公开(公告)号：CN1111823A

公开(公告)日：1995-11-15

申请号：CN94118876.0

申请日：1994-11-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 米中一市 ,  小林和人

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/83138 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种在吸湿状态下进行IR转辊、VPS转辊热压，能以防止基片内表面和模塑树脂的界面剥离而在模塑树脂上产生裂纹的树脂封装半导体器件及其制造方法。在位于基片的中央部分的开口上形成格子状的防止剥离条。半导体芯片用粘合剂粘接在基片上，但粘合剂不会流到开口内的格子状的防止剥离条上。这种结构能使模塑树脂充分流入芯片和防止剥离条之间，硬化之后能以防止因高温而使树脂剥离。

公开(公告)号：CN102347334A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110205288.2

申请日：2011-07-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 尾崎彻 ,  野口充宏 ,  前川英明 ,  间下浩充 ,  田口尚文 ,  小林和人 ,  向井英史 ,  新田博行

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及半导体存储器件及其制造方法。存储器基元阵列包括沿第一方向设置的存储器串。字线和选择栅极线沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸。所述选择栅极线也沿所述第二方向延伸。所述字线具有沿所述第一方向的第一线宽并被设置为在其间具有第一距离。所述选择栅极线包括：沿所述第一方向的第一互连，所述第一互连具有大于所述第一线宽的第二线宽；以及第二互连，其从所述第一互连的端部延伸，所述第二互连具有与所述第一线宽相同的第三线宽。邻近所述选择栅极线的第一字线被设置为具有距所述第二互连的第二距离，所述第二距离具有的值是所述第一距离的(4N+1)倍(N为大于等于1的整数)。