公开(公告)号：CN1215747C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN02142993.6

申请日：2002-08-07

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 下俊久 ,  井上敏树 ,  熊谷京子 ,  加藤祥文 ,  吉田贵司 ,  日高理仲

IPC: H05K3/42

CPC classification number: H05K3/423 ,  H05K3/421 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2203/1476 ,  H05K2203/1492

Abstract: 本发明提供一种在多层基底上形成通路孔(13)的镀铜法，所述通路孔(13)与多层基底的导电层相互连接，该方法包括在通路孔(13)的内壁上进行化学镀铜；之后在通路孔(13)的内壁上进行电解镀铜，其中电解镀铜包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段是在电流密度等于或小于1.5A/dm2下进行的从而使沉积的铜膜具有1μm或更大的厚度，所述的第二阶段是在电流密度高于第一阶段电流密度的情况下进行的。

公开(公告)号：CN1402608A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02142993.6

申请日：2002-08-07

Applicant: 株式会社丰田自动织机

Inventor： 下俊久 ,  井上敏树 ,  熊谷京子 ,  加藤祥文 ,  吉田贵司 ,  日高理仲

IPC: H05K3/42

CPC classification number: H05K3/423 ,  H05K3/421 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2203/1476 ,  H05K2203/1492

Abstract: 本发明提供一种在多层基底上形成通路孔(13)的镀铜法，所述通路孔(13)与多层基底的导电层相互连接，该方法包括在通路孔(13)的内壁上进行化学镀铜；之后在通路孔(13)的内壁上进行电解镀铜，其中电解镀铜包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段是在电流密度等于或小于1.5A/dm2下进行的从而使沉积的铜膜具有1μm或更大的厚度，所述的第二阶段是在电流密度高于第一阶段电流密度的情况下进行的。