公开(公告)号：CN102800662A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210170061.3

申请日：2012-05-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 筑山慧至 ,  福田昌利 ,  渡部博 ,  沟口庆太 ,  小牟田直幸

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/14151 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14156 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供层叠型半导体装置及其制造方法。实施方式的层叠型半导体装置具备：具有第1凸起电极的第1半导体芯片；具有第2凸起电极的第2半导体芯片。一边将凸起电极彼此连接，一边层叠第1及第2半导体芯片。在第1及第2半导体芯片的至少一方，设置阻挡用突起和粘接用突起。阻挡用突起与第1及第2半导体芯片的另一方以非粘接状态接触。粘接用突起与第1及第2半导体芯片粘接。

公开(公告)号：CN102800662B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210170061.3

申请日：2012-05-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 筑山慧至 ,  福田昌利 ,  渡部博 ,  沟口庆太 ,  小牟田直幸

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/14151 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14156 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供层叠型半导体装置及其制造方法。实施方式的层叠型半导体装置具备：具有第1凸起电极的第1半导体芯片；具有第2凸起电极的第2半导体芯片。一边将凸起电极彼此连接，一边层叠第1及第2半导体芯片。在第1及第2半导体芯片的至少一方，设置阻挡用突起和粘接用突起。阻挡用突起与第1及第2半导体芯片的另一方以非粘接状态接触。粘接用突起与第1及第2半导体芯片粘接。