公开(公告)号：CN103972287A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310222581.9

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤信幸 ,  一关健太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/512 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明希望解决的课题在于提供一种能够使沟槽间的耗尽层形成变得容易的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1导电类型的漂移层、在所述漂移层上设置的第2导电类型的基极层、在所述基极层上设置的第1导电类型的源极层、多个沟槽、与所述基极层邻接且隔着第1绝缘膜设置于所述沟槽内的栅电极、以及在所述沟槽内在所述栅电极之下隔着具有比所述第1绝缘膜高的介电常数的第2绝缘膜而被设置的场板电极。

公开(公告)号：CN104425405A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410069639.5

申请日：2014-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田村幸治 ,  佐藤信幸 ,  新谷修央 ,  小泽慎也 ,  松冈长 ,  奥村秀树

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/77 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/53174 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 根据一个实施方式，提供一种散热连接体，搭载于半导体芯片上并且与所述半导体芯片以及引线框一起被模树脂密封，具有：散热部，具有块形状，并且从所述模树脂露出其上表面；以及连接部，从所述散热部的第1侧面延伸，并且将在所述半导体芯片上设置的电极和所述引线框电连接。进而，所述散热部以及所述连接部通过同一金属板一体地构成。

公开(公告)号：CN103022130A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210315126.9

申请日：2012-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松冈长 ,  一关健太郎 ,  早瀬茂昭 ,  佐藤信幸

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7811

Abstract: 提供一种半导体装置，能提高耐压并降低导通电阻。一个实施方式的半导体装置具备第1区域和第2区域。第1区域具备：MOSFET的漏电极；半导体基板，具有第1杂质浓度；第1半导体层，具有比第1杂质浓度小的第2杂质浓度；第2半导体层，形成于第1半导体层的表面，具有比第1杂质浓度小且比第2杂质浓度大的第3杂质浓度；多个第1沟槽；第3半导体层，与第1沟槽邻接；第4半导体层，与第1沟槽邻接；栅电极层，作为MOSFET的栅电极发挥功能；和MOSFET的源电极，与第4半导体层相接。第2区域具备：半导体基板；第1半导体层，具有第2杂质浓度；第1绝缘层，形成于第1半导体层的上表面；和源电极，形成于第1绝缘层的上表面。

公开(公告)号：CN105702665A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510329019.5

申请日：2015-06-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤信幸

IPC: H01L23/58

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49575 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能够精度更良好地进行过热检测的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置包括：支撑部件、设置在支撑部件上且具备过热检测电路的半导体芯片、设置在半导体芯片上且具备功率半导体元件的半导体芯片、和将支撑部件、半导体芯片以及半导体芯片封固的封固部件。过热检测电路配置在半导体芯片之下。

公开(公告)号：CN204011406U

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201420091111.3

申请日：2014-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田村幸治 ,  佐藤信幸 ,  新谷修央 ,  小沢慎也 ,  松冈长 ,  奥村秀樹

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/31

Abstract: 本公开涉及半导体装置和搭载了半导体装置以及电子部件的应用板。本公开的一个实施方式解决的问题是抑制半导体元件的劣化。根据一个实施方式，半导体装置具备具有岛部、和与所述岛部相隔开的端子部的引线框。进而，所述装置具备搭载于所述岛部并且具有电极的半导体芯片。进而，所述装置具备形成于所述半导体芯片上并且具有使所述电极的至少一部分露出的开口部的绝缘膜。进而，所述装置具备覆盖通过所述开口部而露出的所述电极并且将所述电极和所述端子部电连接的板状连接器。根据本公开的一个实施方式的用途在于，提供一种能够抑制半导体元件的劣化的半导体装置以及搭载了半导体装置的应用板。