公开(公告)号：CN115828815A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210155253.0

申请日：2022-02-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 辻村俊博 ,  安藤大辅 ,  伊见仁 ,  青木孝哲

IPC: G06F30/367 ,  G06F113/08 ,  G06F119/08

Abstract: 实施方式提供对半导体装置的热特性的经时变化的验证有用的模拟装置、热等效电路制作方法以及数据结构。实施方式的模拟装置(1)包括：存储装置(20)，存储与半导体装置的热等效电路有关的数据；以及估计装置(30)，使用所述数据，估计所述半导体装置的热特性的经时变化。所述热等效电路包括：第一热等效电路，对应于所述半导体装置的上表面侧部分；以及第二热等效电路，与所述第一热等效电路连接且对应于所述半导体装置的下表面侧部分。

公开(公告)号：CN117747578A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310134237.8

申请日：2023-02-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 今井克之 ,  安藤大辅 ,  柴田豊和 ,  梶桂子

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L23/535 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高合格率的半导体装置。本发明的一个实施方式的半导体装置具备：第一框架；第二框架，在第一方向X上与第一框架分离；以及第一接合端子，设于第二芯片的上方，该第二芯片设于第二框架之上。第一框架包括向第二框架侧延伸的第一端子部。第一接合端子包括向第一框架侧延伸的第二端子部。第二端子部包括平面部和从平面部分别分支的第一突出部(第一分支部)和第二突出部(第二分支部)。第一突出部的端部以及第二突出部的端部分别被接合于第一端子部之上。第一突出部的第一方向X的长度与第二突出部的第一方向X的长度不同。

公开(公告)号：CN117747568A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310134236.3

申请日：2023-02-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 安藤大辅 ,  柴田豊和

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明的实施方式提供低电阻的半导体装置，具备：半导体芯片，具有第一面、第二面、第一电极、第二电极、第三电极；第一导电部件，包括第一部分以及第一中间部分，从半导体芯片朝向第一部分的方向沿着第一方向，从第一部分朝向第一中间部分的方向沿着与第一方向交叉的第二方向，在第一方向上第一部分设于半导体芯片与第一中间部分之间；第二导电部件，包括第三部分、第二中间部分以及第四部分，从第三部分朝向第四部分的方向沿着第二方向，第二方向上的第一中间部分的长度比第二方向上的第三部分的长度长，在第二方向上第二中间部分设于第三部分与第四部分之间；第三导电部件；以及导电性的第一连接部件、第二连接部件、及第三连接部件。