-
公开(公告)号：CN117747578A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310134237.8
申请日：2023-02-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/52 , H01L23/48 , H01L23/535 , H01L23/31
Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高合格率的半导体装置。本发明的一个实施方式的半导体装置具备：第一框架；第二框架，在第一方向X上与第一框架分离；以及第一接合端子，设于第二芯片的上方，该第二芯片设于第二框架之上。第一框架包括向第二框架侧延伸的第一端子部。第一接合端子包括向第一框架侧延伸的第二端子部。第二端子部包括平面部和从平面部分别分支的第一突出部(第一分支部)和第二突出部(第二分支部)。第一突出部的端部以及第二突出部的端部分别被接合于第一端子部之上。第一突出部的第一方向X的长度与第二突出部的第一方向X的长度不同。
Search Results
1
records
(took 0.03 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
