公开(公告)号：CN101866113A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010140711.0

申请日：2005-10-25

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 中野胜志 ,  奥村正彦 ,  杉原太郎 ,  水谷刚之 ,  藤原朋春

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70925

Abstract: 本发明提供一种衬底处理方法，该方法包括：在衬底上形成第一液体的浸液区域，并借助第一液体向衬底上照射曝光用光而将衬底曝光的曝光工序(S7)；在曝光工序之前将衬底浸渍于第二液体中的浸渍工序(S3)。根据本发明，可以抑制由伴随着浸液曝光产生的附着痕迹造成的不良状况的发生。

公开(公告)号：CN101044594A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580035989.9

申请日：2005-10-25

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 中野胜志 ,  奥村正彦 ,  杉原太郎 ,  水谷刚之 ,  藤原朋春

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70925

Abstract: 本发明提供一种衬底处理方法，该方法包括：在衬底上形成第一液体的浸液区域，并借助第一液体向衬底上照射曝光用光而将衬底曝光的曝光工序(S7)；在曝光工序之前将衬底浸渍于第二液体中的浸渍工序(S3)。根据本发明，可以抑制由伴随着浸液曝光产生的附着痕迹造成的不良状况的发生。

公开(公告)号：CN101866113B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201010140711.0

申请日：2005-10-25

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 中野胜志 ,  奥村正彦 ,  杉原太郎 ,  水谷刚之 ,  藤原朋春

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供一种衬底处理方法，该方法包括：在衬底上形成第一液体的浸液区域，并借助第一液体向衬底上照射曝光用光而将衬底曝光的曝光工序(S7)；在曝光工序之前将衬底浸渍于第二液体中的浸渍工序(S3)。根据本发明，可以抑制由伴随着浸液曝光产生的附着痕迹造成的不良状况的发生。

公开(公告)号：CN101044594B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580035989.9

申请日：2005-10-25

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 中野胜志 ,  奥村正彦 ,  杉原太郎 ,  水谷刚之 ,  藤原朋春

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70925

Abstract: 本发明提供一种衬底处理方法，该方法包括：在衬底上形成第一液体的浸液区域，并借助第一液体向衬底上照射曝光用光而将衬底曝光的曝光工序(S7)；在曝光工序之前将衬底浸渍于第二液体中的浸渍工序(S3)。根据本发明，可以抑制由伴随着浸液曝光产生的附着痕迹造成的不良状况的发生。