公开(公告)号：CN116107077A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211250424.4

申请日：2022-10-12

Applicant: 株式会社东京精密

Inventor： 岩城智 ,  清水翼

IPC: G02B21/06 ,  G02B21/36

Abstract: 提供能够简单且适当地进行同时进行同轴照明以及斜光照明的情况下的亮度调整的显微镜以及半导体制造装置。在设置于半导体制造装置的显微镜中，具备：同轴照明部，将第1波段的同轴照明光照射于工件；斜光照明部，将与第1波段不同的第2波段的斜光照明光照射于工件；和摄像部，被工件正反射的同轴照明光的正反射光和被工件散射后的斜光照明光的散射光的混合光入射，并且将混合光分离成正反射光和散射光而同时进行摄像。

公开(公告)号：CN119013765A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380030966.7

申请日：2023-03-15

Applicant: 株式会社东京精密

Inventor： 相川力 ,  岩城智

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/03 ,  B23K26/04 ,  B23K26/364

Abstract: 提供能够精度良好地进行分离激光和线激光的位置的修正的激光修正方法。激光修正方法包括如下步骤：一边使激光光学系统(14)相对于对位用工件(W2)沿着加工进给方向进行相对移动，一边进行缘部切割加工并进行中空加工，在对位用工件中，至少激光照射面包含容易进行激光照射痕的检测的材料，在缘部切割加工中，经由激光光学系统使分离激光聚光到激光照射面而形成沿着加工进给方向彼此平行的两条第一槽，在中空加工中，经由激光光学系统使线激光聚光到激光照射面而形成第二槽；利用显微镜(20)来检测第一槽和第二槽；以及基于第一槽和第二槽的检测结果，来修正分离激光和线激光的聚光位置。

公开(公告)号：CN118737866A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410364406.1

申请日：2024-03-27

Applicant: 株式会社东京精密

Inventor： 岩城智 ,  清水翼

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/24

Abstract: 本发明提供能够减轻处理负荷并取得准确度更高的剖面轮廓的槽形状测定方法以及槽形状测定装置。槽形状测定方法具有：设定步骤(步骤S4)，以预先确定的间距(P)将加工槽(9)划分为多个测定区域(60)，并且按每个测定区域(60)在测定区域(60)内设定N个小测定区域(62)；坐标数据取得步骤(步骤S6)，取得多个测定区域(60)内的第M个小测定区域(62)中的加工槽(9)的多个坐标数据(三维坐标数据(50))；以及剖面轮廓生成步骤(步骤S7)，将在坐标数据取得步骤中按每个测定区域(60)取得的与第M个小测定区域(62)相对应的坐标数据投影在二维平面(52)上，生成剖面轮廓(54)。

公开(公告)号：CN116209538A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180061355.X

申请日：2021-07-02

Applicant: 株式会社东京精密

Inventor： 相川力 ,  岩城智

IPC: B23K26/00

Abstract: 提供了一种激光加工装置、晶元处理系统和用于控制激光加工装置的方法，通过该方法可以实时检查加工槽的加工状态。通过从激光光学系统向间隔道发射激光从而沿间隔道在晶圆上形成加工槽的激光加工装置中，激光加工装置包括：观察图像获取单元，该观察图像获取单元被配置为在形成加工槽的同时反复获取从激光光学系统发射到间隔道的激光的加工点的观察图像；亮度检测器，该亮度检测器被配置为每当观察图像获取单元获取观测图像时，基于观察图像检测通过发射激光而在加工点处产生的等离子体的亮度；对应信息获得单元，该对应信息获得单元被配置为获得表示亮度、激光的能量和加工槽的加工状态之间的对应关系的对应信息；以及加工状态评估单元，该加工状态评估单元被配置为每当亮度检测器检测到亮度时，基于亮度和激光的已知能量，参照对应信息评估加工状态。