用蒸镀掩模向基板蒸镀有机材料，其中，与基板相对地配置蒸镀掩模，检测第一位置的基板与上述蒸镀掩模之间的第一间隙(l1)，检测第二位置的基板与蒸镀掩模之间的第二间隙(l2)，将第一间隙(l1)和上述第二间隙(l2)调节为满足式3，
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公开(公告)号：CN110828349A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911155469.1
申请日：2017-05-27
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供对于设置场所的形状、宽敞度的自由度高且对于步骤变更、扩展等的应对性优异的发光元件的制造装置。该制造装置包括：具有经第1交接室连接的第1移载机和第2移载机的主输送路径；副输送路径，其具有与上述第1移载机或第2移载机连接的第2交接室和与上述第2交接室连接的输送室，且在与上述主输送路径交叉的方向上延伸；和与上述输送室连接的多个处理室，上述第1移载机、第2移载机、上述第1交接室和上述第2交接室连接而形成的区域为连续的真空环境。
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公开(公告)号：CN117135981A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310600130.8
申请日：2023-05-25
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法及CVD装置。根据一实施方式，显示装置的制造方法中：准备处理基板，在下电极上形成有机层，形成位于有机层上并与隔壁相接的上电极，在上电极上形成盖层，形成位于盖层上并与隔壁相接的密封层，其中，形成密封层的工序包括：沉积工序，其在将形成有盖层的处理基板搬入腔室的内部后，将原料气体导入腔室内而在处理基板之上沉积硅氮化物，然后停止原料气体的导入，对腔室内的残留气体进行排气；和蚀刻工序，其接着沉积工序，将清洁气体通过与原料气体相同的路径导入腔室内，在进行了将沉积在处理基板上的硅氮化物的一部分除去的各向异性干式蚀刻后，对腔室内的残留气体进行排气，至少进行两次沉积工序和蚀刻工序的组合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116709811A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310173566.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K50/844 , H10K71/00 , H10K59/12
Abstract: 本发明涉及显示装置及显示装置的制造方法。显示装置具备第1、第2下电极；有第1开口及第2开口的肋部；有在第1与第2开口之间配置在肋部上的下部、和配置在下部上并从下部的侧面突出的上部的隔壁；在第1开口处配置在第1下电极上包含第1发光层的第1有机层；在第2开口处配置在第2下电极上包含第2发光层的第2有机层；配置在第1有机层上并与隔壁的下部相接的第1上电极；配置在第2有机层上并与隔壁的下部相接的第2上电极；配置在第1上电极上方并与隔壁的下部相接的第1密封层；和配置在第2上电极上方并与隔壁的下部相接且与第1密封层分离的第2密封层，在第1下电极的正上方第1密封层的厚度为隔壁的下部的厚度的0.5倍以上小于2倍。
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公开(公告)号：CN111463365B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202010289273.8
申请日：2017-08-04
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K71/00 , H01L21/67 , H01L21/677 , H10K59/122 , H10K71/16 , H10K71/60 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/56
Abstract: 本发明提供对于设置场所的形状、宽敞度的自由度高且对于步骤变更、扩展等的应对性优异的有机EL装置的制造装置。本发明的制造装置的特征在于，包括：主输送路径，其具有经第1交接室连接的第1移载机和第2移载机；副输送路径，其具有与第1移载机或第2移载机连接的第2交接室和与第2交接室连接的输送室，且在与主输送路径交叉的方向上延伸；和与输送室连接的多个第1处理室，主输送路径将被处理基板以水平的状态输送，多个第1处理室中的一个第1处理室在处理中将被处理基板保持在垂直的状态。
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公开(公告)号：CN105045004A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510184382.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/02063 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L27/1259 , H01L29/66757
Abstract: 本发明提供显示装置用基板以及显示装置的制造方法，一个方式中的显示装置用基板具备绝缘基板以及形成于上述绝缘基板的至少一个主面的导电性膜。在该显示用基板中，使用氟化氢的含有浓度为10％以上的氢氟酸水溶液进行的蚀刻中的上述导电性膜的第一蚀刻速率、与上述蚀刻中的上述绝缘基板的第二蚀刻速率实质上相同，或者上述第一蚀刻速率大于上述第二蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN112779499B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202011180807.X
申请日：2020-10-29
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供一种基板与蒸镀掩模的间隙的调节时间缩短的蒸镀装置和显示装置的制造方法。此外，本发明提供一种蒸镀工序中的不良情况减少的蒸镀装置和显示装置的制造方法。显示装置的制造方法使用蒸镀掩模向基板蒸镀有机材料，其中，与基板相对地配置蒸镀掩模，检测第一位置的基板与上述蒸镀掩模之间的第一间隙(l1)，检测第二位置的基板与蒸镀掩模之间的第二间隙(l2)，将第一间隙(l1)和上述第二间隙(l2)调节为满足式3，#imgabs0#
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公开(公告)号：CN110246789B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910608870.X
申请日：2017-05-27
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H10K71/00 , H10K50/10
Abstract: 本发明提供使用发光元件的制造装置的发光元件的制造方法。该制造装置包括：具有经第1交接室连接的第1移载机和第2移载机的主输送路径；副输送路径，其具有与上述第1移载机或第2移载机连接的第2交接室和与上述第2交接室连接的输送室，且在与上述主输送路径交叉的方向上延伸；和与上述输送室连接的多个处理室，上述第1移载机、第2移载机、上述第1交接室和上述第2交接室连接而形成的区域为连续的真空环境。本发明的发光元件的制造方法对于发光元件的制造装置的设置场所的形状、宽敞度的自由度高且对于步骤变更、扩展等的应对性优异。
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