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公开(公告)号：CN108857056A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810445666.6
申请日：2018-05-10
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: B23K26/142
CPC classification number: B23K26/142 , B23K26/364 , B23K2103/56
Abstract: 本发明提供一种激光加工装置，能够防止基于激光束的加工线的蜿蜒并且实质减少附着于基板周边以及加工腔室的碎片。激光加工装置具备：载置台，保持基板，能够在‑X方向移动；激光源，通过向保持于载置台的基板W照射激光束来对基板进行加工；吸尘管道，被配置于激光源与载置台之间，包含从第1开口部到第2开口部沿着‑Z方向延伸的第1光路，激光束贯通第1光路；和吸尘泵，被配置于吸尘管道的下游侧，在X方向吸引吸尘管道内的空气。并且，吸尘管道具有在Y方向对置的一对导风板，一对导风板被形成为其间隔在夹着第1光路的光路区域最窄，在光路区域的上游区域以及下游区域随着远离光路区域而变宽。
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公开(公告)号：CN108857056B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810445666.6
申请日：2018-05-10
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: B23K26/142
Abstract: 本发明提供一种激光加工装置，能够防止基于激光束的加工线的蜿蜒并且实质减少附着于基板周边以及加工腔室的碎片。激光加工装置具备：载置台，保持基板，能够在‑X方向移动；激光源，通过向保持于载置台的基板W照射激光束来对基板进行加工；吸尘管道，被配置于激光源与载置台之间，包含从第1开口部到第2开口部沿着‑Z方向延伸的第1光路，激光束贯通第1光路；和吸尘泵，被配置于吸尘管道的下游侧，在X方向吸引吸尘管道内的空气。并且，吸尘管道具有在Y方向对置的一对导风板，一对导风板被形成为其间隔在夹着第1光路的光路区域最窄，在光路区域的上游区域以及下游区域随着远离光路区域而变宽。
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公开(公告)号：CN109473352A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811029474.3
申请日：2018-09-04
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种抑制等离子切割中的碎片残留的元件芯片的制造方法。在本发明的半导体芯片2的制造方法中，将半导体晶片12的背面4A保持于切割带22。接下来，将表面6A用具备非水溶性的下层掩膜24A和水溶性的上层掩膜24B的掩膜24被覆。接下来，通过对掩膜24照射激光而在掩膜24形成开口从而使分割区域16露出。接下来，使半导体晶片12与水接触，去除被覆元件区域14的上层掩膜24B并使下层掩膜24A残留。接下来，将半导体晶片12暴露于第1等离子体，将开口所露出的分割区域16进行蚀刻至到达背面4A为止，从而单片化为多个半导体芯片2。接下来，去除多个半导体芯片2的表面6A所残留的下层掩膜24A。
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公开(公告)号：CN116895561A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310314838.7
申请日：2023-03-28
Applicant: 株式会社东京精密 , 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/02 , B08B3/02
Abstract: 本发明提供能够在清洗框架时抑制清洗液的飞散的框架清洗机构以及框架清洗方法。对借助带(16)而固定有加工对象物(12)的状态下的环状的框架(18)进行清洗的框架清洗机构(100)具备：工作台(14)，其载置框架(18)；工作台旋转装置(10)，其使工作台(14)旋转；喷嘴(40)，其向工作台(14)排出清洗液；以及喷嘴摆动机构(30)，其在通过工作台旋转装置(10)而使工作台(14)旋转的期间使喷嘴(40)在框架(18)的宽度内摆动。
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公开(公告)号：CN109473352B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811029474.3
申请日：2018-09-04
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种抑制等离子切割中的碎片残留的元件芯片的制造方法。在本发明的半导体芯片2的制造方法中，将半导体晶片12的背面4A保持于切割带22。接下来，将表面6A用具备非水溶性的下层掩膜24A和水溶性的上层掩膜24B的掩膜24被覆。接下来，通过对掩膜24照射激光而在掩膜24形成开口从而使分割区域16露出。接下来，使半导体晶片12与水接触，去除被覆元件区域14的上层掩膜24B并使下层掩膜24A残留。接下来，将半导体晶片12暴露于第1等离子体，将开口所露出的分割区域16进行蚀刻至到达背面4A为止，从而单片化为多个半导体芯片2。接下来，去除多个半导体芯片2的表面6A所残留的下层掩膜24A。
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