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公开(公告)号:CN102835028B
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201180017893.5
申请日:2011-03-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K3/356 , H03K19/0175 , H03K23/00 , H03K23/54
CPC classification number: H03K23/54 , G06F1/06 , H03K21/12 , H03K21/406
Abstract: 分压器电路包括:根据第一时钟信号或第二时钟信号生成2X(X是大于或等于2的自然数)个脉冲信号并输出这些脉冲信号的移位寄存器;以及根据2X个脉冲信号生成要作为第三时钟信号(其周期为第一时钟信号周期的X倍)的信号、且输出该信号的分割信号输出电路。分割信号输出电路包括控制要作为第三时钟信号的信号的电压是否被设为第一电压的X个第一晶体管、以及控制要作为第三时钟信号的信号的电压是否被设为第二电压的X个第二晶体管。
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公开(公告)号:CN102835028A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201180017893.5
申请日:2011-03-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K3/356 , H03K19/0175 , H03K23/00 , H03K23/54
CPC classification number: H03K23/54 , G06F1/06 , H03K21/12 , H03K21/406
Abstract: 分压器电路包括:根据第一时钟信号或第二时钟信号生成2X(X是大于或等于2的自然数)个脉冲信号并输出这些脉冲信号的移位寄存器;以及根据2X个脉冲信号生成要作为第三时钟信号(其周期为第一时钟信号周期的X倍)的信号、且输出该信号的分割信号输出电路。分割信号输出电路包括控制要作为第三时钟信号的信号的电压是否被设为第一电压的X个第一晶体管、以及控制要作为第三时钟信号的信号的电压是否被设为第二电压的X个第二晶体管。
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公开(公告)号:CN102034869A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010293477.5
申请日:2010-09-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/04 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969
Abstract: 一种半导体装置,包括:衬底上的第一导电层;覆盖第一导电层的氧化物半导体层;氧化物半导体层上的不与第一导电层重叠的区域中的第二导电层;覆盖氧化物半导体层及第二导电层的绝缘层;绝缘层上的包括至少不与第一导电层及第二导电层重叠的区域的区域中的第三导电层。
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公开(公告)号:CN102386765B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201110274123.0
申请日:2011-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor: 伊藤良明
CPC classification number: H02M3/155 , H02M2001/0025
Abstract: 目的是获得用于检测反馈电压而没有由操作温度造成的输出电压中或输出电压/电流中的变化的检测电路,以及包括该检测电路的电源电路。电源电路包括检测电路、输出输出电压的放大器电路、控制电路和分压器电路。该检测电路包括第一和第二参考电压产生电路和输入信号调节电路。该控制电路电连接到该放大器电路,并且包括该检测电路、误差放大器电路、脉冲宽度调制驱动器、三角波产生电路和电容器。该分压器电路电连接到该放大器电路和该控制电路,并且将通过划分该输出电压获得的电压输入到该第二参考电压产生电路。注意该第一和第二参考电压产生电路每个是基准电压电路。
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公开(公告)号:CN102576737B
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201080046496.6
申请日:2010-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1251 , H01L29/045 , H01L29/0611 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66477 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78642 , H01L29/78648 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 一个目的是提供具有新生产性半导体材料和新结构的半导体器件。半导体器件包括:衬底之上的第一导电层;覆盖第一导电层的第一绝缘层;第一绝缘层之上与第一导电层的一部分重叠并且在表面部分具有结晶区的氧化物半导体层;形成为与氧化物半导体层相接触的第二和第三导电层;覆盖氧化物半导体层和第二、第三导电层的绝缘层;以及绝缘层之上与氧化物半导体层的一部分重叠的第四导电层。
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公开(公告)号:CN102576737A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201080046496.6
申请日:2010-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1251 , H01L29/045 , H01L29/0611 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66477 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78642 , H01L29/78648 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 一个目的是提供具有新生产性半导体材料和新结构的半导体器件。半导体器件包括:衬底之上的第一导电层;覆盖第一导电层的第一绝缘层;第一绝缘层之上与第一导电层的一部分重叠并且在表面部分具有结晶区的氧化物半导体层;形成为与氧化物半导体层相接触的第二和第三导电层;覆盖氧化物半导体层和第二、第三导电层的绝缘层;以及绝缘层之上与氧化物半导体层的一部分重叠的第四导电层。
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公开(公告)号:CN102906980B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201180025131.X
申请日:2011-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/156 , H02M2001/0003
Abstract: 本发明的目的之一在于:降低具有DC-DC转换电路的半导体装置的功耗。所述半导体装置包括:DC-DC转换电路;以及微处理器,其中DC-DC转换电路具有转换电路和控制电路,转换电路具有电感元件和晶体管,控制电路具有比较电路和逻辑电路使用滞回比较器作为所述比较电路。在所述控制电路中,比较电路降转换电路的输出信号与第一基准电位或第二基准电位进行比较,而逻辑电路执行比较电路的输出信号和微处理器的时钟信号之间的计算操作。在所述转换电路中,晶体管根据逻辑电路的输出信号控制流过电感元件的电流,并且转换电路的输出信号是根据流过电感元件的电流而产生的。
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公开(公告)号:CN102034869B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201010293477.5
申请日:2010-09-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/04 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969
Abstract: 一种半导体装置,包括:衬底上的第一导电层;覆盖第一导电层的氧化物半导体层;氧化物半导体层上的不与第一导电层重叠的区域中的第二导电层;覆盖氧化物半导体层及第二导电层的绝缘层;绝缘层上的包括至少不与第一导电层及第二导电层重叠的区域的区域中的第三导电层。
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公开(公告)号:CN102906980A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201180025131.X
申请日:2011-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/156 , H02M2001/0003
Abstract: 本发明的目的之一在于:降低具有DC-DC转换电路的半导体装置的功耗。所述半导体装置包括:DC-DC转换电路;以及微处理器,其中DC-DC转换电路具有转换电路和控制电路,转换电路具有电感元件和晶体管,控制电路具有比较电路和逻辑电路使用滞回比较器作为所述比较电路。在所述控制电路中,比较电路降转换电路的输出信号与第一基准电位或第二基准电位进行比较,而逻辑电路执行比较电路的输出信号和微处理器的时钟信号之间的计算操作。在所述转换电路中,晶体管根据逻辑电路的输出信号控制流过电感元件的电流,并且转换电路的输出信号是根据流过电感元件的电流而产生的。
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公开(公告)号:CN102386765A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110274123.0
申请日:2011-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor: 伊藤良明
CPC classification number: H02M3/155 , H02M2001/0025
Abstract: 目的是获得用于检测反馈电压而没有由操作温度造成的输出电压中或输出电压/电流中的变化的检测电路,以及包括该检测电路的电源电路。电源电路包括检测电路、输出输出电压的放大器电路、控制电路和分压器电路。该检测电路包括第一和第二参考电压产生电路和输入信号调节电路。该控制电路电连接到该放大器电路,并且包括该检测电路、误差放大器电路、脉冲宽度调制驱动器、三角波产生电路和电容器。该分压器电路电连接到该放大器电路和该控制电路,并且将通过划分该输出电压获得的电压输入到该第二参考电压产生电路。注意该第一和第二参考电压产生电路每个是基准电压电路。
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