公开(公告)号：CN117540672A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310136154.2

申请日：2023-02-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 伊见仁 ,  冈野资睦 ,  宫原秀敏 ,  青木孝哲

IPC: G06F30/33

Abstract: 实施方式提供一种能够以更短的时间计算电磁干扰噪声模拟的运算方法及运算装置。有关本实施方式的由计算机进行的运算方法具备模型生成工序、执行处理工序和电磁干扰噪声生成工序。模型生成工序生成具有电路模型和电动机模型的模型，所述电路模型连接多个元件模型，所述电动机模型被电路模型驱动。执行处理工序使用多个元件模型每一个的电特性的信息，伴随时间的经过而计算每隔第1计算步长产生的电动机模型的电动机电流。电磁干扰噪声生成工序针对测定期间内的每个规定的时间分区，生成模型的规定的测定点处的与频率对应的电磁干扰噪声，基于每个时间分区的与频率对应的电磁干扰噪声水平，生成测定期间内的每个频率的电磁干扰噪声水平。

公开(公告)号：CN115910965A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210132247.3

申请日：2022-02-14

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 阿川谦一 ,  宫原秀敏 ,  今泉祐介 ,  黑须笃 ,  富岛敦史 ,  刘佳

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/552 ,  H01L25/16

Abstract: 实施方式使半导体设备的特性提升。实施方式的半导体设备包括：封装基板(3)，包括多个端子(31)和基座(32)；半导体芯片(2)，设置于基座(32)的上方；以及电容器芯片(1)，设置于基座(32)的上方。半导体芯片(2)包括被供给接地电压(VGND)的第1焊盘(22)、与端子(31)电连接的第2焊盘(24)以及与焊盘(22、24)连接的半导体电路(20)。电容器芯片(1)包括设置于硅基板内的电容器部(10)、与所述第1电容器部(10)电连接并且被供给接地电压(VGND)的第1节点(16B)、以及与第2焊盘(22)及电容器部(10)电连接的第2节点(16A)。