公开(公告)号：CN115020493A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110922399.9

申请日：2021-08-12

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤浩朗 ,  下村纱矢 ,  马场祥太郎 ,  稻田充郎 ,  吉田裕史 ,  河井康宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体部、第一～第三电极以及控制电极。所述第一电极设于所述半导体部的背面上，所述第二电极设于所述半导体部的表面侧。所述第三电极以及所述控制电极设于所述半导体部的沟槽的内部。所述控制电极包含第一控制部和第二控制部。所述半导体装置还具备第一～第三绝缘膜。所述第一绝缘膜设于所述控制电极与所述半导体部之间。所述第二绝缘膜覆盖所述第一控制部及所述第二控制部，所述第三绝缘膜设于所述第二电极与所述第二绝缘膜之间。所述第三绝缘膜包含在所述第一控制部与所述第二控制部之间延伸的部分，所述第三电极位于所述第一电极与所述第三绝缘膜的所述延伸的部分之间。

公开(公告)号：CN114203815B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202110176290.5

申请日：2021-02-07

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤浩朗 ,  河井康宏 ,  稻田充郎 ,  西口俊史

IPC: H10D30/66 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10 ,  H10D62/17

Abstract: 实施方式提供能够减少导通电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、绝缘部、导电部、栅极电极、以及第二电极。绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。绝缘部包含沿第一方向交替地设置的多个第一绝缘部分以及多个第二绝缘部分。各个第一绝缘部分的第二方向上的外径比各个第二绝缘部分的第二方向上的外径长。导电部设于绝缘部中，在第二方向上与第一半导体区域并排。栅极电极设于绝缘部中，在第二方向上与第二半导体区域并排。

公开(公告)号：CN115896742A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210076949.4

申请日：2022-01-24

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 稻田充郎

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02

Abstract: 提供原料的使用效率高的半导体制造装置。半导体制造装置具备：第一贮存容器，贮存第一原料，具有第一容器出口；反应室；第一流量控制机构，调整从第一容器出口向反应室输送的第一原料的流量，具有第一入口和第一出口；第一配管，将第一容器出口和第一入口连接，具有第一连接部；第二配管，将第一出口和反应室连接，具有第二连接部；第三配管，在第一连接部与第一配管连接，在第二连接部与第二配管连接；第一泵，从第二配管向第一配管输送第一原料，具有第一吸气口和第一排气口；第二流量控制机构，控制从第一泵向第一流量控制机构供给的第一原料的流量，具有第二入口和第二出口。

公开(公告)号：CN112447847B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202010107193.6

申请日：2020-02-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤浩朗 ,  稻田充郎 ,  白石达也 ,  西胁达也 ,  小林研也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

Abstract: 实施方式提供能够获得高耐压、低导通电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部；电极，设置于上述半导体部上；及位于上述半导体部与上述电极之间的控制电极以及多个场电极。上述控制电极配置于第1沟槽的内部，从上述半导体部电绝缘。上述场电极配置于第2沟槽的内部，通过第3绝缘膜从上述半导体部电绝缘。上述第3绝缘膜包含第1绝缘部和比上述第1绝缘部薄的第2绝缘部。在上述多个场电极中的1个场电极与上述半导体部之间存在的第3绝缘膜中，上述第1绝缘部位于上述1个场电极和与上述1个场电极最接近的别的场电极之间。上述第2绝缘部与上述第1绝缘部相邻，位于上述1个场电极与其他场电极之间。

公开(公告)号：CN114203815A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110176290.5

申请日：2021-02-07

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤浩朗 ,  河井康宏 ,  稻田充郎 ,  西口俊史

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 实施方式提供能够减少导通电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、绝缘部、导电部、栅极电极、以及第二电极。绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。绝缘部包含沿第一方向交替地设置的多个第一绝缘部分以及多个第二绝缘部分。各个第一绝缘部分的第二方向上的外径比各个第二绝缘部分的第二方向上的外径长。导电部设于绝缘部中，在第二方向上与第一半导体区域并排。栅极电极设于绝缘部中，在第二方向上与第二半导体区域并排。

公开(公告)号：CN112447847A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010107193.6

申请日：2020-02-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤浩朗 ,  稻田充郎 ,  白石达也 ,  西胁达也 ,  小林研也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

Abstract: 实施方式提供能够获得高耐压、低导通电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部；电极，设置于上述半导体部上；及位于上述半导体部与上述电极之间的控制电极以及多个场电极。上述控制电极配置于第1沟槽的内部，从上述半导体部电绝缘。上述场电极配置于第2沟槽的内部，通过第3绝缘膜从上述半导体部电绝缘。上述第3绝缘膜包含第1绝缘部和比上述第1绝缘部薄的第2绝缘部。在上述多个场电极中的1个场电极与上述半导体部之间存在的第3绝缘膜中，上述第1绝缘部位于上述1个场电极和与上述1个场电极最接近的别的场电极之间。上述第2绝缘部与上述第1绝缘部相邻，位于上述1个场电极与其他场电极之间。