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公开(公告)号:CN115910965A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202210132247.3
申请日:2022-02-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L23/552 , H01L25/16
Abstract: 实施方式使半导体设备的特性提升。实施方式的半导体设备包括:封装基板(3),包括多个端子(31)和基座(32);半导体芯片(2),设置于基座(32)的上方;以及电容器芯片(1),设置于基座(32)的上方。半导体芯片(2)包括被供给接地电压(VGND)的第1焊盘(22)、与端子(31)电连接的第2焊盘(24)以及与焊盘(22、24)连接的半导体电路(20)。电容器芯片(1)包括设置于硅基板内的电容器部(10)、与所述第1电容器部(10)电连接并且被供给接地电压(VGND)的第1节点(16B)、以及与第2焊盘(22)及电容器部(10)电连接的第2节点(16A)。
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公开(公告)号:CN1385900A
公开(公告)日:2002-12-18
申请号:CN02108720.2
申请日:2002-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/49894 , H01L23/3121 , H01L24/48 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 半导体封装具备:封装基材;在上述封装基材上边形成,在往别的装置上安装时使用的安装端子;在上述封装基材上边形成,与上述安装端子电连的布线层;装载在上述封装基材上边,与上述布线层电连的半导体芯片;在上述布线层与模铸树脂层之间和在上述封装基材与模铸树脂层之间形成的低弹性树脂层;密封上述封装基材、上述布线层、上述半导体芯片和上述低弹性树脂层的模铸树脂层,上述低弹性树脂层的弹性模量E比上述模铸树脂层的弹性模量E低。
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公开(公告)号:CN105321812B
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201510336842.9
申请日:2015-06-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/304 , H01L21/56 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L21/4842 , H01L21/78 , H01L23/49503 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/83385 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体封装,具有由金属构成并在表面上形成有多个槽的框、和与上述框的表面连接的半导体芯片。半导体元件具有半导体芯片、和被粘接到半导体芯片的下表面的由铜构成的基框。此外,半导体芯片和基框通过表面活性化法粘接。
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公开(公告)号:CN1292475C
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN02108720.2
申请日:2002-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/49894 , H01L23/3121 , H01L24/48 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 半导体封装具备:封装基材;在上述封装基材上边形成,在往别的装置上安装时使用的安装端子;在上述封装基材上边形成,与上述安装端子电连的布线层;装载在上述封装基材上边,与上述布线层电连的半导体芯片;在上述布线层与模铸树脂层之间和在上述封装基材与模铸树脂层之间形成的低弹性树脂层;密封上述封装基材、上述布线层、上述半导体芯片和上述低弹性树脂层的模铸树脂层,上述低弹性树脂层的弹性模量E比上述模铸树脂层的弹性模量E低。
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公开(公告)号:CN105321812A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201510336842.9
申请日:2015-06-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/304 , H01L21/56 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L21/4842 , H01L21/78 , H01L23/49503 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/83385 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L21/304 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装,具有由金属构成并在表面上形成有多个槽的框、和与上述框的表面连接的半导体芯片。半导体元件具有半导体芯片、和被粘接到半导体芯片的下表面的由铜构成的基框。此外,半导体芯片和基框通过表面活性化法粘接。
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