公开(公告)号：CN104871291B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201380065862.6

申请日：2013-11-11

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 次田纯一 ,  泽井美喜 ,  町田政志 ,  郑石焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691

Abstract: 一种结晶半导体膜的制造方法，在对非单晶半导体膜实施激光退火时，通过线射束形状的脉冲激光对非单晶半导体膜相对地扫描来按每一脉冲移动，并且通过照射次数n从而实施交叠照射，线射束的射束短轴宽度为100～500μm，且射束短轴方向的射束断面形状具有平坦部，晶体管的沟道长度为b，脉冲激光具有比通过该脉冲激光的照射而在非单晶半导体膜上发生微结晶化的照射脉冲能量密度低且能通过多次照射使结晶粒径成长达到饱和的照射脉冲能量密度，通过照射脉冲能量密度的脉冲激光的照射而使结晶粒径成长达到饱和时的照射次数为n0，照射次数n≥(n0‑1)，脉冲激光的扫描方向为所述晶体管的沟道长度方向，并且所述每一脉冲的移动量c＜b。

公开(公告)号：CN104838472B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201380060409.6

申请日：2013-10-29

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 次田纯一 ,  町田政志 ,  郑石焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明为了降低由脉冲激光的重叠照射而对形成在半导体膜的隆起部造成的不良影响，在非单晶半导体膜上扫描具有规定的射束截面形状的脉冲激光并以规定的扫描间距进行重叠照射而得结晶半导体膜的激光处理方法中，将通过对半导体膜的脉冲激光照射而在半导体膜上被照射的脉冲激光束的扫描方向后端侧形成的隆起部的底边的扫描方向长度设为b，所述扫描间距设为p，在扫描间距设定在满足式0.75b≥p≥0.25b的范围内进行所述脉冲激光的重叠照射，使隆起部近接形成而缩小隆起部之间的高低差，降低照射不均。

公开(公告)号：CN104798180B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380060413.2

申请日：2013-10-29

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 次田纯一 ,  町田政志 ,  郑石焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268

Abstract: 为了减少由激光的能量输出的变动引起的照射不均，在非单晶半导体上将射束截面形状为直线束的脉冲激光沿所述直线束的短轴方向扫描并进行照射的激光退火方法中，所述直线束在射束强度分布中具有位于短轴方向端部的陡峭部，所述陡峭部是具有所述射束强度分布中最大强度的10％以上且90％以下的强度的区域，以使陡峭部中位于扫描方向后方侧的短轴方向宽度在非单晶半导体膜的照射面上为50μm以下的条件进行前述照射，由此可使陡峭部急陡化，减轻由能量输出变动时的熔融宽度的变动引起的影响而减少照射不均。

公开(公告)号：CN104718600B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201380051586.8

申请日：2013-09-30

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 次田纯一 ,  町田政志 ,  郑石焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0622 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686

Abstract: 在通过脉冲激光的照射来对非单晶半导体膜进行结晶化时，本发明为了防止产生照射不均，具有第1阶段和第2阶段，在第1阶段，将低于因脉冲激光的照射而使得所述非单晶半导体膜产生微结晶化的照射脉冲能量密度、且适于基于多次即N次的照射的结晶化的照射脉冲能量密度设为E0，从而以与照射脉冲能量密度E0相同的照射脉冲能量密度E1来照射所述脉冲激光，在第2阶段，以低于照射脉冲能量密度E1、且在为了使结晶再次熔融而所需的照射能量密度以上的照射脉冲能量密度E2来照射所述脉冲激光，对于同一照射面所进行的第1阶段和第2阶段的总计照射次数设为N次以上。

公开(公告)号：CN102859652B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201180021127.6

申请日：2011-03-16

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 郑石焕 ,  次田纯一 ,  町田政志

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/705 ,  H01L21/02686

Abstract: 在利用脉冲激光的照射来使硅薄膜进行晶化时，实现均匀的晶化。制造装置包括：激光振荡器，该激光振荡器输出脉冲激光；光学系统，该光学系统将所述脉冲激光导向非晶半导体；以及移动装置，该移动装置使所述非晶半导体进行相对移动以将所述脉冲激光对所述非晶半导体进行扫描并照射，所述激光振荡器中，所输出的脉冲激光因强度随时间变化而在1个脉冲中具有多个波峰群，该波峰群中具有最大高度的第一波峰群和其后出现的第二波峰群在波峰强度值上满足（第二波峰群）/（第一波峰群）≤0.35的关系，将所述脉冲激光照射到非晶半导体，获得具有均匀特性的结晶半导体。

公开(公告)号：CN105144344A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480021820.7

申请日：2014-04-10

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 郑石焕 ,  泽井美喜 ,  次田纯一

IPC: H01L21/20 ,  B23K26/066 ,  B23K26/351 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/706

Abstract: 为了将线束分割，以能够确保对被处理体避免照射的部分，并能将分割后的线束照射到被处理体上，将遮挡构件的一部分或全部以能相对于线束形状的激光的光路相对移动的方式设置在所述光路上，随着移动能对分割后的线束的形状进行调节，从而能够获得以根据遮挡构件的移动位置决定的形状将线束分割后得到的线束，将该线束照射到被处理体上，不必花费光学系统的更换及调节的时间等，就能不对照射不妥的部位及不想照射的部位等照射激光地将线束照射到被处理体上，能够生产率佳且品质良好地进行期望的加工。

公开(公告)号：CN104737276A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380055297.5

申请日：2013-10-16

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 次田纯一 ,  郑石焕 ,  町田政志

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/127 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明涉及一种激光线束改善装置及激光处理装置，所述激光线束改善装置包括：第一遮蔽部(第一遮蔽板(20))，该第一遮蔽部在进行线束照射时，为了能有效减小陡峭部，在对处理物(硅膜(100))进行照射的线束(150)的光路上，配置在相对远离所述被处理物的位置上，对线束(150)的长轴端部的透过进行遮蔽；以及第二遮蔽部(第二遮蔽板(21))，该第二遮蔽部配置在相对接近被处理物的位置上，在利用所述第一遮蔽部对长轴端部的透过进行遮蔽后进一步对线束(150)的长轴端部的透过进行遮蔽，所述激光处理装置包括该激光线束改善装置，第一遮蔽部位于处理室(2)外、且配置在光学系统的最终级的聚焦透镜(21c)与导入窗(6)之间，第二遮蔽部配置于处理室(2)内。

公开(公告)号：CN104718600A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380051586.8

申请日：2013-09-30

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 次田纯一 ,  町田政志 ,  郑石焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0622 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686

Abstract: 在通过脉冲激光的照射来对非单晶半导体膜进行结晶化时，本发明为了防止产生照射不均，具有第1阶段和第2阶段，在第1阶段，将低于因脉冲激光的照射而使得所述非单晶半导体膜产生微结晶化的照射脉冲能量密度、且适于基于多次即N次的照射的结晶化的照射脉冲能量密度设为E0，从而以与照射脉冲能量密度E0相同的照射脉冲能量密度E1来照射所述脉冲激光，在第2阶段，以低于照射脉冲能量密度E1、且在为了使结晶再次熔融而所需的照射能量密度以上的照射脉冲能量密度E2来照射所述脉冲激光，对于同一照射面所进行的第1阶段和第2阶段的总计照射次数设为N次以上。

公开(公告)号：CN102859652A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180021127.6

申请日：2011-03-16

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 郑石焕 ,  次田纯一 ,  町田政志

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/705 ,  H01L21/02686

Abstract: 在利用脉冲激光的照射来使硅薄膜进行晶化时，实现均匀的晶化。制造装置包括：激光振荡器，该激光振荡器输出脉冲激光；光学系统，该光学系统将所述脉冲激光导向非晶半导体；以及移动装置，该移动装置使所述非晶半导体进行相对移动以将所述脉冲激光对所述非晶半导体进行扫描并照射，所述激光振荡器中，所输出的脉冲激光因强度随时间变化而在1个脉冲中具有多个波峰群，该波峰群中具有最大高度的第一波峰群和其后出现的第二波峰群在波峰强度值上满足（第二波峰群）/（第一波峰群）≤0.35的关系，将所述脉冲激光照射到非晶半导体，获得具有均匀特性的结晶半导体。

公开(公告)号：CN113964033A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110834452.X

申请日：2021-07-21

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 大森贤一 ,  郑石焕 ,  佐藤亮介 ,  奥信夫

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种激光退火装置，根据一实施方式，该激光退火装置包括：激光光源；退火光学系统；沿Y方向的线状的照射区域；移动机构，其被配置成使相对于基板的所述照射区域的相对位置沿着X方向变化；照明光源，其被配置成产生用于沿第三方向照明所述基板的照明光；以及检测器，其被配置成检测在被所述照明光照明的基板上在第四方向上反射的检测光，以在沿Y方向的线状的视野中拍摄所述基板的被退火的部位。在YZ平面图中，所述第三方向从竖直方向倾斜，并且所述第四方向从竖直方向倾斜。此外，本发明还涉及一种激光退火方法以及一种用于制造半导体设备的方法。