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公开(公告)号：CN1149667C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN96121115.6
申请日：1996-09-27
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： C04B41/009 , C04B35/5935 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B2111/00844 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K3/38 , Y10T428/265 , C04B41/4525 , C04B41/5027 , C04B41/4529 , C04B41/522 , C04B41/0072 , C04B41/4501 , C04B41/4517 , C04B41/5127 , C04B41/5144 , C04B41/5155 , C04B35/584 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种高热导率氮化硅电路衬底，它包括25℃时热导率为60W/m.K以上的氮化硅陶瓷板，和通过中间层与氮化硅陶瓷板连接的金属电路板。中间层包含氧和选自由Ti、Zr、Hf、Nb和Al组成的组中的至少一种元素。及用该衬底的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1151612A
公开(公告)日：1997-06-11
申请号：CN96121115.6
申请日：1996-09-27
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： C04B41/009 , C04B35/5935 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B2111/00844 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K3/38 , Y10T428/265 , C04B41/4525 , C04B41/5027 , C04B41/4529 , C04B41/522 , C04B41/0072 , C04B41/4501 , C04B41/4517 , C04B41/5127 , C04B41/5144 , C04B41/5155 , C04B35/584 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种高热导率氮化硅电路衬底，它包括25℃时热导率为60W/m.K以上的氮化硅陶瓷板，和通过中间层与氮化硅陶瓷板连接的金属电路板。中间层包含氧和选自由Ti、Zr、Hf、Nb和Al组成的组中的至少一种元素，及用该衬底的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1155759A
公开(公告)日：1997-07-30
申请号：CN96114418.1
申请日：1996-09-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/00
CPC分类号： C04B35/645 , C03C8/24 , C04B35/584 , C04B35/64 , C04B37/025 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3258 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/447 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/658 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/10 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/405 , C04B2237/407 , C04B2237/592 , C04B2237/62 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K3/38 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本申请公开了一种包括室温下的热导率为80w/mk以上氮化硅陶瓷板1和通过玻璃层3粘接到氮化硅陶瓷板上1的金属板2的电路板，及一种其中安装在所说电路基片的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1149666C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN96114418.1
申请日：1996-09-27
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： C04B35/645 , C03C8/24 , C04B35/584 , C04B35/64 , C04B37/025 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3258 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/447 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/658 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/10 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/405 , C04B2237/407 , C04B2237/592 , C04B2237/62 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K3/38 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本申请公开了一种包括室温下的热导率为80W/mK以上氮化硅陶瓷板1和通过玻璃层3粘接到氮化硅陶瓷板上1的金属板2的电路板，及一种其中安装在所说电路基片的半导体器件。
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