-
公开(公告)号：CN101044594A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580035989.9
申请日：2005-10-25
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/38 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/38 , G03F7/70341 , G03F7/70925
Abstract: 本发明提供一种衬底处理方法，该方法包括：在衬底上形成第一液体的浸液区域，并借助第一液体向衬底上照射曝光用光而将衬底曝光的曝光工序(S7)；在曝光工序之前将衬底浸渍于第二液体中的浸渍工序(S3)。根据本发明，可以抑制由伴随着浸液曝光产生的附着痕迹造成的不良状况的发生。
-
公开(公告)号：CN1993804A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026042.1
申请日：2005-08-02
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G01B11/00 , G03F7/20 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种可检测移动工作台的位置而不会导致成本上升和装置的大型化的工作台装置。该工作台装置具有在移动面(12a)上移动的移动工作台(WST、MST)、和利用光束(B1～B3)检测移动工作台(WST、MST)的位置的位置检测装置。还具备：驱动移动工作台(WST、MST)的驱动装置(82、84)；设置于驱动装置(81、84)，与移动工作台(WST、MST)的移动对应地使光束(B1～B3)追随移动工作台(WST、MST)的追随光学构件(30～33)；以及设置于移动工作台(WST、MST)，与追随光学构件(30～33)光学耦合的第一光学构件(34～39)。
-
公开(公告)号：CN101180707A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680017294.2
申请日：2006-07-11
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70733 , G03F7/70925 , G03F7/70975
Abstract: 曝光装置(EX)，具备第1载台(WST)、及第2载台(MST)。维护装置(55)，在保持于第1载台的晶片(W)的曝光处理中执行第2载台(MST)的维护。
-
公开(公告)号：CN1470945A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03141315.3
申请日：2003-06-10
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/22 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70425 , G03F7/70725 , G03F7/70733
Abstract: 通过控制装置，在相对晶片上的一个划分区域的曝光结束后，到为了进行下一划分区域的曝光，通过载物台控制系统使初缩掩模板载物台和晶片载物台在扫描方向上开始减速之前的期间，把下一划分区域的曝光用控制参数的设定信息传送给载物台控制系统。因此，载物台控制系统为了从上位装置获卸载一划分区域的曝光用控制参数的设定信息，不需要使两载物台在加速前暂且停止，所以不存在停止时间，相应地可以提高生产能力。该场合时，不会产生什么妨碍，所以不会损坏其他的装置性能。
-
公开(公告)号：CN101866113B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010140711.0
申请日：2005-10-25
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 本发明提供一种衬底处理方法，该方法包括：在衬底上形成第一液体的浸液区域，并借助第一液体向衬底上照射曝光用光而将衬底曝光的曝光工序(S7)；在曝光工序之前将衬底浸渍于第二液体中的浸渍工序(S3)。根据本发明，可以抑制由伴随着浸液曝光产生的附着痕迹造成的不良状况的发生。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101044594B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580035989.9
申请日：2005-10-25
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/38 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/38 , G03F7/70341 , G03F7/70925
Abstract: 本发明提供一种衬底处理方法，该方法包括：在衬底上形成第一液体的浸液区域，并借助第一液体向衬底上照射曝光用光而将衬底曝光的曝光工序(S7)；在曝光工序之前将衬底浸渍于第二液体中的浸渍工序(S3)。根据本发明，可以抑制由伴随着浸液曝光产生的附着痕迹造成的不良状况的发生。
-
公开(公告)号：CN100565799C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200680017294.2
申请日：2006-07-11
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70733 , G03F7/70925 , G03F7/70975
Abstract: 曝光装置(EX)，具备第1载台(WST)、及第2载台(MST)。维护装置(55)，在保持于第1载台的晶片(W)的曝光处理中执行第2载台(MST)的维护。
-
公开(公告)号：CN101258581B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200680032751.5
申请日：2006-09-08
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/70733
Abstract: 本发明提供曝光装置。曝光装置(EX)具备浸液系统(1)、第一移动体(4)、和给定构件(30)。曝光装置(EX)经由光学构件(FL)和液体(LQ)将基板(P)曝光。浸液系统(1)进行上述液体(LQ)的供给和回收。第一移动体(4)在第一区域(10)中移动，可在其与上述光学构件(FL)之间保持上述液体(LQ)。给定构件(30)在上述第一移动体(4)离开上述光学构件(FL)的对置位置后被从上述第一移动体(4)上取下，可在其与上述光学构件(FL)之间保持上述液体(LQ)。
-
公开(公告)号：CN101866113A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010140711.0
申请日：2005-10-25
Applicant: 株式会社尼康
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/38 , G03F7/70341 , G03F7/70925
Abstract: 本发明提供一种衬底处理方法，该方法包括：在衬底上形成第一液体的浸液区域，并借助第一液体向衬底上照射曝光用光而将衬底曝光的曝光工序(S7)；在曝光工序之前将衬底浸渍于第二液体中的浸渍工序(S3)。根据本发明，可以抑制由伴随着浸液曝光产生的附着痕迹造成的不良状况的发生。
-
公开(公告)号：CN101258581A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032751.5
申请日：2006-09-08
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/70733
Abstract: 本发明提供曝光装置。曝光装置(EX)具备浸液系统(1)、第一移动体(4)、和给定构件(30)。曝光装置(EX)经由光学构件(FL)和液体(LQ)将基板(P)曝光。浸液系统(1)进行上述液体(LQ)的供给和回收。第一移动体(4)在第一区域(10)中移动，可在其与上述光学构件(FL)之间保持上述液体(LQ)。给定构件(30)在上述第一移动体(4)离开上述光学构件(FL)的对置位置后被从上述第一移动体(4)上取下，可在其与上述光学构件(FL)之间保持上述液体(LQ)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.025 seconds)
