公开(公告)号：CN1404120A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02131805.0

申请日：2002-08-07

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 下俊久 ,  熊谷京子 ,  井上敏树 ,  加藤祥文 ,  吉田贵司 ,  日高理伸

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H05K3/00 ,  C23F1/14

CPC classification number: H05K3/0055 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/421 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2203/0796 ,  H01L2924/00

Abstract: 使用含有硫酸和过氧化氢的水溶液作为清除污斑工序中软蚀刻步骤的软蚀刻剂，该清除污斑的处理在用于化学铜电镀的应用催化剂工序之前和通过激光照射形成穿过多层衬底的绝缘层(12)的通孔(13)之后进行。硫酸的浓度是过氧化氢浓度的1.4倍或更少。优选地，硫酸的浓度范围是5到50g/l，和硫酸浓度低于过氧化氢浓度。更优选地，硫酸的浓度范围是5到10g/l，和过氧化氢的浓度范围是30到35g/l。结果，在清除污斑工序中不用过多蚀刻导电层(11a)一定可以清除污斑。

公开(公告)号：CN1316308C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN03130717.5

申请日：2003-05-07

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 井上敏树

IPC: G02F1/1345 ,  G09G3/32 ,  G09G3/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G09G3/3275 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0242

Abstract: 半导体驱动器电路具有连接到相应电极的多个输出凸块以便于通过用电极供应的电流激励电致发光器件。该输出凸块设置在多个输出凸块行中。每个输出凸块行包括多个输出凸块。

公开(公告)号：CN1457035A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN03130717.5

申请日：2003-05-07

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 井上敏树

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/00

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G09G3/3275 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0242

Abstract: 半导体驱动器电路具有连接到相应电极的多个输出凸块以便于通过用电极供应的电流激励电致发光器件。该输出凸块设置在多个输出凸块行中。每个输出凸块行包括多个输出凸块。

公开(公告)号：CN1878437A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610092881.X

申请日：2006-06-06

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 井上敏树

IPC: H05B33/02

CPC classification number: H05B33/0896 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2320/043

Abstract: 公开了一种使用有机电致发光元件的发光器件，其中获得了具有一种简单结构的反向电压的应用。发光器件包括：电源，有机电致发光元件和电容器。当发光器件导通时，可以使用电源以便将正向电压加到有机电致发光元件并对电容器充电。当发光器件熄灭时，可以利用电容器以便将反向电压加到有机电致发光元件，而不采用电源。

公开(公告)号：CN1215747C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN02142993.6

申请日：2002-08-07

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 下俊久 ,  井上敏树 ,  熊谷京子 ,  加藤祥文 ,  吉田贵司 ,  日高理仲

IPC: H05K3/42

CPC classification number: H05K3/423 ,  H05K3/421 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2203/1476 ,  H05K2203/1492

Abstract: 本发明提供一种在多层基底上形成通路孔(13)的镀铜法，所述通路孔(13)与多层基底的导电层相互连接，该方法包括在通路孔(13)的内壁上进行化学镀铜；之后在通路孔(13)的内壁上进行电解镀铜，其中电解镀铜包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段是在电流密度等于或小于1.5A/dm2下进行的从而使沉积的铜膜具有1μm或更大的厚度，所述的第二阶段是在电流密度高于第一阶段电流密度的情况下进行的。

公开(公告)号：CN1402608A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02142993.6

申请日：2002-08-07

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 下俊久 ,  井上敏树 ,  熊谷京子 ,  加藤祥文 ,  吉田贵司 ,  日高理仲

IPC: H05K3/42

CPC classification number: H05K3/423 ,  H05K3/421 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2203/1476 ,  H05K2203/1492

Abstract: 本发明提供一种在多层基底上形成通路孔(13)的镀铜法，所述通路孔(13)与多层基底的导电层相互连接，该方法包括在通路孔(13)的内壁上进行化学镀铜；之后在通路孔(13)的内壁上进行电解镀铜，其中电解镀铜包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段是在电流密度等于或小于1.5A/dm2下进行的从而使沉积的铜膜具有1μm或更大的厚度，所述的第二阶段是在电流密度高于第一阶段电流密度的情况下进行的。