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公开(公告)号：CN116206632A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210527850.1
申请日：2022-05-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/127
Abstract: 本发明提供磁记录再现装置及磁记录再现方法，能够防止磁记录再现装置的寿命的恶化。实施方式的磁记录再现装置包括：多个磁记录介质，分别具有记录面；多个辅助记录用磁头，与记录面对应地分别设置，进行辅助记录；及辅助量调整部，连接于多个辅助记录用磁头，分别调整与记录面的记录容量对应的辅助用磁头的辅助量。
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公开(公告)号：CN110910909B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811553945.0
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 实施方式提供一种抑制磁通控制层的氧化且具有高可靠性的磁记录再现装置。实施方式的磁记录再现装置包括设置于主磁极与辅助磁极之间的磁通控制层和设置于辅助磁极的ABS的保护层。磁通控制层包括设置于第1导电层与第2导电层之间的、由包含Fe、Co或Ni中的至少1种的磁性材料形成的调整层，通过通电而产生自旋转矩，使调整层内的磁化的方向反转。施加于磁通控制层的电压Vb比由下式(1)表示的Vba低。Vba＝Vb0‑a×1/log(t)×log(RH)×log(PO2)…(1)。
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公开(公告)号：CN118692502A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310757259.X
申请日：2023-06-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供抑制润滑剂的固化的同时进行热辅助磁记录的磁记录再现装置及其控制方法。磁记录再现装置包括在表面设置有润滑剂的磁记录介质、对所述磁记录介质进行磁记录的热辅助磁记录头、湿度传感器以及与所述湿度传感器的检测结果对应地控制所述热辅助磁记录头的写入步骤的写入步骤控制部。
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公开(公告)号：CN119694354A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311698784.5
申请日：2023-12-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供包括判定热辅助磁记录头的上浮量变化的磁记录再现装置及其调整方法。实施方式的磁记录再现装置的调整方法是搭载有热辅助磁记录头以及磁盘的磁记录再现装置的调整方法，在记录面的第1位置进行第1写入动作，在半径方向位置与第1位置不同的第2位置测定第1错误率，在进行了第2写入动作之后，测定第2错误率，求出第1错误率与第2错误率的第1差分，在第1位置测定第3错误率，在进行了第3写入动作之后，测定第4错误率，求出第3错误率与第4错误率的第2差分，比较第1差分和第2差分，判定上浮量变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119673223A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311697572.5
申请日：2023-12-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 木村香里
Abstract: 本发明提供缩短伴随着热辅助磁记录头的浮起量变动的形成润滑剂填充区域所需的时间的磁记录再现装置以及磁记录再现装置的控制方法。本实施方式涉及的磁记录再现装置的控制方法包括：在第1高度的头浮起量下通过热辅助磁记录头进行了记录后，将头浮起量变更为比第1高度高的第2高度，通过使热辅助磁记录头动作，在热辅助磁记录头与记录面之间填充润滑剂，形成第2高度的润滑剂填充区域。
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公开(公告)号：CN117594071A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211687385.4
申请日：2022-12-27
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 木村香里
IPC: G11B5/127
Abstract: 本发明提供抑制了劣化的磁头以及磁记录再现装置。根据实施方式，提供一种磁头，包括：主磁极，其对磁记录介质施加记录磁场；辅助磁极，其与主磁极以空开写入间隙的方式设置，与主磁极一起构成磁回路；以及层叠体，其设置在主磁极与辅助磁极之间，能够从主磁极向辅助磁极通电，在该磁头中，层叠体包括在主磁极的与辅助磁极相对向的表面上依次设置的第1冷却层和第1导电层，第1冷却层的与通电方向垂直的截面积比所述主磁极的与通电方向垂直的截面积大，在通电时通过珀耳帖效应对主磁极进行冷却。
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公开(公告)号：CN115731953A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210115930.6
申请日：2022-02-07
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能抑制磁头的劣化来实现可靠性的提高的磁盘装置。根据实施方式，磁盘装置具有：自如旋转的盘状的记录介质(12)；磁头(16)，该磁头具有：具有向记录介质施加记录磁场的主磁极的写入头、辅助利用主磁极的磁记录的辅助元件、以及控制相对于记录介质的头斜度的多个热执行器；以及磁控制器(40)，该控制器具有检测头的劣化的检测部(46a、46c)，根据检测出的劣化，通过热执行器而使磁头的头斜度变化。
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公开(公告)号：CN110910909A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811553945.0
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 实施方式提供一种抑制磁通控制层的氧化且具有高可靠性的磁记录再现装置。实施方式的磁记录再现装置包括设置于主磁极与辅助磁极之间的磁通控制层和设置于辅助磁极的ABS的保护层。磁通控制层包括设置于第1导电层与第2导电层之间的、由包含Fe、Co或Ni中的至少1种的磁性材料形成的调整层，通过通电而产生自旋转矩，使调整层内的磁化的方向反转。施加于磁通控制层的电压Vb比由下式(1)表示的Vba低。Vba＝Vb0-a×1/log(t)×log(RH)×log(PO2)…(1)。
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公开(公告)号：CN104465817A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410478173.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L27/14601 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/03044 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/06 , Y02E10/547
Abstract: 本公开提供了含有半导体和分散于其中的多个含金属微小结构的光电转换层。所述微小结构是包含金属材料(α)的微小结构(A)或否则包含金属材料(α)和材料(β)的微小结构(B)，所述材料(β)选自由不同于所述金属材料(α)和所述半导体中的任一个的物质的氧化物、氮化物和氧氮化物组成的组。在所述微小结构(B)中，所述材料(β)在所述金属材料(α)的表面上。所述微小结构中的每一个都具有基于当从特定方向观察时的投影面积的1nm到10nm且包括端值的等圆直径。在该方向上，所述微小结构具有最小总投影面积。相邻两个所述微小结构之间的最近距离是3nm到50nm且包括端值的。本公开还提供了所述光电转换层于太阳能电池、光电二极管和图象传感器的应用。
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