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公开(公告)号：CN1795287A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014403.6
申请日：2004-05-31
申请人： 株式会社新柯隆
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要： 本发明的薄膜形成装置(1)具有：把反应性气体导入到真空容器(11)内的气体导入单元；以及在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。等离子体发生单元(61)构成为具有电介质壁(63)和涡状天线(65a、65b)。天线(65a、65b)相对于高频电源(69)并联连接，在与天线(65a、65b)的涡形成面的垂线相垂直的方向上以相邻的状态设置。
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公开(公告)号：CN103946417A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280019492.8
申请日：2012-10-23
申请人： 株式会社新柯隆
CPC分类号： C23C14/56 , C23C14/0042 , C23C14/0047 , C23C14/0089 , C23C14/0652 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32752 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3476
摘要： 本发明提供薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法，所述薄膜形成装置、溅射阴极及薄膜形成方法能够在大型基板上以高成膜速率形成光学多层膜。一种薄膜形成装置1，其中，在真空槽21内，利用溅射在基板43上形成金属化合物的薄膜。真空槽21内具备由金属或具有导电性的金属化合物构成的靶材63a、b和活性种源，所述活性种源按照在电磁性及压力方面与靶材63a、b相互影响的方式而设置、并且可生成反应性气体的活性种。活性种源具备供给反应性气体的气体源76、77和将能量供给至真空槽内从而将反应性气体激发为等离子体状态的能量源80。能量源80在与真空槽21之间具备用于将能量供给至真空槽21内的电介质窗，该电介质窗按照与基板43平行、或以相对于基板43呈小于90°的角度向靶材63a、b侧倾斜的方式配置。
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公开(公告)号：CN102076880B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980124622.2
申请日：2009-06-16
申请人： 株式会社新柯隆
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/0031 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/22 , G02B5/285
摘要： 本发明提供一种能够抑制成膜条件的经时变化的蒸镀装置(1)。所述蒸镀装置(1)具备：被支承在接地的真空容器(10)内的基板支架(12)、保持在基板支架(12)上的基板(14)、离开基板(14)并与基板(14)相向的蒸发源(34，36)、对基板(14)照射离子的离子枪(38)、以及对基板(14)照射电子的中和器(40)，其中，真空容器(10)具备与真空容器(10)电气悬浮的内壁(30)，中和器(40)配设在真空容器(10)的内侧侧面侧并离开离子枪(38)。
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公开(公告)号：CN102076879A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980124621.8
申请日：2009-06-16
申请人： 株式会社新柯隆
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/22 , G02B1/115 , G02B5/285 , H01J37/32422
摘要： 本发明提供一种能够抑制成膜条件的经时变化的蒸镀装置(1)。所述蒸镀装置(1)具备：被支承在接地的真空容器(10)内的基板支架(12)、保持在基板支架(12)上的基板(14)、离开基板(14)并与基板(14)相向的蒸发源(34，36)、对基板(14)照射离子的离子枪(38)、以及对基板(14)照射电子的中和器(40)，其中，离子枪(38)及中和器(40)分别安装有照射离子导向部件(50)及照射电子导向部件(52)。
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公开(公告)号：CN100513632C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN03826575.3
申请日：2003-06-02
申请人： 株式会社新柯隆
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要： 本发明的薄膜形成装置(1)包括：内部维持真空的真空容器(11)；将反应性气体导入真空容器(11)内的气体导入单元(76)；和在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。并且，在真空容器(11)内的壁面上，涂敷有热分解氮化硼(P)。
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公开(公告)号：CN101861408B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980100991.8
申请日：2009-08-17
申请人： 株式会社新柯隆
IPC分类号： C23C14/22
CPC分类号： C23C14/22 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/221 , C23C14/225 , H01J2237/0041 , H01J2237/3132
摘要： 本发明提供一种能够制造具有良好的光学特性的光学薄膜的光学薄膜沉积装置，以及制造成本低廉而且具有良好的光学特性的光学薄膜的制造方法。在真空容器(10)内向基体(14)沉积沉积物质的光学薄膜沉积装置具有：圆顶形的基体保持单元(12)，其设置在真空容器(10)内，用于保持基体(14)；旋转单元，其使基体保持单元(12)旋转；沉积单元(34)，其与基体(14)相对设置；离子源(38)，其向基体(14)照射离子；以及中和器(40)，其向基体(14)照射电子。离子源(38)被设置在下述位置，即，所述位置是使从离子源(38)照射离子的轴线、与相对于基体(14)的表面的垂线之间的角度为8°以上40°以下，并使基体保持单元的旋转轴中心和离子源(38)的中心之间的垂直方向的距离、与基体保持单元(12)的直径之比为0.5以上1.2以下的范围。
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公开(公告)号：CN102076880A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980124622.2
申请日：2009-06-16
申请人： 株式会社新柯隆
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/0031 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/22 , G02B5/285
摘要： 本发明提供一种能够抑制成膜条件的经时变化的蒸镀装置(1)。所述蒸镀装置(1)具备：被支承在接地的真空容器(10)内的基板支架(12)、保持在基板支架(12)上的基板(14)、离开基板(14)并与基板(14)相向的蒸发源(34，36)、对基板(14)照射离子的离子枪(38)、以及对基板(14)照射电子的中和器(40)，其中，真空容器(10)具备与真空容器(10)电气悬浮的内壁(30)，中和器(40)配设在真空容器(10)的内侧侧面侧并离开离子枪(38)。
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公开(公告)号：CN1788104A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN03826575.3
申请日：2003-06-02
申请人： 株式会社新柯隆
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要： 本发明的薄膜形成装置(1)包括：内部维持真空的真空容器(11)；将反应性气体导入真空容器(11)内的气体导入单元(76)；和在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。并且，在真空容器(11)内的壁面上，涂敷有热分解氮化硼(P)。
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公开(公告)号：CN102076879B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980124621.8
申请日：2009-06-16
申请人： 株式会社新柯隆
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/22 , G02B1/115 , G02B5/285 , H01J37/32422
摘要： 本发明提供一种能够抑制成膜条件的经时变化的蒸镀装置(1)。所述蒸镀装置(1)具备：被支承在接地的真空容器(10)内的基板支架(12)、保持在基板支架(12)上的基板(14)、离开基板(14)并与基板(14)相向的蒸发源(34，36)、对基板(14)照射离子的离子枪(38)、以及对基板(14)照射电子的中和器(40)，其中，离子枪(38)及中和器(40)分别安装有照射离子导向部件(50)及照射电子导向部件(52)。
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公开(公告)号：CN1795287B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200480014403.6
申请日：2004-05-31
申请人： 株式会社新柯隆
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要： 本发明的薄膜形成装置(1)具有：把反应性气体导入到真空容器(11)内的气体导入单元；以及在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。真空容器(11)内的壁面上覆盖有绝缘体，气体导入单元向等离子体发生单元(61)产生等离子体的区域导入反应性气体和惰性气体。
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