半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119673892A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202410213239.0

    申请日:2024-02-27

    Inventor: 柴田豊和

    Abstract: 实施方式提供能够抑制不良情况发生的半导体装置。实施方式的半导体装置包含第一、二导电部件、半导体芯片、导电性的连接板、导电性的第一、二接合材料、及树脂部。第二导电部件包含第一、二部分。第一部分在第一方向上与第一导电部件分离。第二部分从第二方向上的第一部分的端部延伸突出且包含引线部。半导体芯片在第一方向上设于第一部分与第一导电部件之间,与第一导电部件电连接。连接板在第一方向上设于半导体芯片与第一部分之间。第一接合材料位于半导体芯片与连接板之间。第二接合材料位于第一部分与连接板之间。树脂部覆盖半导体芯片、连接板以及第一部分。引线部的一部分以及第一导电部件的一部分从树脂部露出。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117747578A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202310134237.8

    申请日:2023-02-20

    Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高合格率的半导体装置。本发明的一个实施方式的半导体装置具备:第一框架;第二框架,在第一方向X上与第一框架分离;以及第一接合端子,设于第二芯片的上方,该第二芯片设于第二框架之上。第一框架包括向第二框架侧延伸的第一端子部。第一接合端子包括向第一框架侧延伸的第二端子部。第二端子部包括平面部和从平面部分别分支的第一突出部(第一分支部)和第二突出部(第二分支部)。第一突出部的端部以及第二突出部的端部分别被接合于第一端子部之上。第一突出部的第一方向X的长度与第二突出部的第一方向X的长度不同。

    半导体装置
    3.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117747568A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202310134236.3

    申请日:2023-02-20

    Abstract: 本发明的实施方式提供低电阻的半导体装置,具备:半导体芯片,具有第一面、第二面、第一电极、第二电极、第三电极;第一导电部件,包括第一部分以及第一中间部分,从半导体芯片朝向第一部分的方向沿着第一方向,从第一部分朝向第一中间部分的方向沿着与第一方向交叉的第二方向,在第一方向上第一部分设于半导体芯片与第一中间部分之间;第二导电部件,包括第三部分、第二中间部分以及第四部分,从第三部分朝向第四部分的方向沿着第二方向,第二方向上的第一中间部分的长度比第二方向上的第三部分的长度长,在第二方向上第二中间部分设于第三部分与第四部分之间;第三导电部件;以及导电性的第一连接部件、第二连接部件、及第三连接部件。

Patent Agency Ranking