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公开(公告)号：CN113345475B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202010709420.2
申请日：2020-07-22
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 实施方式提供能够在抑制用于辅助功能的元件的劣化的发展并且维持读写特性的同时继续使用的磁盘装置。根据实施方式，磁盘装置具备：磁盘；磁头，其包括辅助向所述磁盘记录数据的辅助部；控制部，其基于记录条件来控制所述磁头的数据记录；以及存储器，其存储第1阈值，该第1阈值是规定所述辅助部所包含的辅助元件处于劣化状态的阈值。另外，所述控制部检测所述辅助元件的状态，基于该检测的状态和存储于所述存储器的所述第1阈值，判定是否变更所述记录条件，并根据其判定结果，变更所述记录条件。
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公开(公告)号：CN113129931A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010654582.0
申请日：2020-07-09
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 实施方式提供能够高效地写入数据的磁盘装置以及记录容量的设定方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第2区域供暂时性地写入向所述第1区域写入之前的数据；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其对通常记录和瓦记录进行选择来加以执行，相应于能够以所述瓦记录向所述第1区域写入的数据的第1写入容量来对能够向所述第2区域写入的数据的高速缓存数据容量进行变更，所述通常记录是在所述盘的半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的记录，所述瓦记录是在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的记录。
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公开(公告)号：CN110910909B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811553945.0
申请日：2018-12-19
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： G11B5/31
摘要： 实施方式提供一种抑制磁通控制层的氧化且具有高可靠性的磁记录再现装置。实施方式的磁记录再现装置包括设置于主磁极与辅助磁极之间的磁通控制层和设置于辅助磁极的ABS的保护层。磁通控制层包括设置于第1导电层与第2导电层之间的、由包含Fe、Co或Ni中的至少1种的磁性材料形成的调整层，通过通电而产生自旋转矩，使调整层内的磁化的方向反转。施加于磁通控制层的电压Vb比由下式(1)表示的Vba低。Vba＝Vb0‑a×1/log(t)×log(RH)×log(PO2)…(1)。
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公开(公告)号：CN112447195B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010045054.5
申请日：2020-01-16
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人： 友田悠介
摘要： 实施方式提供能够提高记录密度的磁盘装置及写入处理方法。实施方式的磁盘装置具备：盘；头，对所述盘写入数据，从所述盘读出数据；及控制器，执行在所述盘的半径方向上划分出的第1区域中以第1线记录密度在所述半径方向上隔开间隔而对多个磁道进行写入的通常记录处理和在所述第1区域中以第1线记录密度以下的第2线记录密度在所述半径方向上对多个磁道进行覆写的瓦记录处理中的至少一方。
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公开(公告)号：CN110648694B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201811442608.4
申请日：2018-11-29
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人： 友田悠介
摘要： 本发明的实施方式提供一种为了向磁记录介质进行充分的记录而确保磁场，并且对相邻磁道的影响得到了抑制的磁记录头和具备该磁记录头的磁记录再现装置。实施方式涉及的磁记录头包括：主磁极，其向磁记录介质施加记录磁场；辅助磁极，其与主磁极隔开记录间隙地相对；第1磁旁通层，其沿磁道方向设置于记录间隙内；以及第2磁旁通层，其沿磁道方向设置于记录间隙内，并且相对于第1磁旁通层在磁道宽度方向上隔开间隔地配置。
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公开(公告)号：CN114944172A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110842147.5
申请日：2021-07-26
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人： 友田悠介
摘要： 实施方式提供能够抑制读性能的劣化的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有通常记录区域和瓦记录区域，所述通常记录区域是以在半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的通常记录写入数据的区域，所述瓦记录区域是以在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的瓦记录写入数据的区域；头，其具有对所述盘写入数据的写入头和从所述盘读取数据的多个读取头，通过绕旋转轴进行旋转来在所述盘上移动；以及控制器，其对所述通常记录和所述瓦记录进行选择来加以执行，所述通常记录区域中的所述多个读取头中的两个读取头的所述盘的半径方向上的交叉磁道间隔的第1最小值比所述瓦记录区域中的所述交叉磁道间隔的第1最大值小。
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公开(公告)号：CN114121043A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202011643239.2
申请日：2020-12-31
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 实施方式提供能提高写/读处理性能的磁盘装置和重写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第1区域是对从位于半径方向的第1端部的第1初始磁道到位于在半径方向上与第1端部相反一侧的第1另一端部的第1最后磁道的多个磁道进行了写入的区域，所述第2区域位于在半径方向的第1方向上与第1区域隔开间隙的位置、且是沿着第1方向从位于半径方向的第2端部的第2初始磁道到位于半径方向的与第2端部相反一侧的第2另一端部的第2最后磁道对多个磁道进行了重叠写入的区域；头，其对盘写入数据，从盘读取数据；以及控制器，其对在第2区域进行了重叠写入的多个磁道的一部分，在作为与第1方向相反的方向的第2方向上偏置地进行重写。
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公开(公告)号：CN114944172B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202110842147.5
申请日：2021-07-26
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人： 友田悠介
摘要： 实施方式提供能够抑制读性能的劣化的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有通常记录区域和瓦记录区域，所述通常记录区域是以在半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的通常记录写入数据的区域，所述瓦记录区域是以在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的瓦记录写入数据的区域；头，其具有对所述盘写入数据的写入头和从所述盘读取数据的多个读取头，通过绕旋转轴进行旋转来在所述盘上移动；以及控制器，其对所述通常记录和所述瓦记录进行选择来加以执行，所述通常记录区域中的所述多个读取头中的两个读取头的所述盘的半径方向上的交叉磁道间隔的第1最小值比所述瓦记录区域中的所述交叉磁道间隔的第1最大值小。
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公开(公告)号：CN113129931B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202010654582.0
申请日：2020-07-09
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 实施方式提供能够高效地写入数据的磁盘装置以及记录容量的设定方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第2区域供暂时性地写入向所述第1区域写入之前的数据；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其对通常记录和瓦记录进行选择来加以执行，相应于能够以所述瓦记录向所述第1区域写入的数据的第1写入容量来对能够向所述第2区域写入的数据的高速缓存数据容量进行变更，所述通常记录是在所述盘的半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的记录，所述瓦记录是在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的记录。
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公开(公告)号：CN111627468B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910630094.3
申请日：2019-07-12
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人： 友田悠介
IPC分类号： G11B5/596
摘要： 实施方式提供一种能够提高可靠性的磁盘装置以及写处理方法。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极、与所述主磁极隔开距离而相对向的写屏蔽件、以及设置在所述主磁极与所述写屏蔽件之间的辅助元件；以及控制器，其执行不使用所述辅助元件而与第1磁道重叠地对第2磁道进行写入的第1写处理。
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